格芯公布FDX Fusion路线图:第一代目标7纳米级数字性能,德累斯顿计划2028年量产,开发启动仍待德国政府批准IPCEI项目
格芯(GlobalFoundries)公布FDX Fusion全耗尽绝缘体上硅(FD-SOI)工艺路线图,第一代目标达到"7纳米级数字性能"(指数字逻辑性能等级,并非恢复2018年暂停的7纳米FinFET制程,也不等同于其他晶圆厂的7纳米节点或晶体管密度),面向机器人、汽车、工业自动化等物理AI设备。按公司路线图,演示芯片预计2027年初交由客户评估,首版工艺设计套件计划2027年年中提供,量产目标为2028年,地点为德国德累斯顿工厂。公司公布的指标包括射频器件ft/fmax最高0.5太赫兹(射频器件指标,非处理器运行频率),以及相较第一代FDX工艺密度提升超过两倍,但尚未公布足够详细设计数据供外部独立验证,也已与部分客户开展早期评估但未公布具体产品或量产客户订单。格芯同时说明,德累斯顿FDX Fusion项目的开发启动仍取决于德国联邦政府是否批准IPCEI先进半导体技术项目,路线图存在政策审批条件。此外,格芯在德累斯顿推进11亿欧元的SPRINT扩产计划,目标到2028年底将该厂年产能提高至超过100万片300毫米晶圆,该扩张覆盖工厂整体业务,并非全部用于FDX Fusion。原文未说明原因之外的事件动因,属计划性质,尚未实现量产。
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