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EPC Space发布40V抗辐照GaN FET

EPC Space LLC推出了两款40V抗辐照GaN FET。该器件在成本和效率上优于同类的抗辐照硅MOSFET。利多GaN在航空航天领域的应用,或替代现有硅器件。

GaN FETsSilicon MOSFETs
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来源:Semiconductor Today · 2024/6/6 · 查看原始来源

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