CEA-Leti将FRAM工艺缩至22nm
CEA-Leti研究人员利用3D电容架构将FRAM工艺缩至22nm，实现0.0028μm²超小单元。通过垂直集成HZO薄膜，该技术匹配10nm SRAM密度，并计划集成至22nm FDSOI平台。
利多
FRAM技术发展，但短期对现货价格无直接影响。
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CEA-Leti研究人员利用3D电容架构将FRAM工艺缩至22nm，实现0.0028μm²超小单元。通过垂直集成HZO薄膜，该技术匹配10nm SRAM密度，并计划集成至22nm FDSOI平台。
FRAM技术发展，但短期对现货价格无直接影响。
CEA-Leti与弗劳恩霍夫IPMS在FAMES试验线内首次完成铁电存储器晶圆交换，验证了污染控制协议。此举旨在建立欧洲共享的先进嵌入式非易失性存储器材料测试平台。
此为长期研发里程碑，对当前元器件供应、价格及交易决策无直接影响。
VLSI 2025技术会议讨论了英特尔18A工艺细节、DRAM架构（4F2对比3D）未来以及背面供电技术采用前景。文章聚焦晶圆厂数字孪生和材料工程模拟等研发里程碑，未涉及具体产能、价格或供应中断数据。
/利空/关注：此为长期技术背景信息，对短期交易无直接方向性影响。
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