SiC MOSFET年增21.5%，xEV功率器件2031年达145亿
Yole预测xEV功率器件市场2031年将达145亿美元，SiC MOSFET年复合增长率达21.5%。受800V高压架构普及及中国BEV需求驱动，SiC和GaN技术份额快速提升，但SiC制造端面临产能过剩压力。
利多
SiC与GaN需求持续扩张，高压器件前景广阔；关注：SiC制造端产能过剩风险可能抑制价格涨幅。
- 相关厂商
- Yole、Bosch、Renesas、Rohm
- 影响评分
- 85 / 100，高影响
Yole预测xEV功率器件市场2031年将达145亿美元，SiC MOSFET年复合增长率达21.5%。受800V高压架构普及及中国BEV需求驱动，SiC和GaN技术份额快速提升，但SiC制造端面临产能过剩压力。
SiC与GaN需求持续扩张，高压器件前景广阔；关注：SiC制造端产能过剩风险可能抑制价格涨幅。
TrendForce数据显示，2026年Q1全球牵引逆变器装机量同比增长1.9%，800V平台装机量激增21%。这一增长主要由高压架构普及及SiC逆变器渗透率提升驱动。
需求韧性支撑SiC及高压逆变器供应链前景。
TrendForce报告显示，2025年第四季度全球电动汽车牵引逆变器安装量创近两年新高，主要由纯电动车销售增长驱动。此为市场分析报告，未提供影响交易的供应链或价格具体数据。
/利多/关注: 中性，报告仅描述需求趋势，缺乏影响现货价格的直接供应、库存或报价变动信息。
2025年第四季度电动汽车牵引逆变器安装量达965万台，创近两年新高。这反映了电动汽车终端市场的持续强劲需求。
/利多/关注: 此为滞后需求指标，未提供影响功率半导体（IGBT/SiC）短期价格或供应的具体数据，对交易无直接指引。
SNS Insider报告预测，电流传感器市场规模将从2025年的30.3亿美元增至2035年的79.6亿美元，年复合增长率为10.14%。增长主要由电动汽车和可再生能源基础设施的电气化趋势驱动。
/利多/关注：此为长期市场分析报告，未提供影响短期交易的价格、短缺或产能变动具体数据，对即时交易决策无直接影响。
SNS Insider报告预测，SiC-on-insulator (SiCOI)薄膜市场将从2025年的8255万美元增长至2035年的624.96亿美元，年复合增长率达94.05%。增长动力来自电动汽车、工业自动化、可再生能源及5G通信等领域对高性能功率半导体的需求。
此为长期市场分析报告，未提供影响当前现货交易的具体供应、价格或短缺信息。
已经到底了
爆款新品里，到底装了谁的芯片？拆开，一颗一颗给你看。
全部拆解| Analog | $0.68 | −5.9% |
|---|---|---|
| 连接器 | $0.75 | +0.2% |
| CPU | $386.74 | −21.3% |
| DDR4 | $88.40 | −0.2% |
| DDR52026-W13 | $14.89 | −11.2% |
| GPU | $478.20 | +8.2% |
| MCU | $0.68 | −61.7%异常波动 |
| MLCC | $0.01 | +54.0%异常波动 |
| MOSFET | $0.12 | −82.8%异常波动 |
| PMIC2026-W13 | $0.44 | −12.5% |
| SSD/HDD | $288.43 | 暂无 |