JSR与台厂合资在云林建厂，预计2028年量产EUV光刻胶。为补齐供应链缺口并配合TSMC 2nm以下制程需求，JSR成为最后一家在台设厂的日本大厂。关注：此产能扩张将缓解EUV材料供应瓶颈，但需观察2028年量产进度及竞争格局变化。

台积电宣布在台南（2027H1）、亚利桑那（2027H2）和日本（2028年）扩建3纳米产能，并计划将部分5纳米产能转向3纳米。此举基于3纳米节点的高利润率（超60%）及在代工市场的绝对主导地位。中性：新增产能集中于2027年后，属长期结构性扩产，对当前现货市场无直接影响。

华为昇腾AI芯片因阿里、字节、腾讯等大厂大规模下单，价格已上涨约20%。公司计划2026年将昇腾910C产量翻倍至60万颗，并将昇腾芯片总产能提升至160万颗。利多：国内需求激增及确认的芯片涨价，表明华为AI芯片供应趋紧，市场拉力强劲。

三星电子将重启8纳米DUV节点，为英伟达生产GeForce RTX 3060 GPU，预计三月中旬供货。此举旨在利用三星旧有产能满足特定型号需求，从而将台积电5纳米产能留给英伟达新一代Blackwell等架构。关注：供应链策略性调整，需关注三星8纳米节点产能分配对成熟制程晶圆价格及二手GPU市场供给的潜在影响。

日本晶圆代工新锐Rapidus获得17亿美元融资，目标在2027年实现2nm芯片量产，主要资金来自日本政府及佳能、索尼等32家企业。该公司成立于2022年，旨在重振日本半导体产业，并获得了IBM和Imec的技术支持。利空/利多/关注: 关注。此为长期产能扩张计划，若成功将在远期增加先进制程供应来源，但对当前现货市场无直接影响。

中芯国际计划在2028年将其7nm/5nm级芯片月产能从目前不足2万片提升至约10万片，并在2030年进一步增至50万片。尽管面临设备采购受阻等短期挑战，其扩产计划仍在持续推进。利空：长期大规模产能扩张计划预示未来先进及成熟制程逻辑芯片可能面临供应过剩压力。

据日经报道，中国计划在两年内将7nm/5nm级芯片的月产能从不足2万片晶圆提升至10万片，并瞄准2030年达到50万片。该扩张主要由中芯国际主导，但面临无法获得美日欧尖端设备的根本性制约。利空：该长期产能扩张计划若实现，将增加全球成熟先进制程芯片的供应，对价格构成潜在压力，但受设备封锁影响，执行风险极高。

中国计划在未来两年内将7nm及5nm芯片产量提升5倍，以支持其AI战略，中芯国际、华虹半导体及华为系公司为主要参与者。此举源于政府对先进制程自给自足和AI产业发展的强力推动。利空：若产能扩张计划落地，将显著增加全球先进制程芯片供应，对相关代工环节价格和利润率构成长期下行压力。

中国计划在两年内将7nm/5nm芯片月产能从不足2万片提升至10万片，主要由中芯国际和华虹半导体主导。此举旨在满足国内AI基础设施需求，但受限于美国设备管制。利空：该大规模扩产计划预示未来先进及成熟制程潜在供应增加，若需求增速不及预期，将对价格构成下行压力。

苹果在富士康休斯顿工厂启动Mac mini组装，并推进台积电亚利桑那州工厂的4nm/5nm芯片生产，但初期产能有限。此举是苹果为分散风险而进行的长期供应链多元化尝试。关注：此为长期、小规模供应布局，对当前组件价格及现货供应无直接影响。

苹果承诺2024年从台积电亚利桑那州工厂采购超1亿颗芯片，并投资Amkor封装厂与环球晶圆德州晶圆厂。此举旨在响应美国供应链多元化政策，降低对台湾地区先进制程的依赖。利多：长期看有助于关键部件规避关税与地缘风险，但对当前现货市场无直接影响，因产能占比小且制程非最前沿。

三星电子平泽P2/P3晶圆厂代工产能利用率已从低于50%回升至约80%，主要受HBM基片订单及外部4/5/7nm需求推动。业内预计在2nm投产及特斯拉、苹果订单放量下，其非存储业务最早2026Q4可扭亏。关注：成熟先进制程需求复苏信号，但盈利拐点尚需时间验证。

三星半导体设定50%营业利润率战略目标，将资源向利润率超50%的优势产品倾斜。为实现目标，其计划将1c nm DRAM前期产能更多分配至服务器通用内存而非HBM4，并加速NAND制程升级。关注：此举可能导致部分通用存储芯片供应趋紧，而高端HBM4产能扩张节奏放缓，对不同产品线价格产生分化影响。

华为正加速昇腾AI芯片生产，TSMC据报持续进行晶圆库生产，但HBM被确认为2025年的关键瓶颈。这凸显了在美国出口管制下，中国对计算主权的追求，涉及CXMT、中芯国际等本土企业。关注：HBM供应紧张与华为芯片产能爬坡的博弈。