90英特尔EMIB良率突破90%，挑战台积电CoWoS
广发证券分析师蒲得宇指出，英特尔 EMIB 技术良率已突破 90%，与 FCBGA 相当。该技术通过 EMIB-T 版本支持高密度互连，计划在 2028 年扩展至容纳超过 24 个 HBM 裸片。利多英特尔封装产能，关注台积电 CoWoS 市场份额竞争格局变化。
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广发证券分析师蒲得宇指出，英特尔 EMIB 技术良率已突破 90%，与 FCBGA 相当。该技术通过 EMIB-T 版本支持高密度互连，计划在 2028 年扩展至容纳超过 24 个 HBM 裸片。利多英特尔封装产能，关注台积电 CoWoS 市场份额竞争格局变化。
SK海力士于4月22日动工建设P&T7先进封装测试工厂，总投资19万亿韩元，计划分阶段于2028年完工。该工厂专注于AI内存（包括HBM）生产，旨在巩固其市场领导地位。中性：此为长期产能扩张计划，旨在应对未来AI需求增长，对当前现货供应及价格无直接影响。
SK海力士在清州举行P&T7先进封装工厂奠基仪式，投资额达数万亿韩元。该工厂专用于生产HBM等AI内存产品，WT产线预计2027年10月完工，WLP产线预计2028年2月完工。中性：此为长期产能扩张计划，利好远期HBM供应，但对当前交易无直接影响。
SK海力士计划投资19万亿韩元建设新工厂，先进封装产线将于四月开工。此次投资旨在扩大产能，特别是针对先进封装领域，以应对AI算力需求。利空，新产能释放将增加市场供应，短期可能对HBM及先进封装价格造成压力。
SK海力士动工建设价值19万亿韩元的P&T7先进封装厂，目标2028年启动晶圆级封装产线。此举旨在扩大HBM及AI内存封装产能，以应对市场需求。中性：长期产能扩张满足远期需求，对当前现货供应及价格无直接影响。
SK海力士在印第安纳州破土动工首座美国先进封装厂，计划2028年下半年量产HBM4E和HBM5。公司同步推进国内清州P&T7厂扩建及DRAM产线升级，并安装20台ASML EUV光刻机。利空：新增产能将加剧HBM及DRAM市场供应压力，现货价格承压下行。
日月光启动六座新厂建设，三星计划投资40亿美元在越南建封测厂，Amkor亦在越南加速扩产。本轮扩产旨在应对AI、HPC及数据中心驱动的芯片需求增长。利空：三大封测巨头同步大规模扩产，预示未来封装产能将显著增加，可能缓解供应紧张并压制相关服务价格。
三星电子将HBM开发周期从2年大幅缩短至1年，以匹配英伟达等客户每年推出新AI加速器的节奏。此次战略调整旨在确保下一代HBM4的供应，并巩固其在与美光、SK海力士竞争中的技术优势。关注 - 加速迭代虽有助于缓解供应紧张，但也存在产能释放过快导致供过于求的风险。
YC Chem投资138亿韩元扩建HBM材料产线，Q4量产胶水清洁剂和剥离剂。随着HBM需求上升及客户订单锁定，公司需通过专用产线解决产能瓶颈。利空，产能扩张将增加HBM后段封装材料供应，缓解供应紧张。
内存制造商将晶圆产能从LPDDR4转向AI负载的HBM，导致LPDDR4供应趋紧。产能再分配推高了成本并减缓了高端蜂窝物联网模块的增长。利多：LPDDR4供应受限，成本上升压力将传导至现货市场。
YMTC第三座武汉工厂预计2026年底投产，国产设备占比超50%，并计划再建两座同等规模工厂。此举将使YMTC的3D NAND产能翻倍，旨在利用其晶圆键合优势。利空：产能扩张将加剧供应过剩，可能对价格构成下行压力。
ASML计划2026年出货超60台EUV光刻机，较2025年增长25%，其中51%用于内存生产。此扩张由SK海力士和三星等内存制造商对HBM及DDR技术的强劲需求驱动，以满足全球AI数据中心需求。利多：EUV产能扩张印证先进内存需求持续强劲，对HBM/DDR等组件价格构成支撑。
SK海力士因英伟达Rubin平台延迟，计划将2026年HBM4出货量削减20-30%，需求转向HBM3E。三星电子目标在2026下半年将HBM4用1c DRAM良率从不足60%提升至80%，以应对高成本压力。利多：HBM3E需求；利空：HBM4短期供应；关注：HBM4良率爬坡与Rubin验证进度。
英伟达Rubin GPU 2026年量产目标从200万颗下调至150万颗，主因HBM4验证延迟。延迟源于2025年第三季HBM4规格上调，导致三大供应商需重新设计送样。关注：关键新品量产节奏生变，但英伟达整体CoWoS产能规划仍具优势。
三星电子为平泽P5工厂PH1阶段订购70余台光刻机，其中约20台为ASML EUV系统，目标2027年投产1c nm制程DRAM与HBM。此举为三星在先进内存领域的重大产能扩张计划。利空：该长期产能扩张计划虽非即时生效，但预示未来DRAM/HBM供应将增加，对远期价格构成潜在压力。
华为昇腾AI芯片因阿里、字节、腾讯等大厂大规模下单，价格已上涨约20%。公司计划2026年将昇腾910C产量翻倍至60万颗，并将昇腾芯片总产能提升至160万颗。利多：国内需求激增及确认的芯片涨价，表明华为AI芯片供应趋紧，市场拉力强劲。
三星电子宣布进军硅光子代工领域，计划从PIC扩展至CPO，调制器速率达224Gbps/通道。此举旨在解决AI数据中心数据传输瓶颈，并瞄准Coherent和Lumentum等客户。利空：新产能入局将加剧硅光子市场竞争，挤压现有代工厂商份额。
三星西安工厂已完成向236层NAND闪存的工艺升级，仅落后其韩国最新产线一代。SK海力士亦在华加速NAND升级，因两家公司将DRAM/HBM产能优先部署在韩国本土。利空：中国工厂先进NAND产能提升，可能对全球NAND现货价格构成下行压力。
埃隆·马斯克宣布建设史上最大芯片制造项目'Terafab'，以应对AI芯片供应紧张。该计划源于AI需求激增导致行业产能承压。关注：若执行，此大规模扩产将长期改变AI加速器、HBM及先进封装供应格局，短期交易影响不明。
三星电子计划今年将HBM产能提高至去年的三倍以上，出货量预计超过100 Gb，主要受英伟达、博通和AMD等客户强劲需求驱动。利空，大规模产能扩张通常会增加供应，从而对HBM价格构成下行压力。