三星无限期推迟HBM5E量产良率未达标
三星无限期推迟HBM5E量产,因D1d DRAM良率未达标。此次受影响的D1d工艺是三星第七代10纳米级技术,而竞争对手SK海力士已确保该技术良率达标。
利多
HBM价格,因供应短缺风险加剧;利空三星在高端内存市场的份额。
- Related manufacturers
- Samsung Electronics, SK Hynix
- Impact score
- 95 / 100, high impact
三星无限期推迟HBM5E量产,因D1d DRAM良率未达标。此次受影响的D1d工艺是三星第七代10纳米级技术,而竞争对手SK海力士已确保该技术良率达标。
HBM价格,因供应短缺风险加剧;利空三星在高端内存市场的份额。
三星在英伟达GTC大会上展示HBM4,并公布采用2nm基础芯片和1d DRAM技术的HBM5/HBM5E路线图。此为前瞻性研发公告,详述未来产品架构。
对当前HBM产品的供应、需求及价格无直接影响。
三星计划今年将HBM产能提升3倍,HBM4占比超50%,并开发采用2nm基板和1d DRAM的HBM5/HBM5E。此举将大幅增加市场供应,利空HBM价格。
You've reached the end