英飞凌投20亿欧元扩产SiC/GaN功率芯片

英飞凌投资超20亿欧元扩建马来西亚居林工厂，新建第三模组以提升碳化硅及氮化镓功率半导体产能。此举旨在满足电动汽车、可再生能源及数据中心市场对宽禁带半导体的增长需求。利空：大规模产能扩张预计将增加未来供给，对相关功率半导体产品的长期价格构成下行压力。

来源：Semiconductor Today · 2022/2/17 · 查看原始来源