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SK海力士计划于2027年上半年将大连工厂产能提升至5万片/月，主要生产100层级成熟NAND闪存。该扩产聚焦于成熟浮栅技术，将先进375层技术保留在清州工厂。利空成熟NAND供应，价格承压下行。
SK海力士计划于2027年上半年将大连工厂产能提升至5万片/月，主要生产100层级成熟NAND闪存。该扩产聚焦于成熟浮栅技术，将先进375层技术保留在清州工厂。利空成熟NAND供应，价格承压下行。
NAND FlashSK HynixSolidigmSK海力士计划于2027年将大连NAND闪存产能提升50%，标志着子公司Solidigm在四年停滞后的重启投资。此举将量产200层以上3D QLC NAND以满足需求。利空。随着全球NAND产能预计在2027年供需平衡，此次扩产将增加供应，可能对价格造成下行压力。
SK海力士计划于2027年将大连NAND闪存产能提升50%，标志着子公司Solidigm在四年停滞后的重启投资。此举将量产200层以上3D QLC NAND以满足需求。利空。随着全球NAND产能预计在2027年供需平衡，此次扩产将增加供应，可能对价格造成下行压力。
NAND FlashSK hynixSolidigm台积电3nm等先进制程产能已接近极限，优先供应英伟达、AMD等云端AI大厂及苹果等长期客户。高阶网络通信及其他边缘应用芯片产能因此更为吃紧。利多：核心产能瓶颈明确，将加剧非优先客户间的订单争夺，推高晶圆代工价格并延长交期。
台积电3nm等先进制程产能已接近极限，优先供应英伟达、AMD等云端AI大厂及苹果等长期客户。高阶网络通信及其他边缘应用芯片产能因此更为吃紧。利多：核心产能瓶颈明确，将加剧非优先客户间的订单争夺，推高晶圆代工价格并延长交期。
3nmAdvanced NodeTSMCNVIDIAIESA预测印度芯片产能到2026年底或2027年初将达每天7500万至8000万单位。美光、塔塔电子等OSAT项目将逐步投产。利空。供应增加将缓解短缺并可能压低价格。
IESA预测印度芯片产能到2026年底或2027年初将达每天7500万至8000万单位。美光、塔塔电子等OSAT项目将逐步投产。利空。供应增加将缓解短缺并可能压低价格。
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