韩国ASIC设计解决方案提供商ASICLAND在SEDEX 2026上展示了其自有的AxHub AI芯片设计与验证平台，并表示计划加速定制芯片开发，通过其台湾研发中心强化先进制程与封装能力。原文未说明原因之外的具体动因细节，且未给出任何价格或数字。公司同时披露，存储控制器项目仍为其主要收入来源，支撑其向AI芯片量产及海外市场拓展的计划。上述扩张与量产计划均为公司的意向/规划，尚非已实现的成果。
据ZDNet援引业内消息，三星考虑为OLED Galaxy智能手机所用显示驱动IC（DDI）增加GlobalFoundries作为第二家代工伙伴，可能结束UMC的独家代工地位；GlobalFoundries代工的DDI最早或于2027年底出现在Galaxy智能手机中，部分中低端Galaxy A系列机型或率先采用，三星据报正在评估GlobalFoundries的22nm或28nm节点，其在新加坡和德国拥有兼容制造设施。背景原因：自2025年下半年以来成熟制程需求超过供给，UMC无法承接额外订单；据ZDNet，三星在7月发布Galaxy Z Fold8后因需求超预期要求加快DDI生产，但UMC因22nm DDI产能已达上限而无法满足，三星因此将9月Galaxy Z Fold8零部件计划产量削减10%，将延后产量移至10月。另据Economic Daily News，机构投资者预计UMC 12英寸产能利用率到2026年底达93%，受三星System LSI与联咏22/28nm DDI订单及55/65nm Apple Mac相关芯片需求支撑；TrendForce称部分产能受限的12英寸成熟制程节点2026年第二至第三季度出现5–10%涨价迹象，2027年预计更大范围涨价。以上均为报道/评估或预期，非已确定事项。
东芝计划投资60亿日元将AI数据中心HDD产能翻倍至2027财年。受AI基础设施需求及SSD短缺驱动，硬盘市场供应紧张。
产能扩张计划预示未来供应增加，可能缓解当前短缺压力。
长鑫存储正积极筹备进军NAND闪存制造领域，计划从单一DRAM供应商转型为全品类存储芯片巨头。此举旨在利用其在先进制程方面的经验，与长江存储形成互补，并挑战三星、SK海力士等国际巨头的垄断地位。
长期供应格局重构，潜在增加NAND市场供给压力。
SK海力士计划于2027年上半年将大连工厂产能提升至5万片/月，主要生产100层级成熟NAND闪存。该扩产聚焦于成熟浮栅技术，将先进375层技术保留在清州工厂。
成熟NAND供应，价格承压下行。
SK海力士计划于2027年将大连NAND闪存产能提升50%，标志着子公司Solidigm在四年停滞后的重启投资。此举将量产200层以上3D QLC NAND以满足需求。
随着全球NAND产能预计在2027年供需平衡，此次扩产将增加供应，可能对价格造成下行压力。
慧荣科技预计NAND Flash行业产能2026年仅增长15-25%，供应紧张局面或持续至2027年。此预测基于行业资本支出与扩产节奏。
产能扩张远低于需求增长预期，支撑NAND Flash价格维持高位或继续上行。
日本经产省追加6315亿日元支持Rapidus，其政府总支持额达约2.4万亿日元，同时该公司后端原型线和先进封装研发中心启动运营。富士通与IBM日本分别获得AI芯片研发补贴，并计划将2nm/1.4nm芯片制造外包给Rapidus。
长期看增加先进制程供应来源，但为远期产能规划，对当前现货市场无直接影响。
台积电3nm等先进制程产能已接近极限，优先供应英伟达、AMD等云端AI大厂及苹果等长期客户。高阶网络通信及其他边缘应用芯片产能因此更为吃紧。
核心产能瓶颈明确，将加剧非优先客户间的订单争夺，推高晶圆代工价格并延长交期。
IESA预测印度芯片产能到2026年底或2027年初将达每天7500万至8000万单位。美光、塔塔电子等OSAT项目将逐步投产。
供应增加将缓解短缺并可能压低价格。
已经到底了
爆款新品里，到底装了谁的芯片？拆开，一颗一颗给你看。
全部拆解| Analog | $0.68 | −5.9% |
|---|---|---|
| 连接器 | $0.75 | +0.2% |
| CPU | $386.74 | −21.3% |
| DDR4 | $88.40 | −0.2% |
| DDR52026-W13 | $14.89 | −11.2% |
| GPU | $478.20 | +8.2% |
| MCU | $0.68 | −61.7%异常波动 |
| MLCC | $0.01 | +54.0%异常波动 |
| MOSFET | $0.12 | −82.8%异常波动 |
| PMIC2026-W13 | $0.44 | −12.5% |
| SSD/HDD | $288.43 | 暂无 |