LG Innotek定下2031年6.47亿美元封装利润目标。受5G、高端智能手机及AI趋势驱动，公司正拓展高附加值半导体基板业务。利多，预示半导体基板需求前景强劲。

SEMI预计2026年全球300mm存储设备投资将首次突破500亿美元。受AI对高带宽内存（HBM）和DDR5需求激增的推动。利多存储芯片价格及未来供应紧张预期。

三星电子计划投入265.5万亿韩元，重点在光州地区扩建存储产能。资金将分配给现有集群及光州新厂建设，旨在提升内存供应能力。利空：大规模扩产将加剧市场供需失衡，导致存储芯片价格承压下行。

Nexchip拟在港集资8.9亿美元，用于合肥5.1亿美元40/28nm晶圆厂建设。公司去年营收15.8亿美元，利润率32%，但预计今年因新厂折旧导致利润下滑。利空。新产能投放叠加折旧压力，加剧供应过剩风险，压制现货价格。

三星与SK海力士计划在韩国西南部各建两座存储晶圆厂，总投资约800万亿韩元。此举旨在建立国家半导体生产基地。利空。大规模扩产将加剧未来存储芯片供需失衡，压制价格。

三星集团会长李在镕宣布将光州作为芯片生产基地，并计划在忠清建设HBM工厂。此举旨在强化三星在先进存储器领域的产能布局，应对AI算力需求增长。利空：新增产能将缓解HBM供应紧张局面，长期可能对现货价格形成压制。

SK海力士计划2027年2月完工首座三明治式Fab。此举旨在打破传统平面布局以抢占产能先机。利空，预示未来产能过剩风险加剧。

SK海力士批准发行新股筹资45.45万亿韩元，用于半导体设施投资。该资金将重点投入AI内存产能扩张，以应对日益增长的市场需求。利多。此举表明公司对AI存储需求前景看好，将推动股价及产能布局。

英特尔将先进封装分拆为独立业务，聘请SK海力士前CEO掌管，EMIB-T技术今年量产。此举旨在应对TSMC CoWoS产能长期紧缺，并整合HBM与逻辑芯片。关注：先进封装产能结构性调整，英特尔目标封装营收超10亿美元。

SK海力士去年新增员工2159人，员工总数达34549人。受全球人工智能热潮推动，存储芯片需求激增，在韩国就业市场放缓背景下尤为引人注目。利多，表明存储芯片需求强劲，未来供应可能趋紧。

美光聘请Bechtel承建纽约首两座晶圆厂，预计2030年及2033年投产。该项目投资约500亿美元，旨在通过标准化EPC流程缩短量产周期。利空，Micron补贴驱动的成本结构将增强定价权，对DRAM现货价形成下行压力。

SK海力士计划五年内将内存产能翻倍以缓解供需失衡，并确保为英伟达Vera Rubin系统供货。黄仁勋证实新款Vera CPU将采用SK海力士DRAM，双方深化战略合作。关注：长期产能扩张计划虽预示强劲需求，但也存在未来供过于求的风险。

英伟达CEO黄仁勋确认三星、SK海力士及美光三家厂商已获HBM4供应资格。此举表明HBM4供应链建设已进入实质阶段，英伟达正积极调配资源以保障AI芯片产能。利多HBM供应商产能利用率，预计HBM4相关产品需求将保持强劲。

大摩指出亚洲正经历由AI基建等驱动的20年最强投资超级周期，并预计大陆存储产能将加速扩张。全球宏观经济呈现AI投资热与消费冷的K型分化，美联储今年预计不降息。关注：AI硬件需求强劲构成利多，但大陆存储产能加速扩张可能引发供应端压力，需密切跟踪供需博弈。

SK海力士宣布计划在未来五年内将整体产能扩大一倍，以应对英伟达等AI需求激增引发的全球存储芯片短缺。该扩产计划将与台积电（TSMC）等台湾供应链建立更深入的战略联盟。关注：长期产能扩张或缓解供应紧张，但短期内存储缺货现状依然稳固，建议采购端持续锁定长单。

铠侠计划2026至2028财年平均每年资本支出达4700亿日元，较2025财年大增66%，并考虑建设第三座北上山工厂。尽管当前产能利用率仅约50%，但受AI推理NAND需求86%复合年增长率驱动，公司预计供需紧张将持续至2027年。利多NAND Flash价格走势，供应链中短期内将维持紧缩状态。

SK海力士宣布计划在五年内将晶圆产能翻倍。会长崔泰源指出存储芯片产能瓶颈预计将持续至2030年。关注：短期产能受限支撑现价，但远期产能翻倍计划将重塑供需格局。

SK集团董事长预计存储芯片供需紧张将持续至2030年，并计划在未来五年内将晶圆总产能翻倍。此举旨在应对激增的AI需求，并深化与台积电及英伟达在HBM4E等下一代产品上的合作。利多短期至中期的存储芯片价格，但需关注远期产能翻倍带来的供应格局变化。

美光宣布在弗吉尼亚州扩大制造产能，推进其美国制造内存战略。此举主要受美国《芯片法案》激励政策驱动。利空。产能扩张将增加未来供应，预计对现货价格形成下行压力。

美光在弗吉尼亚工厂开始量产1-alpha DRAM。这是美国最先进的内存技术，也是扩大国内半导体制造的关键里程碑。利空：产能扩张将增加未来供应，压制价格。