三星西安与SK海力士大连加码先进NAND产能
三星西安工厂已完成向236层NAND的工艺转换,并计划在2026年前升级至286层;SK海力士计划于2026年下半年重启大连二期工厂的设备安装。此举源于对老旧产品需求减弱、中国竞争对手技术追赶以及美国设备进口限制带来的升级压力。
利空
两家头部厂商在中国工厂的先进制程产能扩张计划,预计将增加未来高层数NAND的供应,对中长期价格构成下行压力。
- 相关厂商
- Samsung Electronics、SK hynix
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三星西安工厂已完成向236层NAND的工艺转换,并计划在2026年前升级至286层;SK海力士计划于2026年下半年重启大连二期工厂的设备安装。此举源于对老旧产品需求减弱、中国竞争对手技术追赶以及美国设备进口限制带来的升级压力。
两家头部厂商在中国工厂的先进制程产能扩张计划,预计将增加未来高层数NAND的供应,对中长期价格构成下行压力。
美光印度萨纳德封测厂全面投产后,预计将占其全球总产量的10%,2027年芯片产量将达数亿颗。该27.5亿美元项目获得印度中央及地方政府70%的补贴支持。
该先进封装产能的实质性落地,特别是针对AI内存及DDR5,将增加全球存储芯片的供应压力。
已经到底了