马斯克预测中国2028年DRAM供应激增，挑战三星、SK Hynix定价权
特斯拉CEO埃隆·马斯克预测，到2028年中国存储芯片产量将激增，这一言论在AI驱动的动态随机存取存储器（DRAM）短缺期间，对三星电子和SK Hynix的定价权提出质疑。他表示，中国不断扩大的产能可能为大型科技买家提供替代供应来源，并可能缓解存储器成本。此为预测性言论，并非已实现的产能变化，原文未说明原因。
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特斯拉CEO埃隆·马斯克预测，到2028年中国存储芯片产量将激增，这一言论在AI驱动的动态随机存取存储器（DRAM）短缺期间，对三星电子和SK Hynix的定价权提出质疑。他表示，中国不断扩大的产能可能为大型科技买家提供替代供应来源，并可能缓解存储器成本。此为预测性言论，并非已实现的产能变化，原文未说明原因。
SEMI最新的12英寸晶圆厂展望预测,2026年至2029年期间设备支出将实现两位数的年度增长,且该预测较上一版报告有所上调。SEMI市场情报高级总监Clark Tseng表示,涉及资金、电力和政治的外部约束正成为潜在的下行风险,并补充称这可能会防止AI驱动的扩张过热。
据快科技10月18日消息，博主硬件茶谈透露，微星和华硕工厂方面人士表示，本月和下月几乎都没有显卡货源，且微星、华硕看不到NVIDIA的芯片供给日期，RTX 5090和RTX 5080直接断货，显卡还将继续涨价。近日有消息称NVIDIA已停产RTX 5090并将GB202产能转向AI数据中心和专业GPU，随后NVIDIA确认RTX 5090未停产但承认供应受限。原文给出的核心原因是芯片产能转向AI和专业卡：GB202既是RTX 5090的核心GPU，也用于售价高达16000美元的RTX Pro系列，NVIDIA将有限产能优先供给高利润产品线，游戏卡渠道供给收紧。
在2026年开放计算项目（OCP 2026）全球峰会上，英特尔展示了硅光子技术发展蓝图，数据中心系统与解决方案公司副总裁尼克·杜贝将硅光子形容为下一代系统架构的“黄金之锤”，并称英特尔是目前唯一能够大规模量产300毫米磷化铟（InP）硅光子晶圆的高产能代工厂。原因方面，源文称传统铜线互连正日益逼近物理极限，在传输距离、封装边缘带宽密度及每比特传输能耗等方面面临瓶颈，数据中心架构需向光互连演进，能耗目标推进至低于5皮焦耳每比特。英特尔指出，当前光学收发器市场中激光芯片与磷化铟材料产能长期供不应求，其将磷化铟光源技术直接整合进300毫米硅晶圆制程以提升制造效率与产能规模；自2016年投入商用以来，已累计出货超过800万个光学收发器和3200万个集成激光器。英特尔正依托300毫米硅光子制程与集成磷化铟光源技术推动共封装光学（CPO）与近封装光学（NPO）发展。
据36氪报道，鸿富瀚公告拟投资建设“鸿锦瀚机器人精密金属组件生产基地项目”，计划投资总额为10.07亿元。资金来源为首次公开发行股票剩余超募资金及超募资金存储期间产生的利息、现金管理收益以及自有及自筹资金。该事项为投资建设计划，原文未说明项目具体建设周期或投产时间。
据ZDNet援引业内消息，三星考虑为OLED Galaxy智能手机所用显示驱动IC（DDI）增加GlobalFoundries作为第二家代工伙伴，可能结束UMC的独家代工地位；GlobalFoundries代工的DDI最早或于2027年底出现在Galaxy智能手机中，部分中低端Galaxy A系列机型或率先采用，三星据报正在评估GlobalFoundries的22nm或28nm节点，其在新加坡和德国拥有兼容制造设施。背景原因：自2025年下半年以来成熟制程需求超过供给，UMC无法承接额外订单；据ZDNet，三星在7月发布Galaxy Z Fold8后因需求超预期要求加快DDI生产，但UMC因22nm DDI产能已达上限而无法满足，三星因此将9月Galaxy Z Fold8零部件计划产量削减10%，将延后产量移至10月。另据Economic Daily News，机构投资者预计UMC 12英寸产能利用率到2026年底达93%，受三星System LSI与联咏22/28nm DDI订单及55/65nm Apple Mac相关芯片需求支撑；TrendForce称部分产能受限的12英寸成熟制程节点2026年第二至第三季度出现5–10%涨价迹象，2027年预计更大范围涨价。以上均为报道/评估或预期，非已确定事项。
据IT之家10月15日援引路透社今日报道，SK海力士正计划以在美国新建NAND工厂的方式，向美国政府换取为中国大连工厂引进更多美国制造半导体设备的许可。两名知情人士称，SK海力士希望通过提升中国工厂产能为美国新工厂提供资金，并逐步扩大美国生产布局。SK海力士旗下美国子公司Solidigm希望在大连工厂尚未充分利用的厂房区域（厂区名Mod B，2023年建成，因当时存储市场低迷设备安装未完成）安装更多设备用于生产NAND闪存；该区域目前已安装部分设备，仍有空间容纳更多生产工具，Solidigm已申请出口许可证采购额外设备。SK海力士表示Mod B的设备安装正与美国政府密切协商并在获得授权的情况下进行，同时强调目前并未寻求扩大大连Mod B的产能；Solidigm拒绝置评。路透社9月曾报道Solidigm考虑在美国建设NAND闪存工厂，纽约州北部为主要候选地点之一；另一名知情人士称Solidigm正考虑最早于2027年进行IPO以筹集可能用于新工厂建设的资金。报道还提及美国政府正推动SK海力士、三星电子等海外半导体企业赴美建厂；人工智能和云计算数据中心需求增长、全球存储芯片供应趋紧、NAND闪存价格持续上涨，促使相关厂商考虑扩大生产。此外，SK海力士还在与英特尔洽谈租用其俄亥俄州半导体制造设施的部分空间，并已在印第安纳州启动一座主要面向HBM产品的先进封装工厂建设。大连工厂设备来自泛林集团（Lam Research）、应用材料（Applied Materials）和科磊（KLA）等美国厂商。
据消息人士透露，马斯克旗下芯片项目Terafab可能在明年年中迎来其首台EUV光刻设备。研究机构SemiAnalysis此前预计Terafab建筑将在15个月内竣工，并需要六个月的时间来安装设备和生产设施。此外，Terafab最初的芯片预计仍将使用传统芯片设备，以配合英特尔的14A工艺。上述时间与设备安排均为消息人士透露及第三方机构的预计，项目尚处计划阶段，原文未说明原因。
据报道，SK海力士正寻求与华盛顿达成特殊安排，希望获得美国批准，向中国工厂出口更多美国制造的半导体设备，并将该许可作为推进美国新晶圆厂计划的重要前提；此安排尚需美国批准，尚未获批。SK海力士旗下美国子公司Solidigm正申请新的出口许可，希望将更多美国半导体设备运往位于中国大连的NAND闪存生产基地，该厂主要生产用于数据中心固态硬盘、应用于人工智能和云计算基础设施的NAND产品，现有设备来自泛林集团、应用材料和科磊等美国供应商。大连厂区“Mod B”生产区域早在2023年已建成，但因当时存储市场低迷部分设备未完成安装，仍有扩产空余空间；SK海力士强调目前并未寻求扩大Mod B的设计产能，而是在既有设施范围内完善设备配置，设备安装正在与美国政府协商并获授权情况下进行。知情人士称，增加大连产出可为未来美国工厂提供更稳定资金来源并在美国新产能投产前承担过渡性供应；新建NAND晶圆厂需数年时间和数十亿美元投资，路透社此前报道Solidigm正评估在美国兴建新NAND工厂，纽约州北部为潜在选址之一。Solidigm还在研究最早于明年启动IPO的可能性，募集资金有望支持美国新厂建设。TechInsights分析师Walt Coon表示，随着AI数据中心需求激增、供应趋紧，NAND价格自2023年中期以来已上涨约七倍，未来几年供需紧张预计持续。原文未说明大连扩产申请以外事件的直接原因；公司层面原因是全球存储芯片供应趋紧和价格上涨背景下利用大连未完全开发的生产空间。
台湾《经济日报》引述业界消息称，苹果、英伟达、AMD和高通等客户近期追加预订台积电2纳米家族产能，订单规模增加约10%至20%，报道据此估计台积电2026年底2纳米月产能可能升至12万片，高于此前市场预估的9万至10万片。此前市场对台积电2027年2纳米月产能的预测区间约为11万至14万片；若年底12万片的估算成真，意味着可能比原先预期更早触及该区间低端，但不能据此推断14万片上限也会提前实现。上述数字来自媒体引述的业界估算和匿名消息，并非台积电正式公布的产能承诺，月产能为名义生产能力，不等同于实际晶圆出货量或可用芯片数量。台积电官方资料确认N2制程已于2025年第四季度按计划进入量产，采用第一代纳米片晶体管技术，衍生工艺N2P计划于2026年下半年量产；公司尚未在官网披露N2月产能达到12万片的消息。台积电今年北美技术论坛据报提到2026年将有五座N2厂进入产能爬坡阶段（新竹两座、高雄三座），N2首年晶圆产出预计较N3首年高45%，2026至2028年N2产能年复合增长率目标约70%。需求增长与人工智能及高性能计算芯片扩张有关；美国银行分析师另估台积电2纳米制程营收占比可能从第二季度约3%上升至第三季度11%，同样为分析师预测而非公司实际结果。爬坡过程仍受制于设备安装、工艺良率和客户产品设计周期。
三星电子已从韩国派遣先进工艺良率工程师至其得克萨斯州泰勒工厂，为计划于2027年开始的2纳米芯片量产做准备。南韩财经新闻于10月12日报道，引用业内人士消息。
格芯（GlobalFoundries）公布FDX Fusion全耗尽绝缘体上硅（FD-SOI）工艺路线图，第一代目标达到"7纳米级数字性能"（指数字逻辑性能等级，并非恢复2018年暂停的7纳米FinFET制程，也不等同于其他晶圆厂的7纳米节点或晶体管密度），面向机器人、汽车、工业自动化等物理AI设备。按公司路线图，演示芯片预计2027年初交由客户评估，首版工艺设计套件计划2027年年中提供，量产目标为2028年，地点为德国德累斯顿工厂。公司公布的指标包括射频器件ft/fmax最高0.5太赫兹（射频器件指标，非处理器运行频率），以及相较第一代FDX工艺密度提升超过两倍，但尚未公布足够详细设计数据供外部独立验证，也已与部分客户开展早期评估但未公布具体产品或量产客户订单。格芯同时说明，德累斯顿FDX Fusion项目的开发启动仍取决于德国联邦政府是否批准IPCEI先进半导体技术项目，路线图存在政策审批条件。此外，格芯在德累斯顿推进11亿欧元的SPRINT扩产计划，目标到2028年底将该厂年产能提高至超过100万片300毫米晶圆，该扩张覆盖工厂整体业务，并非全部用于FDX Fusion。原文未说明原因之外的事件动因，属计划性质，尚未实现量产。
2026年10月13日报道， Vital Technology Group 的子公司 Vital Core Optoelectronic Technology (Wuhan) Co., Ltd. 在武汉东湖自由贸易区于9月28日正式投产其晶圆制造厂（fab），该厂是其CNY 12亿高端复合半导体材料和芯片产业化基地的制造核心，配备支持4/6英寸InP和6/8英寸GaAs的大面积光电芯片平台。此外，本月公司与Smarter Microelectronics签署战略合作协议，并与子公司联合获得海外客户的下一代单波长400G光互连预研订单。
据快科技10月13日报道，内蒙古乌兰察布正成为中国AI算力建设热点：今年8月密集签下12个智算相关项目，据不完全统计可确认的计划投资额超过1300亿元，五个披露规模的智算中心规划电力容量合计6.3GW；8月下旬世纪互联、秦淮数据、中联云港、普洛斯、华一云联在集宁区集中签约，分别规划2GW、1GW、1.5GW、1.3GW和0.5GW智算中心；同月远景星河基地投入运营，园区规划容量2GW；万国数据计划未来五年在当地投资超过300亿元。据新华每日电讯报道，10月12日察哈尔高新区在建算力项目22个、建设工人近3万人。据知情人士称，DeepSeek计划在当地建设一座GW级数据中心，部署至少16万颗华为昇腾950DT芯片，按媒体披露的最新报价测算，仅这批芯片的名义采购金额就超过400亿元，尚未计入机房和电力等配套设施；该公司4月还发布过当地数据中心高级运维工程师招聘信息，最高月薪3万元。原文说明选址原因为“电、冷、近”：当地数据中心绿电到户均价约0.35-0.38元/度，每年约10个月可利用室外低温辅助散热，且距北京高铁约两小时。文中各数据中心与芯片采购均为计划或规划状态。
Lumentum表示，用于AI数据中心光学的磷化铟（InP）激光器短缺正在延长而非缓解，其产能已被预订至2029年初，且其最大客户开始分担新建产能的资金风险。原文指出，这反映了AI网络在少数激光芯片制造商处的瓶颈，这些厂商的新增产能需要数年时间才能上线。扩产属于计划性质，原文未给出具体产能数字或日期（除'2029年初'外）。
据供应链消息，苹果已通知部分供应商削减新上市的iPhone 18 Pro和iPhone 18 Pro Max零部件产量；自9月初以来苹果对新款iPhone的出货预期趋于谨慎，10月零部件订单量较原计划削减15%至20%。原文说明的调整原因为新机市场需求不及预期：存储芯片及其他零部件价格大幅上涨，迫使苹果提高产品售价，进而抑制消费者购买意愿；此外苹果今年调整发布节奏（9月率先推出iPhone 18 Pro、iPhone 18 Pro Max及iPhone Duo，标准版iPhone 18和升级版iPhone Air计划于2027年初上市）也可能是订单减少的原因之一。文中还提到美光表示全球存储芯片供应紧张可能持续至2027年较晚时候。
格隆汇10月9日盘前要点显示：因AI业绩担忧再起，且OpenAI年化营收较之前报道预期少200亿美元，纳指跌超1%，AI板块遭重创，存储、半导体板块领跌；韩股收跌2.62%，SK海力士、三星电子均跌2.4%，韩股周五休市。另有消息称三星手机四季度最高减产30%，该消息为传闻、尚未证实，原文未说明减产原因。此外，格芯与台积电签署20亿美元硅中介层协议；台湾9月进口同比51.7%、出口同比60.9%，双双超预期。
Win 芯科扩大光电二极管与激光二极管产能以应对短缺。受 AI 数据中心需求激增及 800G/1.6T 技术演进驱动。
供应增加可能压制价格。
内存制造商计划在2027至2028年推出4GB和6GB GDDR7芯片。当前3GB GDDR7芯片因成本高昂导致RTX 5050等显卡推迟发布。
未来大容量GDDR7芯片量产对显卡成本及供应格局的影响。
马维尔与格罗方德宣布扩大合作，在佛蒙特州工厂扩产硅锗（SiGe）以支持1.6Tbps光模块。随着AI算力需求激增，铜缆传输距离受限，硅锗技术成为高速光通信的关键，英伟达等厂商已开始采用CPO技术。
该扩产计划旨在缓解AI数据中心对高速光模块的供应紧张，预计将提振SiGe及光通信板块需求。
爆款新品里，到底装了谁的芯片？拆开，一颗一颗给你看。
全部拆解| Analog | $0.68 | −5.9% |
|---|---|---|
| 连接器 | $0.75 | +0.2% |
| CPU | $386.74 | −21.3% |
| DDR4 | $88.40 | −0.2% |
| DDR52026-W13 | $14.89 | −11.2% |
| GPU | $478.20 | +8.2% |
| MCU | $0.68 | −61.7%异常波动 |
| MLCC | $0.01 | +54.0%异常波动 |
| MOSFET | $0.12 | −82.8%异常波动 |
| PMIC2026-W13 | $0.44 | −12.5% |
| SSD/HDD | $288.43 | 暂无 |