长鑫存储拟建第六座DRAM厂,产能将翻倍
长鑫存储计划在北京建设第六座DRAM厂,产能将翻倍至60万片/月。该扩张计划依赖政府资金支持,旨在2030年夺取30%市场份额,但受限于先进制程设备获取。
利空
产能大幅扩张将加剧DRAM市场供应过剩,压制价格。
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- CXMT、Micron、Samsung Electronics
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长鑫存储计划在北京建设第六座DRAM厂,产能将翻倍至60万片/月。该扩张计划依赖政府资金支持,旨在2030年夺取30%市场份额,但受限于先进制程设备获取。
产能大幅扩张将加剧DRAM市场供应过剩,压制价格。
新川电子完成近亿元pre-IPO轮融资,由杭州城投、联想投资等机构参投。资金将用于MLCC用60-80nm镍粉、光伏铜粉等产品的研发与生产线扩张。
此举预示上游关键材料未来供应增加,可能缓解特定被动元件的长期供应约束。
已经到底了