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DRAM与NAND Flash现货价环比分别上涨超50%和90%，大幅推高智能手机生产成本。华为在涨价周期前囤积大量内存库存，使其终端产品定价免受行业成本压力影响。利多：主要OEM的激进预购行为，表明现货市场需求基础稳固，供应紧张局面可能持续。
DRAM与NAND Flash现货价环比分别上涨超50%和90%，大幅推高智能手机生产成本。华为在涨价周期前囤积大量内存库存，使其终端产品定价免受行业成本压力影响。利多：主要OEM的激进预购行为，表明现货市场需求基础稳固，供应紧张局面可能持续。
DRAMNAND Flash威刚董事长陈立白指出，三大DRAM原厂库存已降至3-5周的警戒水位，主因AI数据中心需求导致供不应求。NAND闪存报价同步提升，预计2026年第二季度合约价将再涨40%。利多：原厂库存见底与明确涨价预期，预示存储芯片供应紧张将持续推高现货与合约价格。
威刚董事长陈立白指出，三大DRAM原厂库存已降至3-5周的警戒水位，主因AI数据中心需求导致供不应求。NAND闪存报价同步提升，预计2026年第二季度合约价将再涨40%。利多：原厂库存见底与明确涨价预期，预示存储芯片供应紧张将持续推高现货与合约价格。
DRAMNAND FlashSamsung ElectronicsSK HynixSK海力士透露其DRAM和NAND库存已降至约4周的极低水位，预计全年将继续下降。同时，三星正就新一代AI存储芯片HBM4进行定价谈判，预计价格将比上一代高出20%至30%。利多：主要供应商库存见底叠加高端产品大幅涨价预期，显示存储芯片供应趋紧，价格上行压力明确。
SK海力士透露其DRAM和NAND库存已降至约4周的极低水位，预计全年将继续下降。同时，三星正就新一代AI存储芯片HBM4进行定价谈判，预计价格将比上一代高出20%至30%。利多：主要供应商库存见底叠加高端产品大幅涨价预期，显示存储芯片供应趋紧，价格上行压力明确。
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