三星、SK海力士及美光宣布DDR4停产，产能转投HBM。此次EOL导致OSAT代工产能被大厂锁定，中小厂商面临无产能可用局面。利多HBM及先进DRAM价格，利空DDR4及中小存储厂商。

三星电子已停止接受LPDDR4和LPDDR4X移动DRAM的新订单，仅履行现有订单后即进入停产阶段。停产源于客户向LPDDR5过渡的需求加速，促使三星转换产线以解决先进制程瓶颈。利多：特定型号供应正式中断将收紧现货市场，迫使客户加速升级并可能推高相关内存价格。

铠侠正式对旗下广泛的SLC与MLC等传统NAND产品发布停产通知，计划于2026年前完成产线淘汰。此举源于全行业向先进3D架构转型及产能分配收紧的战略调整。利多：传统产能退出将收紧特定应用领域的供应，预计将支撑剩余SLC/MLC库存价格，并催生对新型3D NAND的替代需求。

Kioxia将于2028年底前停止2D NAND及早期BiCS 3D NAND生产，最后出货日定于2028年12月31日。此次停产涵盖32nm至15nm等老旧制程节点，标志着自1980年代以来的平面NAND技术正式终结。利多：该EOL计划将导致剩余老旧制程库存稀缺，现货价格预计上涨。

Kioxia中国发布EOL通知，计划于2028年12月31日停产Floating Gate及第三代BiCS FLASH产品。此举与三星提前停产2D NAND及TrendForce预测2026年MLC NAND产能同比下滑41.7%的趋势一致。利多。随着三星、Kioxia等巨头退出2D NAND市场，MLC NAND供应将大幅收缩，现货价格面临上行压力。

铠侠将停产TSOP封装NAND产品，最终订单截止日为2026年9月15日，最后出货日为2027年3月15日。此举源于行业策略调整，制造商正将资源集中于TLC、QLC及DRAM，逐步淘汰低单位价值的MLC产品。利多：特定封装形式的供应终止将收紧对应存量市场的供应，对相关库存价格构成支撑。