长鑫存储启动科创板IPO募资295亿元，用于升级17nm产线、扩产DDR5及研发HBM。资金将重点投向AI服务器和高性能计算领域。利空。产能扩张将增加市场供应，对DDR5及HBM价格形成压制。

台积电PIC产能将从500片/月激增至2028年的25,000片/月。随着AI服务器带宽需求提升，英伟达、博通等大厂将率先采用COUPE平台。利多，CPO技术加速商业化，带动光学引擎及测试设备需求。

美光与福特签署长期协议，将扩大汽车存储解决方案产能。此举旨在支持福特下一代车型生产，并扩大弗吉尼亚厂先进DRAM产能。利空：产能扩张可能缓解汽车存储芯片的短期供应紧张，对现货价格构成下行压力。

KB证券报告称苹果将iPhone 18标准版内存升级至12GB，并锁定三星、SK海力士及美光LPDDR5X供货。为支持端侧AI Siri功能，苹果要求供应链提高LPDDR5X供货规模，且以高于市场价锁定产能。利多 - 苹果锁定高价供应保障产能，利好三星、SK海力士及美光等DRAM厂商的出货与ASP。

美光聘请Bechtel承建纽约首两座晶圆厂，预计2030年及2033年投产。该项目投资约500亿美元，旨在通过标准化EPC流程缩短量产周期。利空，Micron补贴驱动的成本结构将增强定价权，对DRAM现货价形成下行压力。

SK海力士计划到2034年将晶圆产能提高两倍，以满足AI驱动的存储芯片需求。此外，SK集团还计划与英伟达合作，于2028年至2029年间在日本建设一座AI数据中心。利空。大规模产能扩张可能引发供应过剩担忧，拖累DRAM和HBM价格。

英伟达CEO黄仁勋指出SK海力士2030年产能翻倍计划不足以满足需求。当前AI芯片需求激增导致HBM及DRAM供应严重短缺。利多，预计供需缺口将进一步扩大，现货价格将维持强势。

SK海力士计划五年内将内存产能翻倍以缓解供需失衡，并确保为英伟达Vera Rubin系统供货。黄仁勋证实新款Vera CPU将采用SK海力士DRAM，双方深化战略合作。关注：长期产能扩张计划虽预示强劲需求，但也存在未来供过于求的风险。

SK海力士计划将DRAM产能翻倍，目标2030年月产约100万片晶圆。扩建工程集中在韩国龙仁和清州工厂，预计2027年设备安装，2030年上半年新增36万片/月产能。利空，产能大幅扩张将加剧市场供需矛盾，长期价格承压。

SK集团董事长预计存储芯片供需紧张将持续至2030年，并计划在未来五年内将晶圆总产能翻倍。此举旨在应对激增的AI需求，并深化与台积电及英伟达在HBM4E等下一代产品上的合作。利多短期至中期的存储芯片价格，但需关注远期产能翻倍带来的供应格局变化。

美光在弗吉尼亚工厂开始量产1-alpha DRAM。这是美国最先进的内存技术，也是扩大国内半导体制造的关键里程碑。利空：产能扩张将增加未来供应，压制价格。

美光宣布启动弗吉尼亚州1α工艺DRAM生产，预计年内量产。该基地DDR4产能将增至当前四倍，以保障汽车、国防等利基市场供给。利空。大规模扩产将增加DDR4供应，可能压制现货价格。

美光在弗吉尼亚工厂启动1α DRAM工艺量产。该工艺为美国最先进内存技术，主要应用于DDR4和LP4产品。利多美光长期产能布局，但短期对现货价格影响中性。

ASML预计数月内出货首颗高阶EUV芯片，英特尔与SK海力士加速采用，TSMC因成本高昂推迟布局。利多高阶光刻设备需求，但TSMC与三星策略分化将影响未来产能。

JSR与台厂合资在云林建厂，预计2028年量产EUV光刻胶。为补齐供应链缺口并配合TSMC 2nm以下制程需求，JSR成为最后一家在台设厂的日本大厂。关注：此产能扩张将缓解EUV材料供应瓶颈，但需观察2028年量产进度及竞争格局变化。

中芯国际扩产NAND与DRAM产能以应对制裁压力。此举旨在满足AI需求并推进国产供应链，利空：产能扩张增加供应，可能压制现货价格。

TSMC 3nm月产能预计2026年底达18万片，年增超40%；2nm产能亦将激增至10万片。主要受NVIDIA、AMD及汽车领域AI硬件强劲需求驱动。利空：产能大幅扩张可能缓解供应紧张，导致现货价格承压或趋于平稳。

SK海力士在清州工厂部署2000张Nvidia Blackwell显卡用于内部AI系统。此举旨在保障核心数据安全并优化晶圆厂数字孪生与生产流程。利多SK海力士AI基础设施布局及Nvidia AI芯片需求。