三星2nm良率超60%，目标2030年推1nm制程
三星计划2030年推出1nm制程，并报告其2nm良率已超60%，特斯拉AI6芯片预计2027年采用SF2T工艺量产。台积电和Rapidus亦在推进1nm路线图，加剧先进制程竞争。
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此为长期技术路线宣示，对当前供应链、库存及现货价格无直接影响。
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- Samsung Electronics, TSMC, Rapidus
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三星计划2030年推出1nm制程，并报告其2nm良率已超60%，特斯拉AI6芯片预计2027年采用SF2T工艺量产。台积电和Rapidus亦在推进1nm路线图，加剧先进制程竞争。
此为长期技术路线宣示，对当前供应链、库存及现货价格无直接影响。
罗德与施瓦茨联合高通在MWC 2026现场演示了聚合FR1（2.5 GHz）与FR3（7 GHz）频段的载波聚合技术，使用了升级至18 GHz的CMX500测试平台。此举旨在验证未来6G网络在扩展现实和自动驾驶等应用场景下的射频性能。
此为远期技术研发进展，对当前半导体供应链的供需与价格无直接影响。
三星与AMD宣布基于EPYC 9005系列CPU的多小区vRAN测试成功，从验证阶段进入商业部署。该合作旨在利用纯软件栈实现AI原生网络，无需额外加速器。
此为长期技术合作成果，对当前半导体供应链及现货价格无直接影响。
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