美光开发边缘推理内存(EIM),预计2028年下半年投产
美光正在为物理AI应用开发边缘推理内存(EIM),该内存通过将低功耗DRAM堆叠在逻辑芯片上以提高数据处理效率,预计将在2028年下半年实现量产。
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美光正在为物理AI应用开发边缘推理内存(EIM),该内存通过将低功耗DRAM堆叠在逻辑芯片上以提高数据处理效率,预计将在2028年下半年实现量产。
据Wccftech对英伟达Vera团队采访时披露(2026年10月19日报道),英伟达为其Vera CPU选择了单片式(monolithic)计算裸片,而非主要x86竞争对手所采用的chiplet架构;Vera还配备定制LPDDR5X内存子系统和英伟达第二代Scalable Coherent Fabric。原因方面,报道解释称与传统云端工作负载优先考虑高核心数和吞吐量不同,agentic AI需要强大的单线程性能、高内存带宽和低延迟,以快速执行顺序任务并保持GPU高利用率。单片式设计使CPU核心无需跨越chiplet之间边界即可通信,降低数据移动延迟。英伟达称Vera提供3.4 TB/s的双向(bisection)带宽,为其对比中领先的x86处理器的三倍;Vera性能为前代Grace的1.5倍;对于Python脚本和代码编译等顺序任务型agentic工作负载,公司宣称最高达领先x86处理器的2倍性能,几何平均基础上为1.6倍优势。Vera还引入Spatial Multithreading技术。英伟达最初主要将Grace CPU定位为GPU系统的主机处理器,但报道指出agentic AI和强化学习需求的增长促使其转向独立Vera CPU机架。另据中央社报道,英伟达个人计算高级副总裁Jeff Fisher在台湾接受采访时否认将停产旗舰GeForce RTX 5090显卡的传闻,称其不属实,并表示RTX 5090仍是英伟达将持续供应的关键产品;他承认供应紧张正影响整个全球行业而非仅英伟达,但称公司正尽一切可能将产品推向市场。TechPowerUp补充称,RTX 5090在其1,999美元的建议零售价(MSRP)附近仍难觅货,亚马逊和Newegg上的部分 listings 超过8,000美元。
Kulicke & Soffa 财政第三季度 2026 年净收入为 3.304 亿美元,同比增长 123%,毛利率 47.8%,非GAAP每股收益 1.20 美元,超出预期。公司预计财政 2026 年第四季度收入约为 3.75 亿美元,截至 2026 年 10 月 3 日,因半导体、存储、汽车和工业市场需求增强。
CXMT总裁曹坤宇宣布,公司首款4F² DRAM产品将是服务器DDR5 RDIMM,预计年底前推出;该宣布在Integrated Chips and Chiplets Conference上周六发表,文章发表于2026年10月13日。该内存采用垂直晶体管将电池占地面积在纸上减少约三分之一,但尚未公布速度或容量。CXMT预计将销售一种仅在三星和SK海力士研究论文中出现的存储单元。原文未说明原因。
2026年10月13日报道:微软与英特尔周一发布最新自研AI加速器,挑战英伟达。据Reuters,微软Maia 300采用多芯粒架构,核心计算芯粒使用台积电2nm(N2P)工艺,内存控制器与I/O功能采用3nm工艺;据Seoul Economic Daily,Maia 300搭载八颗HBM4堆栈,较Maia 200的六颗HBM3E增加,内存容量从216GB提升至288GB。微软称该架构提供36%更多计算FLOPs、2.5倍HBM带宽和14%更高的scale-up带宽。据Reuters,微软计划明年推出可能超过100万颗Maia 300加速器,每机柜容纳96颗芯片、功耗约167kW,并声称每兆瓦计算输出较领先GPU系统高约40%;据Seoul Economic Daily,每机柜HBM堆栈总数将从288增至768(2.7倍),为存储供应商带来潜在新增长机会。SK hynix被视为领先竞争者(曾为Maia 200唯一HBM3E供应商),三星凭借现已量产的36GB 12层HBM4也可能获得订单。英特尔方面,据Tom's Hardware,在OCP 2026上英特尔将基于Xe3P架构的原Crescent Island AI推理加速器正式命名为Intel GPU D-Series,公布FP8算力1.3 PFLOPS、内存带宽1.5TB/s的性能目标;据Wccftech,其弃用HBM而采用LPDDR5X(HBM日益昂贵且供应受限),支持最高480GB LPDDR5X(参考PCIe卡为160GB),定位为AI推理的成本高效方案;该350W加速器的制造工艺未公布。上述均为发布与计划状态,部署与订单尚未落地。
10 月 12 日消息,微软今天正式发布 Maia 300 人工智能芯片,基于台积电 N2P 2 纳米制程,采用多芯粒设计,集成独立内存芯粒和 I/O 芯粒,计划 2027 年部署。该芯片配备 8 组 HBM4 内存,总容量可达 288GB,带宽为 18TB/s;FP4 算力最高可达 13.8 PFLOPS,FP8 算力为 6.9 PFLOPS;SoC 功耗额定值为 950W,明显高于 Maia 200 的 750W。双向扩展互连带宽达到 3.2TB/s,采用基于以太网的双层网络架构;单个机架可容纳 96 颗 Maia 300,最多可组建包含 12000 颗加速器的集群。芯片更适合对内存要求较高的 AI 推理任务。
Intel Foundry发布了两篇关于芯片电力传输(power delivery)的文章。第一篇文章引用Gartner预测:全球数据中心电力需求将从2025年的104吉瓦升至2026年的132吉瓦,到2030年达到290吉瓦;这些为预测数据。该文还称AI优化服务器预计将占2026年消费量的31%,并于2027年超过传统服务器。文章说明传统正面供电将电力与信号路由共用金属层,随着设计复杂度提升导致电阻与电感问题;Intel表示其采用Intel 18A的RibbonFET全环绕栅极(GAA)晶体管架构通过将电力布线移至芯片背面来分离这些功能,可降低电阻、电感和IR压降。文章还介绍了Omni MIM片上电容器、基板内嵌电容器和嵌入式深沟槽电容器等本地储能方案,以及全集成稳压器、CoaxMIL磁性电感器、C2VR电容稳压器和专用稳压器chiplet等方案。第二篇文章将问题延伸至chiplet和堆叠裸片,指出先进封装可能造成电气瓶颈,并主张将电压转换移近负载。
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