布局物理 AI：美光研发边缘推理内存 EIM，降低数据处理延迟并提高带宽
美光正在推进面向物理 AI 的专用存储芯片——边缘推理内存（EIM）的研发，旨在降低数据处理延迟并提高带宽。该芯片架构是在逻辑芯片之上垂直堆叠低功耗内存（LPDDR），美光正在推进将其集成至 LPDDR6 方案的技术研发。业内预计量产时间在 2028 年下半年。美光表示将与机器人制造商、芯片方案商及超大规模云服务商深度协同合作。
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美光正在推进面向物理 AI 的专用存储芯片——边缘推理内存（EIM）的研发，旨在降低数据处理延迟并提高带宽。该芯片架构是在逻辑芯片之上垂直堆叠低功耗内存（LPDDR），美光正在推进将其集成至 LPDDR6 方案的技术研发。业内预计量产时间在 2028 年下半年。美光表示将与机器人制造商、芯片方案商及超大规模云服务商深度协同合作。
CXMT公布4F² DRAM架构计划，目标2026年底量产DDR5 RDIMM，且二季度全球DRAM份额升至9.5%。该架构较传统6F²缩小33%面积，使CXMT在技术路线上领先SK海力士和三星约两年。
全球DRAM价格，因竞争加剧及潜在产能扩张。
三星泰勒晶圆厂就绪度达90%，计划2026下半年量产特斯拉AI5/AI6芯片。三星2nm良率约55%，落后于台积电的80-90%，是主要风险。
特斯拉AI6/6.5将采用LPDDR6，提振三星及SK海力士需求；利空：良率差距可能限制供应；关注：泰勒厂量产爬坡进度。
YMTC第三座武汉工厂预计2026年底投产，国产设备占比超50%，并计划再建两座同等规模工厂。此举将使YMTC的3D NAND产能翻倍，旨在利用其晶圆键合优势。
产能扩张将加剧供应过剩，可能对价格构成下行压力。
长江存储计划新建三座晶圆厂，目标将其总月产能从20万片提升至40万片，首座新厂预计今年投产。此次扩张在美国实体清单限制后高度依赖本土设备，并战略性地推进DRAM生产。
NAND产能大幅扩张及潜在的DRAM市场进入，将对全球存储芯片价格构成长期供应压力。
SK海力士因英伟达Rubin平台延迟，计划将2026年HBM4出货量削减20-30%，需求转向HBM3E。三星电子目标在2026下半年将HBM4用1c DRAM良率从不足60%提升至80%，以应对高成本压力。
HBM3E需求；利空：HBM4短期供应；关注：HBM4良率爬坡与Rubin验证进度。
SK海力士计划将今年供应给英伟达的HBM4出货量削减20%至30%，据信与英伟达Vera Rubin平台量产困难有关。SK海力士将提高HBM3E或服务器级LPDDR的出货量以弥补，内存总需求未减。
HBM4需求减弱与HBM3E/LPDDR需求增强并存，对细分产品价格与分配构成不确定性。
QRT将于5月安装第二套TEM系统，分析产能翻倍，目标今年分析收入超300亿韩元。需求激增源于蚀刻等前端设备商需验证纳米级工艺规格，而IDM已减少对外支持。
显示先进制程分析需求持续强劲，但对元件价格及供应无直接影响。
华为正加速昇腾AI芯片生产，TSMC据报持续进行晶圆库生产，但HBM被确认为2025年的关键瓶颈。这凸显了在美国出口管制下，中国对计算主权的追求，涉及CXMT、中芯国际等本土企业。
HBM供应紧张与华为芯片产能爬坡的博弈。
已经到底了
爆款新品里，到底装了谁的芯片？拆开，一颗一颗给你看。
全部拆解| Analog | $0.68 | −5.9% |
|---|---|---|
| 连接器 | $0.75 | +0.2% |
| CPU | $386.74 | −21.3% |
| DDR4 | $88.40 | −0.2% |
| DDR52026-W13 | $14.89 | −11.2% |
| GPU | $478.20 | +8.2% |
| MCU | $0.68 | −61.7%异常波动 |
| MLCC | $0.01 | +54.0%异常波动 |
| MOSFET | $0.12 | −82.8%异常波动 |
| PMIC2026-W13 | $0.44 | −12.5% |
| SSD/HDD | $288.43 | 暂无 |