三星1.4nm量产推迟至2029年
三星将1.4nm节点量产时间推迟至2029年。此举旨在优先发展2nm SF2及SF2P工艺产能。
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技术路线图调整，短期供应无实质影响。
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三星将1.4nm节点量产时间推迟至2029年。此举旨在优先发展2nm SF2及SF2P工艺产能。
技术路线图调整，短期供应无实质影响。
三星电子将1.4nm量产推迟至2029年，并将Exynos 2800处理器工艺从1.4nm切换至2nm。此举旨在优先发展2nm工艺并提升良率。
三星推迟1.4nm量产及Exynos 2800节点切换，显示其战略重心转向良率优化而非激进制程。
三星、英特尔及台积电已启动2nm量产并规划1.4nm节点。台积电侧重差异化技术，三星聚焦良率，英特尔则激进推进GAA与High-NA EUV。
未来先进制程产能与技术路线图将重塑供应链格局。
三星计划2026年流片2nm Exynos 2800，并将1.4nm工艺量产推迟约两年。公司正从激进制程微缩转向提升良率稳定性，并采用DTCO优化设计。
此举反映三星在先进制程研发策略上的重大调整，优先考虑良率而非单纯缩小节点。
三星基于2nm SF2工艺的Exynos 2600移动处理器性能较前代显著提升。此举标志着其长期受诟病的自研芯片产品线出现技术性反弹。
/利空/关注: 中性，此为产品技术迭代，对现货市场供需与价格无直接影响。
英特尔 Panther Lake 芯片实测显示其 18A 制程 HP 库的 M0 间距为 36nm，GAA 间距为 76nm，且背面供电技术仅用于逻辑芯片。报告指出该制程良率仍在爬坡，且 SRAM 因技术限制暂无法采用背面供电。
此为制程技术细节披露，对当前元器件供应、价格及产能无直接影响。
英特尔18A工艺代号为Panther Lake的芯片采用全HP单元，逻辑最小间距76nm。文章详细分析了GAA间距、Power Via技术限制以及MEOL/BEOL金属层使用钨而非钼的情况。
目前良率仍在爬坡，全HP单元设计对制造工艺提出挑战，短期内对现货价格无直接影响。
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All teardowns| Analog | $0.68 | −5.9% |
|---|---|---|
| Connector | $0.75 | +0.2% |
| CPU | $386.74 | −21.3% |
| DDR4 | $88.40 | −0.2% |
| DDR52026-W13 | $14.89 | −11.2% |
| GPU | $478.20 | +8.2% |
| MCU | $0.68 | −61.7%Unusual |
| MLCC | $0.01 | +54.0%Unusual |
| MOSFET | $0.12 | −82.8%Unusual |
| PMIC2026-W13 | $0.44 | −12.5% |
| SSD/HDD | $288.43 | n/a |