三星SK海力士预期下调5%，HBM4销量增三倍
三星电子与SK海力士三季度合并营业利润预计逼近190万亿韩元，但分析师已将营收利润预期下调2.6%至5.3%。尽管AI浪潮推动HBM4需求激增，但DRAM和NAND闪存ASP涨幅放缓，且韩元走强导致美元计价销售额缩水。
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市场正检验AI交易盈利的持续性，HBM4量产提速与代工业务扭亏为盈能否抵消终端业务亏损及价格涨势放缓的利空。
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- Samsung Electronics、SK Hynix
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三星电子与SK海力士三季度合并营业利润预计逼近190万亿韩元，但分析师已将营收利润预期下调2.6%至5.3%。尽管AI浪潮推动HBM4需求激增，但DRAM和NAND闪存ASP涨幅放缓，且韩元走强导致美元计价销售额缩水。
市场正检验AI交易盈利的持续性，HBM4量产提速与代工业务扭亏为盈能否抵消终端业务亏损及价格涨势放缓的利空。
三星芯片部门Q2利润达62亿美元，同比暴涨250倍。公司预计2027年供应短缺将恶化，并签署了锁定60-70%产能的长期协议。
长期协议和短缺预期将支撑价格和供应稳定性。
三星DS部门Q2营收创纪录达171.5万亿韩元，存储业务利润同比暴增250倍。受益于DRAM和NAND ASPs分别上涨40%-60%，存储出货量环比增长超10%。
三星预计AI内存短缺将持续至2028年，HBM4收入有望在Q3环比激增三倍。
三星电子2Q26营业利润创纪录达89.4万亿韩元，DRAM和NAND价格单季涨幅超50%和60%。受益于存储价格暴涨，三星正积极谈判将3Q26 DRAM价格上调20%。
供需紧张格局未改，合约价及现货价均有支撑。
TSMC员工考虑罢工及组建工会，传闻将削减15%绩效奖金。尽管公司Q1净利润创纪录且AI需求激增，但巨额资本开支导致资金紧张。
此为内部劳资纠纷，目前尚未对芯片供应或价格产生直接冲击。
三星半导体部门利润同比暴增48倍，股价单日暴涨15%；受AI数据中心订单驱动，叠加美伊停战提振市场情绪
存储板块需求强劲，三星市值突破1万亿美元。
三星Q1存储营收创历史新高，运营利润同比暴涨4,782%。增长主要由AI需求激增及供应受限驱动，Nvidia是主要客户。
受AI基础设施扩张推动，Q2存储需求预计保持强劲。
三星芯片部门Q1运营利润激增至53.7万亿韩元，同比增长49%。受AI数据中心需求推动，公司已锁定客户产能，并警告2027年供应缺口将扩大。
三星电子1Q26营收创纪录，设备解决方案部门利润率高达66%，AI内存业务利润同比暴涨756%。业绩增长主要得益于HBM4和SOCAMM2在AI基础设施领域的强劲需求及ASP提升。
AI算力需求激增推高HBM及高端存储价格，供应紧张格局持续。
摩尔线程2026年Q1首次实现季度盈利（2936万元），主要受66亿元KUAE智算集群订单驱动。公司2025年全年净亏损10.01亿元，研发费用占营收86.68%。
国产GPU商业化加速预示相关组件潜在需求增长，但高研发投入及行业盈利分化需保持警惕。
SK海力士因AI芯片超级周期利润，预计2026年向员工支付人均约47.7万美元的巨额绩效奖金；三星电子工会则因薪酬争议，威胁自5月21日起发起总罢工。三星管理层与工会的谈判破裂，且据报已有约200名员工在过去四个月转投SK海力士。
/利多: 三星的罢工风险构成短期供应扰动利空；SK海力士的薪酬方案利于稳定生产，属间接利多。
三星电子Q1利润创纪录达57.2万亿韩元，主要由DRAM价格上涨及HBM需求强劲推动。
三星电子Q1营业利润达57.2万亿韩元创纪录，主要由其半导体解决方案部门驱动。业绩超预期源于DRAM及NAND闪存价格QoQ大幅上涨（约90%），由AI需求持续与供应紧张推动。
创纪录的盈利及明确的内存涨价数据证实了强劲的底层需求，支撑内存组件近期价格的看涨前景。
三星电子初步财报显示Q1营业利润达57.2万亿韩元，同比暴增755%，其中芯片部门贡献约95%。业绩由AI驱动的存储上行周期推动，DRAM ASP环比暴涨约90%，NAND亦陷入短缺。
创纪录的业绩及已敲定的Q2 DRAM合约价环比再涨约30%，表明存储芯片需求和定价动能将持续强劲。
3S Korea计划在2026年实现盈亏平衡，2027年创收新高，并将工厂利用率从35%大幅提升至89%-90%。公司剥离了亏损的自动化业务，并精简组织架构以恢复盈利能力。
运营效率显著回升，半导体载具供应链供应紧张风险降低。
ARM预计其新芯片部门五年内年销售额将达到150亿美元。该业绩展望提振了市场信心。
ARM盘后股价一度上涨3.7%。
三星因存储成本上升，据报将终止Galaxy Z Tri-Fold折叠屏手机销售。其手机部门今年营业利润预计同比暴跌超60%，已启动紧急措施。
作为关键采购方，三星的需求急剧萎缩，将对上游存储芯片（DRAM/NAND）的出货和库存构成压力。
三星DX部门因移动业务Q1业绩或创历史最差，正削减高管差旅等成本，其MX业务可能录得史上首次营业亏损。核心压力源于存储芯片成本飙升，其在智能手机BOM占比已从10-15%升至30-40%。
智能手机关键终端市场需求疲软及利润承压，可能引发库存调整并抑制存储芯片价格。
SK海力士DRAM营销副总裁朴俊德提出扩产策略，推动2025年业绩创纪录。随着AI基础设施投资激增，公司准确预测需求复苏并加速高性能AI服务器产品出货。
表明在AI超级周期下，需求强劲且产能扩张策略有效，支撑价格上行。
台积电将AI加速器五年复合年增长率预期上调至超50%，并计划2026年资本支出520-560亿美元。三星晶圆代工业务受益于HBM需求与价格复苏，英特尔代工部门因18A工艺初期成本录得25亿美元亏损。
主要晶圆厂积极扩张及强劲的AI驱动业绩，预示先进制程产能需求将持续高企，对尖端节点定价构成支撑。
爆款新品里，到底装了谁的芯片？拆开，一颗一颗给你看。
全部拆解| Analog | $0.68 | −5.9% |
|---|---|---|
| 连接器 | $0.75 | +0.2% |
| CPU | $386.74 | −21.3% |
| DDR4 | $88.40 | −0.2% |
| DDR52026-W13 | $14.89 | −11.2% |
| GPU | $478.20 | +8.2% |
| MCU | $0.68 | −61.7%异常波动 |
| MLCC | $0.01 | +54.0%异常波动 |
| MOSFET | $0.12 | −82.8%异常波动 |
| PMIC2026-W13 | $0.44 | −12.5% |
| SSD/HDD | $288.43 | 暂无 |