三星德州工厂将量产特斯拉AI5 SoC，采用SF2 2nm工艺。此次合作利用了《芯片法案》资金，是三星在美国的首个大规模先进制程项目。利多三星产能利用率及LPDDR5X需求，验证2nm节点良率。

Rapidus完成2nm GAA原型，获政府注资，但无量产客户签约。虽有60家潜在客户洽谈，但尚未签署量产协议，2027年量产目标面临不确定性。关注：新厂产能扩张计划虽具潜力，但缺乏实际订单支撑，短期供需影响有限。

NoPo扩大HiPco单壁碳纳米管产量，用于2nm以下芯片和电池负极。该材料是先进封装和电池的关键材料。利空：产能扩张可能增加供应，对相关材料价格构成压力。

AMD计划向台湾生态系统投资超过100亿美元，扩大HPC芯片产能。此举旨在推动AI基础设施建设，并利用TSMC的2nm工艺。利空：产能扩张预期将增加供应，长期可能压制HPC芯片价格。

中国成熟制程产能增速超全球需求四倍，预计未来三至五年将占全球新增产能近半。报告指出中国资本支出占比虽降但仍高于市场份额，导致日本功率半导体厂商承压并寻求整合。利空：中国扩产将加剧成熟制程市场供需失衡，挤压日本及印度本土厂商生存空间。

JSR与台厂合资在云林建厂，预计2028年量产EUV光刻胶。为补齐供应链缺口并配合TSMC 2nm以下制程需求，JSR成为最后一家在台设厂的日本大厂。关注：此产能扩张将缓解EUV材料供应瓶颈，但需观察2028年量产进度及竞争格局变化。

台积电推进2nm扩产，今年五座晶圆厂进入产能爬坡，首年产出较3nm同期提升45%。此举旨在应对AI与高性能计算需求的爆发。利空，产能大幅扩张将增加供应，预计将缓解当前短缺并压制价格。

TSMC 3nm月产能预计2026年底达18万片，年增超40%；2nm产能亦将激增至10万片。主要受NVIDIA、AMD及汽车领域AI硬件强劲需求驱动。利空：产能大幅扩张可能缓解供应紧张，导致现货价格承压或趋于平稳。

SK海力士在印第安纳州破土动工建设先进封装厂，预计2028年实现量产。此举旨在扩大美国产能布局，与三星推进2nm进程相呼应。利空。长期产能扩张将增加供应，可能压制先进封装价格。

SK海力士动工建设价值19万亿韩元的P&T7先进封装厂，目标2028年启动晶圆级封装产线。此举旨在扩大HBM及AI内存封装产能，以应对市场需求。中性：长期产能扩张满足远期需求，对当前现货供应及价格无直接影响。

SK海力士在印第安纳州破土动工首座美国先进封装厂，计划2028年下半年量产HBM4E和HBM5。公司同步推进国内清州P&T7厂扩建及DRAM产线升级，并安装20台ASML EUV光刻机。利空：新增产能将加剧HBM及DRAM市场供应压力，现货价格承压下行。

台积电宣布在台南（2027H1）、亚利桑那（2027H2）和日本（2028年）扩建3纳米产能，并计划将部分5纳米产能转向3纳米。此举基于3纳米节点的高利润率（超60%）及在代工市场的绝对主导地位。中性：新增产能集中于2027年后，属长期结构性扩产，对当前现货市场无直接影响。

台积电2026年初始2nm产能已被苹果、英伟达、AMD等主要客户预订一空，其中苹果预计占据早期产能过半。公司正于新竹Fab 20和高雄Fab 22扩产，目标在2026年底前将2nm总产能提升至每月8-10万片，以应对AI/HPC需求激增。利多：尖端产能争夺激烈，预示先进制程芯片将持续享有定价权并面临供应紧张。

三星泰勒晶圆厂就绪度达90%，计划2026下半年量产特斯拉AI5/AI6芯片。三星2nm良率约55%，落后于台积电的80-90%，是主要风险。利多：特斯拉AI6/6.5将采用LPDDR6，提振三星及SK海力士需求；利空：良率差距可能限制供应；关注：泰勒厂量产爬坡进度。

台积电宣布2纳米制程进入量产，并计划扩大3纳米产能。该信息来自其2026年第一季度财报电话会，管理层重申台湾是其先进制程主要基地。利空/利多/关注: 中性，此为既定先进节点扩产计划，对当前成熟制程组件的交易供需无直接影响。

台积电2月交付CoPoS设备，6月完工。该技术通过拼板解决AI芯片封装瓶颈，提升晶圆利用率。利空：先进封装产能扩张增加供应。