SECO 模块化视觉 10.1 MX95 进入大规模生产
SECO 的 Modular Vision 10.1 MX95 已从早期订购预订阶段进入大规模生产阶段。
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SECO 的 Modular Vision 10.1 MX95 已从早期订购预订阶段进入大规模生产阶段。
荷兰Prodrive Technologies在10月13日于旧金山Moscone Center举行的SEMICON West 2026上表示，计划在2026年底至2027年初之间在韩国开设办事处，以加强对包括Hanwha Semitech在内的当地客户的支持并通过销售活动扩大业务。该公司称目前正在招聘当地员工为开设办事处做准备，并表示预计在"今年年底左右或明年初"开设，正在考虑将Dongtan和Pangyo作为候选地点。韩国办事处将负责销售和客户支持，正在招聘一个小规模团队；公司代表表示没有在韩国设立制造设施的计划，因为可以从马来西亚、中国和欧洲支持韩国客户。Prodrive还在马来西亚建设新的制造设施，并在荷兰、美国波士顿和中国设有生产基地，在日本和以色列设有销售办事处，全球员工约2300人。其为半导体设备制造商开发模块并提供系统集成服务；此前Hanwha Semitech与Prodrive合作开发混合键合设备，今年早些时候第二代混合键合设备SHB2 Nano在Prodrive荷兰工厂制造和组装后被运往韩国；Prodrive还为ASML极紫外(EUV)光刻设备中磁悬浮系统供应直线电机和伺服驱动器。
CXMT公布4F² DRAM架构计划，目标2026年底量产DDR5 RDIMM，且二季度全球DRAM份额升至9.5%。该架构较传统6F²缩小33%面积，使CXMT在技术路线上领先SK海力士和三星约两年。
全球DRAM价格，因竞争加剧及潜在产能扩张。
村田制造公司已完成其中国越南胡志明市附近的电感生产设施扩建。施工于2025年5月开始，历时一年零五个月完工。公司于10月8日举行了新建筑的落成典礼。新建筑总面积为10,576平方米，建筑投资约为30亿日元，总投资超过了原计划。新设施将用于生产用于消费电子和汽车应用的电感线圈。
SK集团会长崔泰源计划加速光州半导体集群建设，即便水电供应延迟也准备先行进行打桩作业。该项目面临美军设施迁回这一最大变量，且政府正努力推动机场军事功能提前转移。
产能扩张计划将增加未来供应，对价格构成下行压力。
芬兰初创公司Verda筹集1.63亿欧元以扩大全栈AI云服务。该资金将用于加速产品开发，并计划在未来一年内大幅增加算力。
虽然AI算力需求旺盛，但新产能释放可能缓解供应缺口，对当前现货价格影响中性。
报道称中国DRAM龙头CXMT计划在第二座北京工厂建设3D NAND研发线，目标客户为AI及超算领域。该项目尚处于早期阶段，距离投产至少需2-3年。
长期看将加剧NAND Flash市场竞争，但短期内对现货价格影响有限。
SK海力士计划于2027年上半年将大连工厂产能提升至5万片/月，主要生产100层级成熟NAND闪存。该扩产聚焦于成熟浮栅技术，将先进375层技术保留在清州工厂。
成熟NAND供应，价格承压下行。
SK海力士计划于2027年将大连NAND闪存产能提升50%，标志着子公司Solidigm在四年停滞后的重启投资。此举将量产200层以上3D QLC NAND以满足需求。
随着全球NAND产能预计在2027年供需平衡，此次扩产将增加供应，可能对价格造成下行压力。
三星已安装两台High-NA EUV设备但推迟量产，以控制折旧成本。鉴于代工业务自2022年亏损且预计Q4转盈，三星在订单支撑盈利前保持保守资本支出。
三星代工业务盈利拐点及2nm良率提升对产能释放的影响。
Rapidus完成2nm GAA原型，获政府注资，但无量产客户签约。虽有60家潜在客户洽谈，但尚未签署量产协议，2027年量产目标面临不确定性。
新厂产能扩张计划虽具潜力，但缺乏实际订单支撑，短期供需影响有限。
铠侠计划2026至2028财年平均每年资本支出达4700亿日元，较2025财年大增66%，并考虑建设第三座北上山工厂。尽管当前产能利用率仅约50%，但受AI推理NAND需求86%复合年增长率驱动，公司预计供需紧张将持续至2027年。
NAND Flash价格走势，供应链中短期内将维持紧缩状态。
JSR与台厂合资在云林建厂，预计2028年量产EUV光刻胶。为补齐供应链缺口并配合TSMC 2nm以下制程需求，JSR成为最后一家在台设厂的日本大厂。
此产能扩张将缓解EUV材料供应瓶颈，但需观察2028年量产进度及竞争格局变化。
YMTC第三座武汉工厂预计2026年底投产，国产设备占比超50%，并计划再建两座同等规模工厂。此举将使YMTC的3D NAND产能翻倍，旨在利用其晶圆键合优势。
产能扩张将加剧供应过剩，可能对价格构成下行压力。
SK海力士因英伟达Rubin平台延迟，计划将2026年HBM4出货量削减20-30%，需求转向HBM3E。三星电子目标在2026下半年将HBM4用1c DRAM良率从不足60%提升至80%，以应对高成本压力。
HBM3E需求；利空：HBM4短期供应；关注：HBM4良率爬坡与Rubin验证进度。
YMTC计划在武汉再建两座晶圆厂，使月产能翻倍至20万片，第三期设备国产化率超50%。此举旨在验证国产设备在量产环境下的3D NAND良率表现，受美国制裁限制西方设备获取影响。
产能扩张计划预示供应增加，可能对NAND Flash和DRAM价格构成下行压力。
日本经产省追加6315亿日元支持Rapidus，其政府总支持额达约2.4万亿日元，同时该公司后端原型线和先进封装研发中心启动运营。富士通与IBM日本分别获得AI芯片研发补贴，并计划将2nm/1.4nm芯片制造外包给Rapidus。
长期看增加先进制程供应来源，但为远期产能规划，对当前现货市场无直接影响。
三星电子正出售西安及韩国工厂的123台成熟制程（90-65nm及8英寸）设备。此举旨在优化运营效率，加速其西安工厂（占NAND总产量40%）从128层向236层及以上高端NAND的产能迁移。
淘汰旧产能、聚焦高端产品的供应侧优化，可能收紧成熟节点NAND供应，并对先进产品价格形成支撑。
三星西安工厂已完成向236层NAND的工艺转换，并计划在2026年前升级至286层；SK海力士计划于2026年下半年重启大连二期工厂的设备安装。此举源于对老旧产品需求减弱、中国竞争对手技术追赶以及美国设备进口限制带来的升级压力。
两家头部厂商在中国工厂的先进制程产能扩张计划，预计将增加未来高层数NAND的供应，对中长期价格构成下行压力。
三星2025年对西安NAND工厂投资同比激增67.5%至4654亿韩元，SK海力士对无锡DRAM与大连NAND工厂投资超1万亿韩元。此举源于全球存储需求高涨，两家公司加速利用中国工厂扩充产能。
头部厂商在华大幅扩产，增加NAND与DRAM中期供应压力。
爆款新品里，到底装了谁的芯片？拆开，一颗一颗给你看。
全部拆解| Analog | $0.68 | −5.9% |
|---|---|---|
| 连接器 | $0.75 | +0.2% |
| CPU | $386.74 | −21.3% |
| DDR4 | $88.40 | −0.2% |
| DDR52026-W13 | $14.89 | −11.2% |
| GPU | $478.20 | +8.2% |
| MCU | $0.68 | −61.7%异常波动 |
| MLCC | $0.01 | +54.0%异常波动 |
| MOSFET | $0.12 | −82.8%异常波动 |
| PMIC2026-W13 | $0.44 | −12.5% |
| SSD/HDD | $288.43 | 暂无 |