JSR台厂2028量产EUV光刻胶
JSR与台厂合资在云林建厂,预计2028年量产EUV光刻胶。为补齐供应链缺口并配合TSMC 2nm以下制程需求,JSR成为最后一家在台设厂的日本大厂。
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此产能扩张将缓解EUV材料供应瓶颈,但需观察2028年量产进度及竞争格局变化。
- 相关厂商
- JSR、TSMC、Wah Lee Industrial、LCY Chemical
- 影响评分
- 60 / 100,中等影响
JSR与台厂合资在云林建厂,预计2028年量产EUV光刻胶。为补齐供应链缺口并配合TSMC 2nm以下制程需求,JSR成为最后一家在台设厂的日本大厂。
此产能扩张将缓解EUV材料供应瓶颈,但需观察2028年量产进度及竞争格局变化。
三星计划将华城Line 12工厂(月产能8-10万片12英寸晶圆)从2D NAND产线改造为用于HBM4的1c DRAM产线。此举旨在将老旧产能转向满足AI驱动的高带宽内存需求。
此举将永久削减2D NAND供应,同时增加HBM4/DRAM产能,对2D NAND价格构成支撑,并缓解HBM供应紧张。
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