国产存储双雄扩产,Q2存储芯片合约价预涨超58%
长鑫科技与长江存储正冲刺IPO并大规模扩产,TrendForce预计Q2 DRAM与NAND闪存合约价将分别季增58-63%与70-75%。此轮短缺由AI服务器挤占HBM产能、国际巨头削减消费级产品供应所致。
利多
供需缺口持续至2027年,国产厂商填补供应真空并带动本土设备链替代,支撑存储芯片价格上行与份额提升。
- 相关厂商
- Yangtze Memory Technologies Co., Ltd.、ChangXin Memory Technologies Inc.、Samsung Electronics、SK Hynix
- 影响评分
- 60 / 100,中等影响