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三星Q2量产GaN代工并准备SiC样品

三星电子计划最早于第二季度开始其氮化镓功率半导体代工产线的量产,并准备在今年晚些时候生产碳化硅样品。此举标志着三星正式进入高增长的宽禁带功率半导体代工市场。利空:氮化镓及未来碳化硅代工产能的增加,可能对相关功率半导体中期价格构成下行压力。

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来源:DigiTimes Asia · 2026/3/24 · 查看原始来源

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