JKM耗资750亿韩元在世宗市建成新厂，全面生产半导体光刻材料及HBM封装用PSPI、PBO等。利空 - 新产能投放可能加剧光刻材料供应过剩压力。

Samyang NC Chem计划今年量产HBM后端封装用光刻胶材料，供应三星、SK海力士及美光。该材料用于TSV工艺及凸块结构，公司同时开发玻璃基板光刻胶，预计明年量产。利空：HBM封装材料产能扩张，缓解供应紧张。

OpenAI与甲骨文放弃德州数据中心扩建计划，媒体称Meta或接手，英伟达介入。此举源于项目评估与战略调整，可能涉及AI算力需求的结构性迁移。关注：数据中心资本开支的重新分配可能对上游芯片（GPU/HBM）的短期订单流产生影响。

亚洲主要厂商2026年资本支出预计达1360亿美元，台积电和SK海力士增幅显著。台积电聚焦先进制程，三星和SK海力士重点投入HBM及DRAM扩产。利空。扩产计划预示供应增加，可能缓解HBM及先进制程的短缺压力。

SK海力士董事会批准追加21.6万亿韩元投资，以在2030年前完成龙仁第一工厂建设，并将首间无尘室投产时间提前至2027年2月。此举是三大存储巨头为满足AI/HBM需求而展开的新一轮资本开支竞赛。利空：大规模产能扩张虽为长期计划，但预示未来供应增加，若需求增长不及预期，将对内存价格构成下行压力。

2026年亚洲主要半导体厂商资本支出预计突破1360亿美元，同比增长25%，由AI芯片与HBM内存需求驱动。台积电、三星电子和SK海力士位居支出规模前列。利多：明确的资本开支扩张计划，预示对先进制程和存储的长期需求强劲，支撑相关设备与材料供应链。

TrendForce数据显示，亚洲主要芯片厂商2026年资本支出预计超1360亿美元，同比增长25%，其中台积电支出达520-560亿美元，70-80%用于先进制程。三星、SK海力士及铠侠联盟亦大幅扩产，重点投向HBM及先进产能。利空：此轮大规模资本支出潮，尤其是HBM与先进逻辑制程的产能扩张，预示未来供应将显著增加，对2026-2027年芯片价格构成潜在下行压力。

SK海力士追加150亿美元投资，加速龙仁晶圆厂建设，目标2027年2月投产以扩大HBM4及高端DRAM产能。此举基于其2026年HBM与高端DRAM产能已全部售罄，且HBM市占率近60%的主导地位。利多：大规模扩产计划锁定远期高端存储供应，强化AI需求驱动的卖方市场格局。

TrendForce预计2026年亚洲主要半导体厂商资本支出将达1360亿美元，同比增长25%，台积电（560亿美元）、三星与SK海力士领投，重点投向先进制程与HBM产能。本轮扩张由AI芯片与HBM需求持续升温驱动，二线内存厂商华邦电子与南亚科技亦大幅上调资本预算。利多：巨额资本开支锁定未来高端芯片与内存供应，利好设备与材料链订单，但需关注后续产能集中释放的过剩风险。

三星电子计划于2028年启动平泽P5工厂运营，专注于生产用于AI服务器的高带宽内存和先进DRAM。此举是其扩大AI芯片制造版图的一部分，德州晶圆厂也在同步扩产。利空：关键AI内存组件长期产能扩张，增加未来供应潜力，可能缓解长期价格压力。

台积电2026年资本支出预计达520-560亿美元创纪录，三星与SK海力士大幅提升HBM产能，亚洲主要芯片制造商2026年总资本支出计划超1360亿美元，同比增长25%。支出激增由AI芯片需求驱动，重点投向先进制程、先进封装及HBM/NAND产能。利空：晶圆代工与存储芯片领域同步激进扩产，预示未来供应大幅增加，对中长期价格构成下行压力。

美光印度萨纳德封测厂全面投产后，预计将占其全球总产量的10%，2027年芯片产量将达数亿颗。该27.5亿美元项目获得印度中央及地方政府70%的补贴支持。利空：该先进封装产能的实质性落地，特别是针对AI内存及DDR5，将增加全球存储芯片的供应压力。

三星电子与SK海力士因HBM及DRAM需求激增，正启动大规模半导体人才招聘。此举源于行业进入超级周期并报告创纪录收益。利多：扩招印证需求持续强劲，预示供应端维持紧张，支撑价格上行预期。

三星将于3月永久关停华城12号产线（月产能8-10万片），并将其改造为1c DRAM后段制程产线。此举旨在将传统平面NAND产能转向先进制程，以提升用于HBM4及服务器的1c DRAM产量。关注：传统NAND供应减少被中国工厂增产抵消，1c DRAM产能提升或缓解HBM生产瓶颈。

三星电子将于3月正式停产2D NAND闪存，并将华城12号产线（月产能8-10万片晶圆）改造用于生产1c DRAM及下一代HBM4。此举顺应了3D NAND全面取代平面NAND的技术趋势，并瞄准AI算力对高带宽存储的爆发性需求。利多：削减低端NAND供给，同时增加先进DRAM/HBM产能，可能加剧存储市场结构性紧张。

三星与SK海力士将HBM产线洁净室建设提速超6个月，目标量产时间提前至2027年末至2028年初；美光则以约20亿美元收购力积电P5厂，利用现有洁净室加速扩产。此举源于NVIDIA等大厂对HBM的强劲需求及激进产品路线图。关注：巨头竞相扩产预示长期需求强劲，但加速的供应增量可能影响中期价格走势。

三星计划将华城Line 12工厂（月产能8-10万片12英寸晶圆）从2D NAND产线改造为用于HBM4的1c DRAM产线。此举旨在将老旧产能转向满足AI驱动的高带宽内存需求。利多：此举将永久削减2D NAND供应，同时增加HBM4/DRAM产能，对2D NAND价格构成支撑，并缓解HBM供应紧张。

SK海力士宣布对龙仁工厂一期追加21.6万亿韩元投资，总投资额达31万亿韩元，以扩建HBM产能应对AI需求。洁净室开放时间从明年5月提前至2月，投产计划提速。利空：大规模产能扩张计划虽印证需求强劲，但将增加远期供应，可能削弱长期定价能力。

SK海力士宣布投资约150亿美元在韩国龙仁建设新设施，以提前扩大产能。此举旨在应对AI服务器对HBM及先进DRAM的长期需求。利空：未来供给增加，对存储器价格构成中长期下行压力。