65Samyang NC Chem量产HBM光刻胶，2024年供货三星等
Samyang NC Chem计划今年量产HBM后端封装用光刻胶材料，供应三星、SK海力士及美光。该材料用于TSV工艺及凸块结构，公司同时开发玻璃基板光刻胶，预计明年量产。利空：HBM封装材料产能扩张，缓解供应紧张。
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Samyang NC Chem计划今年量产HBM后端封装用光刻胶材料，供应三星、SK海力士及美光。该材料用于TSV工艺及凸块结构，公司同时开发玻璃基板光刻胶，预计明年量产。利空：HBM封装材料产能扩张，缓解供应紧张。
亚洲主要厂商2026年资本支出预计达1360亿美元，台积电和SK海力士增幅显著。台积电聚焦先进制程，三星和SK海力士重点投入HBM及DRAM扩产。利空。扩产计划预示供应增加，可能缓解HBM及先进制程的短缺压力。
SK海力士董事会批准追加21.6万亿韩元投资，以在2030年前完成龙仁第一工厂建设，并将首间无尘室投产时间提前至2027年2月。此举是三大存储巨头为满足AI/HBM需求而展开的新一轮资本开支竞赛。利空：大规模产能扩张虽为长期计划，但预示未来供应增加，若需求增长不及预期，将对内存价格构成下行压力。
TrendForce数据显示，亚洲主要芯片厂商2026年资本支出预计超1360亿美元，同比增长25%，其中台积电支出达520-560亿美元，70-80%用于先进制程。三星、SK海力士及铠侠联盟亦大幅扩产，重点投向HBM及先进产能。利空：此轮大规模资本支出潮，尤其是HBM与先进逻辑制程的产能扩张，预示未来供应将显著增加，对2026-2027年芯片价格构成潜在下行压力。
SK海力士追加150亿美元投资，加速龙仁晶圆厂建设，目标2027年2月投产以扩大HBM4及高端DRAM产能。此举基于其2026年HBM与高端DRAM产能已全部售罄，且HBM市占率近60%的主导地位。利多：大规模扩产计划锁定远期高端存储供应，强化AI需求驱动的卖方市场格局。
TrendForce预计2026年亚洲主要半导体厂商资本支出将达1360亿美元，同比增长25%，台积电（560亿美元）、三星与SK海力士领投，重点投向先进制程与HBM产能。本轮扩张由AI芯片与HBM需求持续升温驱动，二线内存厂商华邦电子与南亚科技亦大幅上调资本预算。利多：巨额资本开支锁定未来高端芯片与内存供应，利好设备与材料链订单，但需关注后续产能集中释放的过剩风险。
三星电子计划于2028年启动平泽P5工厂运营，专注于生产用于AI服务器的高带宽内存和先进DRAM。此举是其扩大AI芯片制造版图的一部分，德州晶圆厂也在同步扩产。利空：关键AI内存组件长期产能扩张，增加未来供应潜力，可能缓解长期价格压力。
台积电2026年资本支出预计达520-560亿美元创纪录，三星与SK海力士大幅提升HBM产能，亚洲主要芯片制造商2026年总资本支出计划超1360亿美元，同比增长25%。支出激增由AI芯片需求驱动，重点投向先进制程、先进封装及HBM/NAND产能。利空：晶圆代工与存储芯片领域同步激进扩产，预示未来供应大幅增加，对中长期价格构成下行压力。
美光印度萨纳德封测厂全面投产后，预计将占其全球总产量的10%，2027年芯片产量将达数亿颗。该27.5亿美元项目获得印度中央及地方政府70%的补贴支持。利空：该先进封装产能的实质性落地，特别是针对AI内存及DDR5，将增加全球存储芯片的供应压力。
三星电子与SK海力士因HBM及DRAM需求激增，正启动大规模半导体人才招聘。此举源于行业进入超级周期并报告创纪录收益。利多：扩招印证需求持续强劲，预示供应端维持紧张，支撑价格上行预期。
美光在印度桑纳德启用其首个半导体封测工厂，总投资27.5亿美元，洁净室面积超50万平方英尺。此举旨在利用印度激励政策，满足全球AI驱动的存储需求。利空：该工厂为DRAM和NAND新增大量封测产能，长期可能缓解供应瓶颈，对现货价格构成下行压力。
三星将最后一条2D NAND产线转产1c DRAM。受AI需求爆发及NAND库存高企驱动，存储巨头加速产能置换。利空NAND供应，利好DRAM价格。
美光科技在印度古吉拉特邦正式启用新的半导体封装测试工厂，总投资达27.5亿美元。该工厂将负责DRAM和NAND晶圆的封装测试，计划2026年生产数千万颗芯片，2027年扩产至数亿颗，以支持AI驱动的存储需求。利空：此重大产能扩张增加了全球封装测试供应，可能缓解长期供应限制，并对存储模块价格构成下行压力。
美光在印度桑纳德启用首个半导体封测厂，总投资27.5亿美元。该工厂将把DRAM和NAND晶圆转化为成品，预计2027年产能达数亿颗芯片。利空：新增封测产能将增加全球供应，可能缓解存储芯片市场的紧张局面。
三星电子华城12号线最早将于3月停产2D NAND，产线将转向生产下一代HBM4核心的1C DRAM。此举旨在优化产能，聚焦高附加值存储产品。利多：2D NAND供应直接削减，可能引发现货市场供应趋紧。
三星将于3月关闭其最后一条2D NAND产线（华城12号线，月产能8-10万片12英寸晶圆），并将其改造为DRAM后处理车间以专注1c DRAM生产。此举旨在优化资源配置，并为下一代HBM4内存铺路，符合三星向先进工艺过渡的战略。关注：长期可能收紧低端2D NAND供应，同时提升1c DRAM产能，对相关细分市场供需结构产生影响。
三星电子将停止华城12号产线的2D NAND闪存生产，并将其转换为1c DRAM后端工厂，正式退出平面NAND制造。此举旨在将产能重新分配至先进DRAM制程，并削减传统NAND供应。利多：2D NAND产能永久退出直接削减供应，对平面NAND产品价格构成上行压力。
三星电子最早将于3月停止在华城12号产线制造2D NAND闪存。该产线将转为1c nm DRAM内存的后端制程服务。利多：利基市场2D NAND供应源被移除，可能加剧特定应用的供应紧张。
三星将于3月永久关停华城12号产线（月产能8-10万片），并将其改造为1c DRAM后段制程产线。此举旨在将传统平面NAND产能转向先进制程，以提升用于HBM4及服务器的1c DRAM产量。关注：传统NAND供应减少被中国工厂增产抵消，1c DRAM产能提升或缓解HBM生产瓶颈。
三星将于3月停产华城Line 12的最后一条2D NAND产线（月产能8-10万片），转为1C DRAM后道制程。此举旨在缓解DRAM生产瓶颈，并将NAND产能缩减部分转移至西安工厂升级。利多：削减成熟NAND晶圆供应，可能加剧特定产品短缺，同时行业资源加速向先进DRAM倾斜。