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三星计划将NRD-K 2号线转为代工产线，生产2nm HBM基板以应对NVIDIA需求。此举旨在利用GAA 2nm工艺提前锁定HBM5产能。利多HBM供应链，预计2028年下半年量产。
三星计划将NRD-K 2号线转为代工产线，生产2nm HBM基板以应对NVIDIA需求。此举旨在利用GAA 2nm工艺提前锁定HBM5产能。利多HBM供应链，预计2028年下半年量产。
HBMHBM52nm Base DiesSamsung ElectronicsSK海力士投资370亿美元扩建韩国DRAM与NAND产线。此举旨在满足2030年前AI驱动的内存需求。利空，产能扩张将加剧未来供应过剩压力。
SK海力士投资370亿美元扩建韩国DRAM与NAND产线。此举旨在满足2030年前AI驱动的内存需求。利空，产能扩张将加剧未来供应过剩压力。
DRAMNAND FlashSK hynix南亚科宣布投资3466亿新台币扩建Fab5A生产10nm级EUV DRAM，7月营收随之月增49.3%且同比暴涨逾7倍。利多，短期需求强劲推升营收，长期产能扩张将影响未来供应格局。
南亚科宣布投资3466亿新台币扩建Fab5A生产10nm级EUV DRAM，7月营收随之月增49.3%且同比暴涨逾7倍。利多，短期需求强劲推升营收，长期产能扩张将影响未来供应格局。
DRAMDDR4Nanya Technology南亚科宣布2026-2029年投入高达3466亿新台币扩建Fab 5A，并上调2026年资本支出34%。该项目将采用EUV技术生产10nm级DRAM，且长协订单已覆盖50%产能。利空：大规模扩产将增加未来供应，对DRAM价格构成压力。
南亚科宣布2026-2029年投入高达3466亿新台币扩建Fab 5A，并上调2026年资本支出34%。该项目将采用EUV技术生产10nm级DRAM，且长协订单已覆盖50%产能。利空：大规模扩产将增加未来供应，对DRAM价格构成压力。
DRAMDDR4DDR5Nanya Technology长鑫存储计划在北京建设第六座DRAM厂，产能将翻倍至60万片/月。该扩张计划依赖政府资金支持，旨在2030年夺取30%市场份额，但受限于先进制程设备获取。利空 - 产能大幅扩张将加剧DRAM市场供应过剩，压制价格。
长鑫存储计划在北京建设第六座DRAM厂，产能将翻倍至60万片/月。该扩张计划依赖政府资金支持，旨在2030年夺取30%市场份额，但受限于先进制程设备获取。利空 - 产能大幅扩张将加剧DRAM市场供应过剩，压制价格。
DRAMCXMTMicronAMEC2025营收达123.85亿元，同比增长36.62%，并计划五年内将产能扩建至90万平方米。公司瞄准60%高端市场覆盖率，重点布局等离子刻蚀等100余种高端设备。利多。产能扩张与营收高增印证其高端设备竞争力，有望缓解国内高端设备短缺。
AMEC2025营收达123.85亿元，同比增长36.62%，并计划五年内将产能扩建至90万平方米。公司瞄准60%高端市场覆盖率，重点布局等离子刻蚀等100余种高端设备。利多。产能扩张与营收高增印证其高端设备竞争力，有望缓解国内高端设备短缺。
Plasma Etching EquipmentThin-film Deposition EquipmentSemiconductor Processing ToolsAMECHwatsing Technology台积电宣布3纳米美厂量产推迟至2027至2028年，且良率爬坡迟缓。美国本土建厂面临成本高企与供应链配套缺失的结构性劣势，叠加地缘政治施压。利多：产能释放推迟加剧短期供应紧张，利好现有产能利用率与价格。
台积电宣布3纳米美厂量产推迟至2027至2028年，且良率爬坡迟缓。美国本土建厂面临成本高企与供应链配套缺失的结构性劣势，叠加地缘政治施压。利多：产能释放推迟加剧短期供应紧张，利好现有产能利用率与价格。
DRAMHBM3nmTSMCSamsung ElectronicsSK海力士在圣何塞招募工程师，与美客户共同设计3D堆叠DRAM-on-logic。该策略旨在将定制化内存业务从HBM扩展至端侧AI应用。利多：强化定制化DRAM产能布局，利好未来相关产品需求。
SK海力士在圣何塞招募工程师，与美客户共同设计3D堆叠DRAM-on-logic。该策略旨在将定制化内存业务从HBM扩展至端侧AI应用。利多：强化定制化DRAM产能布局，利好未来相关产品需求。
DRAMCustom DRAMDRAM-on-logicSK HynixSK海力士通过美国子公司招聘3D堆叠式DRAM逻辑设计工程师，旨在与客户合作应用该技术。此举表明公司正加大在先进逻辑集成领域的投入，预示着相关高附加值DRAM产能的扩张。利多。
SK海力士通过美国子公司招聘3D堆叠式DRAM逻辑设计工程师，旨在与客户合作应用该技术。此举表明公司正加大在先进逻辑集成领域的投入，预示着相关高附加值DRAM产能的扩张。利多。
DRAM3D Stacking DRAMLogic ChipsSK HynixSK海力士正探索在美国建设晶圆厂以增加供应并控制内存价格。董事长崔泰源警告称，尽管 AI 需求激增，但供应跟不上，导致“芯片通胀”和短缺。利空。产能扩张计划将增加供应，缓解短缺并给价格带来下行压力。
SK海力士正探索在美国建设晶圆厂以增加供应并控制内存价格。董事长崔泰源警告称，尽管 AI 需求激增，但供应跟不上，导致“芯片通胀”和短缺。利空。产能扩张计划将增加供应，缓解短缺并给价格带来下行压力。
DRAMHBMSK hynixCXMTFMC计划在德国马格德堡投资30亿欧元建设新厂，选址为英特尔原计划用地。该项目需依赖欧盟芯片法案补贴。**利多**FMC股价及铁电存储技术，预示欧洲存储制造复苏。
FMC计划在德国马格德堡投资30亿欧元建设新厂，选址为英特尔原计划用地。该项目需依赖欧盟芯片法案补贴。**利多**FMC股价及铁电存储技术，预示欧洲存储制造复苏。
Ferroelectric MemoryDRAMDRAM+FMCIntel苹果削减iPhone 17标准版产能三分之一，因存储芯片和3nm代工成本飙升。三星与SK海力士将产能转向HBM，导致手机端DRAM与NAND紧缺。利多存储芯片与晶圆代工板块。
苹果削减iPhone 17标准版产能三分之一，因存储芯片和3nm代工成本飙升。三星与SK海力士将产能转向HBM，导致手机端DRAM与NAND紧缺。利多存储芯片与晶圆代工板块。
DRAMNAND Flash3nm ChipAppleSamsung Electronics美光计划2035年前投资超2500亿美元，将美国DRAM产能占比提升至40%。此举旨在强化本土制造能力，利空DRAM价格，因产能大幅扩张可能加剧供应过剩。
美光计划2035年前投资超2500亿美元，将美国DRAM产能占比提升至40%。此举旨在强化本土制造能力，利空DRAM价格，因产能大幅扩张可能加剧供应过剩。
DRAMMicron Technology长鑫存储启动科创板IPO募资295亿元，用于升级17nm产线、扩产DDR5及研发HBM。资金将重点投向AI服务器和高性能计算领域。利空。产能扩张将增加市场供应，对DDR5及HBM价格形成压制。
长鑫存储启动科创板IPO募资295亿元，用于升级17nm产线、扩产DDR5及研发HBM。资金将重点投向AI服务器和高性能计算领域。利空。产能扩张将增加市场供应，对DDR5及HBM价格形成压制。
DDR5HBMCXMT台积电PIC产能将从500片/月激增至2028年的25,000片/月。随着AI服务器带宽需求提升，英伟达、博通等大厂将率先采用COUPE平台。利多，CPO技术加速商业化，带动光学引擎及测试设备需求。
台积电PIC产能将从500片/月激增至2028年的25,000片/月。随着AI服务器带宽需求提升，英伟达、博通等大厂将率先采用COUPE平台。利多，CPO技术加速商业化，带动光学引擎及测试设备需求。
PICCPOOptical enginesTSMCNVIDIA美光与福特签署长期协议，将扩大汽车存储解决方案产能。此举旨在支持福特下一代车型生产，并扩大弗吉尼亚厂先进DRAM产能。利空：产能扩张可能缓解汽车存储芯片的短期供应紧张，对现货价格构成下行压力。
美光与福特签署长期协议，将扩大汽车存储解决方案产能。此举旨在支持福特下一代车型生产，并扩大弗吉尼亚厂先进DRAM产能。利空：产能扩张可能缓解汽车存储芯片的短期供应紧张，对现货价格构成下行压力。
DRAMAutomotive MemoryMicron TechnologyFord Motor CompanyKB证券报告称苹果将iPhone 18标准版内存升级至12GB，并锁定三星、SK海力士及美光LPDDR5X供货。为支持端侧AI Siri功能，苹果要求供应链提高LPDDR5X供货规模，且以高于市场价锁定产能。利多 - 苹果锁定高价供应保障产能，利好三星、SK海力士及美光等DRAM厂商的出货与ASP。
KB证券报告称苹果将iPhone 18标准版内存升级至12GB，并锁定三星、SK海力士及美光LPDDR5X供货。为支持端侧AI Siri功能，苹果要求供应链提高LPDDR5X供货规模，且以高于市场价锁定产能。利多 - 苹果锁定高价供应保障产能，利好三星、SK海力士及美光等DRAM厂商的出货与ASP。
LPDDR5XSamsung ElectronicsSK Hynix美光聘请Bechtel承建纽约首两座晶圆厂，预计2030年及2033年投产。该项目投资约500亿美元，旨在通过标准化EPC流程缩短量产周期。利空，Micron补贴驱动的成本结构将增强定价权，对DRAM现货价形成下行压力。
美光聘请Bechtel承建纽约首两座晶圆厂，预计2030年及2033年投产。该项目投资约500亿美元，旨在通过标准化EPC流程缩短量产周期。利空，Micron补贴驱动的成本结构将增强定价权，对DRAM现货价形成下行压力。
DRAMMicron TechnologyBechtelSK海力士计划到2034年将晶圆产能提高两倍，以满足AI驱动的存储芯片需求。此外，SK集团还计划与英伟达合作，于2028年至2029年间在日本建设一座AI数据中心。利空。大规模产能扩张可能引发供应过剩担忧，拖累DRAM和HBM价格。
SK海力士计划到2034年将晶圆产能提高两倍，以满足AI驱动的存储芯片需求。此外，SK集团还计划与英伟达合作，于2028年至2029年间在日本建设一座AI数据中心。利空。大规模产能扩张可能引发供应过剩担忧，拖累DRAM和HBM价格。
DRAMHBMSK Hynix英伟达CEO黄仁勋指出SK海力士2030年产能翻倍计划不足以满足需求。当前AI芯片需求激增导致HBM及DRAM供应严重短缺。利多，预计供需缺口将进一步扩大，现货价格将维持强势。
英伟达CEO黄仁勋指出SK海力士2030年产能翻倍计划不足以满足需求。当前AI芯片需求激增导致HBM及DRAM供应严重短缺。利多，预计供需缺口将进一步扩大，现货价格将维持强势。
DRAMSK Hynix