CXMT 4F²架构提速，DRAM份额升至9.5%
CXMT公布4F² DRAM架构计划，目标2026年底量产DDR5 RDIMM，且二季度全球DRAM份额升至9.5%。该架构较传统6F²缩小33%面积，使CXMT在技术路线上领先SK海力士和三星约两年。
利空
全球DRAM价格，因竞争加剧及潜在产能扩张。
- 相关厂商
- CXMT (ChangXin Memory Technologies)、SK hynix、Samsung
- 影响评分
- 65 / 100，中等影响
CXMT公布4F² DRAM架构计划，目标2026年底量产DDR5 RDIMM，且二季度全球DRAM份额升至9.5%。该架构较传统6F²缩小33%面积，使CXMT在技术路线上领先SK海力士和三星约两年。
全球DRAM价格，因竞争加剧及潜在产能扩张。
长江存储计划2026年底试产DRAM，月产能2.5万片；长鑫存储拟2028-2029年量产NAND。受AI算力需求驱动，两家公司打破原有分工，争夺全品类市场份额。
双方产能扩张将加剧市场竞争，长期可能对现有存储价格构成下行压力。
深科技拟投18.5亿元建设2.5D/3DS先进封装产能，新厂计划2028年建成。受益于AI算力需求推动的先进封装短缺，公司近一年累计扩产约40.6亿元。
尽管面临12年回本期及债务压力，但切入AI高景气封装赛道有望提升估值。
南亚科宣布2026-2029年投入高达3466亿新台币扩建Fab 5A，并上调2026年资本支出34%。该项目将采用EUV技术生产10nm级DRAM，且长协订单已覆盖50%产能。
大规模扩产将增加未来供应，对DRAM价格构成压力。
长鑫存储将40%产能转产LPDDR4X，以填补三星计划退出该市场留下的缺口。此举发生在存储成本飙升、供应趋紧的背景下，其剩余60%产能仍专注于DDR5/LPDDR5。
成熟制程产能被挤占，可能加剧先进节点供应紧张，并在高需求下支撑LPDDR4X价格。
已经到底了