Volantis计划将AI加速器带宽提升至240TB/s
Altman支持的初创公司Volantis计划利用光子中介层将AI加速器内存带宽提升至240 TB/s,容量达10 TB。该技术通过光波导替代电气互连,突破传统GPU受限于芯片边缘的容量瓶颈。
技术概念,短期无供需影响。
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Altman支持的初创公司Volantis计划利用光子中介层将AI加速器内存带宽提升至240 TB/s,容量达10 TB。该技术通过光波导替代电气互连,突破传统GPU受限于芯片边缘的容量瓶颈。
技术概念,短期无供需影响。
德州仪器Brian Burk在播客中讨论电池监测系统的未来,强调安全性与智能化。该访谈聚焦于下一代储能解决方案的技术趋势。
中科大与Origin Quantum团队在“悟空”超导量子计算机上实现QRAM相干量子路由系统,单路由器传输效率达98%。该技术利用超导量子比特辅助能级,将复杂控制操作转化为浅层深度电路,显著降低电路深度和错误率。
技术突破有助于量子计算架构扩展,但短期内对现有半导体现货价格及供需无直接冲击。
双通道数字电位器U2支持256步分辨率及多种编程模式。通过开关S1和S2的组合,电路可实现通道独立、并联或锁定功能。
该设计仅提供电路灵活性,不涉及供需或价格变动。
Plessey采用yieldWerx平台管理单晶MicroLED晶圆的百亿级数据点,解决AR显示器的良率挑战。该系统通过空间分析处理海量缺陷检测数据。此技术案例展示了高密度显示制造中良率管理的复杂性,对短期现货价格无直接影响。
神经形态芯片因融合存储与计算架构而面临侧信道攻击等安全挑战。与传统处理器不同,这种脑机架构使硅片和时序电路暴露于新型网络威胁之下。对当前交易决策无直接影响。
闪迪与SK海力士联合发布首个HBM OCP技术规范,旨在推动高带宽存储的全球标准化。此举有助于提升数据中心存储效率,但短期内对现货价格影响有限。
该规范可能重塑供应链生态,但缺乏具体供需数据,方向不明。
CXMT在AMD平台实现DDR5-8800超频,逼近SK海力士顶尖水平。尽管CXMT首颗DDR5 IC于2025年11月才发布,但已获Colorful等品牌采用。
技术突破显示国产存储竞争力提升,但短期对现货价格影响有限。
NVM Express联盟更新11项NVMe规范,新增PCIe导出NVM子系统迁移功能。该功能旨在简化虚拟机迁移并支持后量子密码学,提升存储虚拟化能力。
技术规范升级利好NVMe SSD产业链长期发展,但短期无供需影响。
DAC 2026 Troublemaker Panel上,EDA高管展示AI设计流程成熟度,L5完全自主设计成为现实。John Cooley今年提问更侧重信息量而非娱乐性,嘉宾引用真实客户数据。利好EDA工具厂商长期技术竞争力,但短期无直接供需冲击。
SK海力士开发CTI技术,将176层3D NAND干扰减少30%,保持力提升45%,单元尺寸缩小10%。为解决高堆叠3D NAND垂直干扰问题,公司转向缩小单元尺寸以增加容量。
技术突破为AI内存扩展铺平了道路,但尚未对现货价格产生直接影响。
JEDEC发布JESD330-4标准,定义SPHBM4接口,利用4:1串行化将信号从2048降至512。该标准允许在有机基板上使用HBM4同款DRAM颗粒。
有机基板成本低于硅基板,有望降低HBM4模组成本并提升堆叠数量。
Intel计划开发XBM和ZAM以挑战HBM主导地位,目标2030年商业化。尽管面临生态系统壁垒,但并行开发表明其决心。
该技术趋势对当前供需无直接影响。
SK海力士、TetraMem与南加州大学合作开发基于忆阻器的存内计算SoC。该芯片旨在提升边缘AI能效,但理论峰值仅2.54 TOPS,远低于Copilot+要求。
作为实验性技术验证,目前对现货价格及供需无直接影响。
华为“鹏城云脑 Ⅲ”搭载 OceanStor A800 存储登顶 IO500 双榜,总分超历史纪录 1.8 倍。该系统通过 664 个计算节点与 79,680 个并行进程的极限压力测试,验证了存储系统在 AI 高并发场景下的性能极限。
(技术验证),但中性(现货价格无直接波动)。
Solidigm VP Avi Shetty 展望未来技术,包括 PCIe 6.0 SSD 和液冷存储。这是技术路线图讨论,而非供应链冲击。
字节跳动正与InnoStar合作研发类似Groq的AI处理器,旨在降低模型运行成本。该芯片处于早期研发阶段,且公司还在开发用于视频算法的专用芯片。
目前处于研发早期,对现货市场供需及价格无直接影响。
英飞凌主导欧盟91亿欧元Moore4Power项目,联合62家机构研发下一代功率电子。该项目聚焦“More than Moore”异构集成,涵盖Si、SiC及GaN技术,应用于风电、电动车及铁路。
该技术路线图对未来SiC/GaN产能及效率提升具有长期指引意义。
铠侠与闪迪在VLSI 2026展示千层以上3D NAND技术路径。此举旨在突破存储密度极限。
技术里程碑,非即时供需影响。
NEO半导体成功验证3D X-DRAM POC,利用3D NAND工艺实现HBM容量提升8倍至1.5TB。该技术旨在解决当前HBM供需紧张及高成本问题。
POC验证成功表明3D NAND基础设施可用于制造下一代DRAM,但商业化落地尚需时日。
Whose chips are really inside the hottest new products? We open them up and show you, one part at a time.
All teardowns| Analog | $0.68 | −5.9% |
|---|---|---|
| Connector | $0.75 | +0.2% |
| CPU | $386.74 | −21.3% |
| DDR4 | $88.40 | −0.2% |
| DDR52026-W13 | $14.89 | −11.2% |
| GPU | $478.20 | +8.2% |
| MCU | $0.68 | −61.7%Unusual |
| MLCC | $0.01 | +54.0%Unusual |
| MOSFET | $0.12 | −82.8%Unusual |
| PMIC2026-W13 | $0.44 | −12.5% |
| SSD/HDD | $288.43 | n/a |