高通预计2029年数据中心芯片收入达150亿美元，2027财年达50亿美元，主要来自定制AI芯片。为应对美国出口管制，高通推出符合规定的AI250和AI300加速器，并已获得字节跳动订单。利多高通定制芯片及HBC技术需求。

美光预计维持81%毛利率指引，FY27资本支出大幅激增。受DRAM与HBM上行周期支撑，市场关注其盈利能力能否持续。关注：财报前市场对高利润率维持及产能扩张计划的分歧。

三星电子和SK海力士报告强劲业绩，推动内存行业进入长期超级周期。AI需求推动半导体繁荣，市场重新评估内存在AI基础设施中的战略作用。利多：强劲的业绩和AI需求预示着价格支撑和供应紧张。

Lam Research Q1 2026营收58.41亿美元，同比增长23.7%，连续三个季度创纪录。AI需求激增及晶圆厂投资推动，其中DRAM设备占比达27%创纪录，客户支持业务营收首次突破20亿美元。利多：业绩超预期且指引强劲，显示半导体设备需求持续旺盛。

SK海力士一季度营收52.6万亿韩元，净利润40.3万亿韩元，大幅超出预期。业绩增长主要受DRAM和NAND Flash平均售价分别环比上涨约60%和70%驱动。利多：财报证实内存市场定价权强劲，需求稳固，现货价格获基本面支撑。

SK海力士第一季度营业利润率高达72%。服务器存储需求强劲，持续抵消了PC与手机芯片的疲软表现。利多：服务器存储需求结构性走强，支撑高端存储芯片价格与厂商盈利能力。

ASML将2026年营收展望上调至360-400亿欧元，韩国市场销售占比飙升至45%，三星和SK海力士已锁定数十台EUV及DUV设备订单。需求由内存（尤其是DRAM）和先进逻辑客户的AI驱动资本开支周期支撑，并与终端客户的长期协议挂钩。利多：核心客户（台积电、三星、SK海力士）的巨额资本开支及多年期订单，为ASML高端光刻机需求提供了明确且强劲的长期指引。

南亚科技2026年第一季度获利达260亿元新台币，主因DRAM价格受AI需求推动上涨超70%。强劲的财报印证了内存市场的定价能力与终端需求。利多：财务表现强劲，预示DRAM供需紧张与高价格态势将持续。

Biwin 2025年归母净利润达8.53亿元，同比激增429%，其ePOP方案已进入Meta、谷歌等AI边缘设备供应链，并签署了价值15亿美元的长期晶圆采购协议。兆易创新存储芯片营收达65.66亿元，同比增长26.4%，因主流厂商转向HBM/DDR5导致利基DRAM/SLC NAND供应缺口扩大。利多：模块厂利润暴增及锁定长期供应，印证AI驱动的存储需求强劲且供应趋紧。

三星电子公布2026年Q1初步营收133万亿韩元（约885亿美元），同比增长68%，营业利润暴涨755%至51万亿韩元（约379亿美元），主要受HBM高价及DRAM/NAND需求上升驱动。此前美光及SK海力士均已报告巨额利润增长，显示内存行业需求持续强劲。利多：三大内存巨头财报均验证需求旺盛与定价能力，支撑HBM、DRAM及NAND价格维持强势。

威刚科技一季度营收达261.1亿新台币，创历史新高，同比增长1.6倍。业绩增长主要受存储芯片市场反弹及AI需求驱动。利多：强劲财报印证AI对存储芯片需求持续，支撑现货价格高位运行。

三星电子Q1营业利润达57.2万亿韩元创纪录，主要由其半导体解决方案部门驱动。业绩超预期源于DRAM及NAND闪存价格QoQ大幅上涨（约90%），由AI需求持续与供应紧张推动。利多：创纪录的盈利及明确的内存涨价数据证实了强劲的底层需求，支撑内存组件近期价格的看涨前景。

三星电子初步业绩预告显示，一季度营业利润达57.2万亿韩元，同比飙升755%，核心驱动力为AI与数据中心对存储芯片的强劲需求。头部厂商正将产能重心转向高带宽内存（HBM），导致传统DRAM供应收紧，一季度均价环比上涨64%。利多：AI需求持续及产能结构性转移，预计将继续支撑存储芯片价格高位运行。

三星电子初步财报显示Q1营业利润达57.2万亿韩元，同比暴增755%，其中芯片部门贡献约95%。业绩由AI驱动的存储上行周期推动，DRAM ASP环比暴涨约90%，NAND亦陷入短缺。利多：创纪录的业绩及已敲定的Q2 DRAM合约价环比再涨约30%，表明存储芯片需求和定价动能将持续强劲。