SK海力士DRAM营销副总裁朴俊德提出扩产策略，推动2025年业绩创纪录。随着AI基础设施投资激增，公司准确预测需求复苏并加速高性能AI服务器产品出货。利多，表明在AI超级周期下，需求强劲且产能扩张策略有效，支撑价格上行。

英特尔毛利率跌至35%且GAAP净利为负，受制于老旧制程及18A库存减记。即使获得外部客户，代工业务仍难盈利。利空。

威刚董事长陈立白定调2026年DRAM与NAND Flash将持续缺货，价格只涨不跌，Q1涨幅已超40%，Q2预计涨幅可观。公司2025年Q4净利同比暴增1200%，毛利率达48.41%，主因AI算力需求驱动DDR5、SSD等供应缺口扩大。利多：产业链核心厂商明确短缺预警与涨价指引，强化存储芯片上行周期预期。

韩国1月经常账户顺差达132.6亿美元，为历史第五高，主要由半导体行业周期性增长及强劲出口推动。该数据是韩国半导体（DRAM、NAND、HBM）出口需求的高阶宏观指标。中性：数据确认终端需求稳健，但未提供具体的价格或供应链中断信号。

佰维存储公告1-2月营收同比大增340%至395%，归母净利润达15亿至18亿元。公司称行业迎来高度景气周期。利多：业绩爆发式增长印证存储芯片终端需求强劲，现货市场供应可能趋紧，对NAND和DRAM价格构成支撑。

三星电子2025年第四季度DRAM营收环比激增43%，以36%的份额重夺市场第一。这主要源于行业需求复苏及高端产品出货增长。利多：营收与份额的强劲增长表明需求端稳固，对现货价格构成支撑。

佰维存储预计2026年1-2月净利润15-18亿元，营收40-45亿元，同比大幅扭亏为盈。公司称存储行业因AI算力与国产替代驱动而供不应求，DRAM/NAND价格持续上涨。利多：强劲的盈利指引印证了存储芯片市场的需求与价格强势。

中际旭创2025年净利润同比增108.81%，寒武纪、摩尔线程、沐曦股份等国产GPU/AI芯片公司均实现营收数倍增长或大幅减亏。英伟达财报公布后两日股价跌超9%，中东地缘冲突及英国私募信贷巨头MFS破产引发市场避险情绪。关注：AI算力硬件需求强劲与宏观风险导致的短期市场波动并存。

十铨科技与宇瞻科技2025年因DRAM与NAND Flash价格上涨录得创纪录利润。此轮增长由AI应用对高容量、高带宽存储产品的需求驱动。利多：强劲财报印证高价与需求持续，对存储元件交易构成支撑。

麦格理将三星电子与SK海力士的目标价分别上调24%和21%，并大幅调高其FY26/FY27营业利润预期。此次上调基于对DRAM与NAND Flash市场持续高盈利能力的判断。利多：强劲的盈利预期反映核心需求稳固，可能收紧现货供应并支撑价格。

五大设备商财报分化，ASML、泛林及KLA营收增长，AI驱动HBM与先进制程需求。应用材料受ICAPS拖累微降，东京电子虽下滑但看好2026年复苏。利多设备板块，HBM与先进封装前景看好。

三星电子四季度DRAM营收激增40%，重夺全球市场份额第一。其计划通过率先量产HBM4来巩固领先地位。关注：市场格局变动加剧HBM竞争，但未报告直接影响现货价格。

大信证券分析师预测SK海力士2026年营业利润将创纪录，其通用DRAM和NAND产品均价预计分别跃升159%和91%。该预测基于对存储芯片市场，特别是高端HBM领域持续强劲的需求预期。利多：机构盈利与价格预测大幅上调，强化市场对存储芯片周期上行及SK海力士定价能力的信心。

美银分析师Simon Woo预测，三星电子与SK海力士Q1合计营业利润或超200亿美元，将超越台积电。报告基于对DRAM与NAND市场乐观情绪及四月价格续涨的预期。利多：分析师报告强化了内存价格上涨预期，预示需求强劲，对现货交易构成直接利好信号。

三星电子第四季度营收93.8万亿韩元，营业利润20.1万亿韩元，芯片部门贡献了16.4万亿韩元利润。业绩增长由DRAM及高带宽内存（HBM）需求驱动，尤其来自AI服务器。利多：高端内存终端需求强劲得到确认，预示供应紧张及价格可能维持坚挺。

SK海力士预计Q4营业利润达16.18万亿韩元创纪录，DRAM业务贡献15.7万亿韩元。因产能转向DDR5和HBM，DDR4 8Gb 3200现货价已从去年5月的2美元飙升至30美元。利多：HBM产能已售罄且加速扩产，印证AI需求强劲，持续对存储芯片价格构成上行压力。