Cissoid停产2代HADES驱动芯片
Cissoid因X-FAB工艺停产2代HADES驱动芯片及IPM/ICM产品。公司加速3代芯片设计,计划明年发布,尺寸成本更优。
2代产品断供将导致现货紧缺,价格短期看涨。
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Cissoid因X-FAB工艺停产2代HADES驱动芯片及IPM/ICM产品。公司加速3代芯片设计,计划明年发布,尺寸成本更优。
2代产品断供将导致现货紧缺,价格短期看涨。
铠侠宣布停产传统浮栅式2D NAND及第三代BiCS Flash产品,最后出货时间为2028年12月31日。行业分析指出,MLC NAND单位价值较低,AI热潮推升高性能TLC/QLC需求,厂商正将资源向高附加值产品倾斜。
铠侠退出2D NAND市场将减少低端闪存供应,利好剩余高性能NAND价格。
Kioxia将于2028年底前停止2D NAND及早期BiCS 3D NAND生产,最后出货日定于2028年12月31日。此次停产涵盖32nm至15nm等老旧制程节点,标志着自1980年代以来的平面NAND技术正式终结。
该EOL计划将导致剩余老旧制程库存稀缺,现货价格预计上涨。
Kioxia中国发布EOL通知,计划于2028年12月31日停产Floating Gate及第三代BiCS FLASH产品。此举与三星提前停产2D NAND及TrendForce预测2026年MLC NAND产能同比下滑41.7%的趋势一致。
随着三星、Kioxia等巨头退出2D NAND市场,MLC NAND供应将大幅收缩,现货价格面临上行压力。
铠侠宣布停产8Gb-64Gb容量的TSOP封装MLC NAND闪存。此举主因产能与基材供应受限,厂商正将资源向高附加值TLC/QLC产品倾斜。
剩余MLC NAND库存及现货价格预计上涨。
铠侠正式通知客户,将全面停产TSOP封装产品,涉及1Gb至64Gb容量的SLC与MLC NAND闪存。停产原因为相关基板生命周期结束、市场需求及生产限制。
特定SLC/MLC NAND供应退出,将收紧现货市场供应并推高相关产品价格。
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