德国初创公司NexiGO获200万欧元融资研发氧化镓功率半导体，目标是将充电时间缩短至10分钟以内。该技术较碳化硅效率提升10倍，成本仅为四分之一。利多：该技术验证为宽禁带半导体未来应用提供新方向，但短期无供应冲击。

GlobalFoundries VP Sudipto Bose在台北活动上讨论了利用硅光子、GaN和MIPS/ARC实现的“物理AI”。该访谈聚焦于边缘计算领域的技术趋势与架构创新，未涉及具体产能或价格数据。关注未来技术路线图，对当前现货交易影响中性。

Navitas Semiconductor否认Wolfspeed在特拉华州提起的专利侵权指控，表示将坚决辩护并预计胜诉。该诉讼涉及GaN功率IC和SiC技术。关注 - 法律纠纷引入不确定性，但短期内不影响供需基本面。

MIT开发出GaN单晶金刚石热管理技术，实现创纪录功率放大器性能。该技术利用金刚石高导热性解决高功率芯片散热难题。关注：该研发突破为GaN长期性能提升提供新路径，暂无现货供应影响。

MIT研究人员将GaN晶体管嵌入单晶钻石层以解决热瓶颈。该技术发表于IEEE IMS 2026，通过异构集成消除寄生电容，提升6G及卫星通信系统可靠性。中性。这是长期技术突破，目前无明确的供需或价格影响。

英特尔CEO陈立武指出先进封装是瓶颈，将重点投资氮化镓、碳化硅等新材料。这是解决摩尔定律放缓的关键战略方向。利多关注相关材料厂商的长期研发与扩产预期。

韩国政府启动'超级创新经济项目'，投资5000亿韩元（约合22.3亿元人民币）攻关下一代功率半导体。该计划聚焦SiC和GaN材料，旨在提升AI数据中心、电动汽车等领域的能效。关注：该政策虽利好长期产业生态建设，但短期内对现货价格或供应无直接影响。

英飞凌主导欧盟91亿欧元Moore4Power项目，联合62家机构研发下一代功率电子。该项目聚焦“More than Moore”异构集成，涵盖Si、SiC及GaN技术，应用于风电、电动车及铁路。关注：该技术路线图对未来SiC/GaN产能及效率提升具有长期指引意义。

欧盟资助的HiPower 5.0项目致力于研发基于氮化镓的电动汽车车载充电器。现有OBC在效率、尺寸及可靠性方面已触及极限，该项目旨在突破技术瓶颈。关注。该技术趋势目前尚未对供应链价格或供需产生实质性影响。

翼迅科技成功将8英寸GaN-on-Sapphire基板减薄至50微米，热阻降至0.8°C/W。此举有效解决了GaN器件散热瓶颈，性能优于硅基GaN。利多: 该技术突破有望提升GaN-on-Sapphire在高功率应用中的竞争力，推动相关市场需求。

将氮化镓晶体管与硅基数字电路结合，在功率芯粒上构建复杂计算功能。该技术突破标志着功率电子与芯片设计融合的新方向。中性。目前尚未对现货价格产生直接影响。

三家固态变压器初创公司融资2.8亿美元，多家巨头加码该技术。该技术利用SiC/GaN等宽禁带半导体，旨在替代传统变压器以实现800V DC数据中心配电。关注：长期功率半导体需求增长，但当前现货价格无直接影响。

英特尔代工服务发布19微米厚GaN芯粒，单片集成功率晶体管与硅基数字逻辑，耐压78V，射频截止频率超300GHz。该技术基于300mm硅基氮化镓工艺，旨在突破硅基器件在高功率/高频场景的物理极限。利空/利多/关注: 中性——此为远期研发里程碑，对当前组件供应、价格及交易决策无直接影响。

英特尔晶圆代工宣布突破氮化镓芯粒技术，推出其宣称的全球最薄GaN芯粒。此举是其为AI时代定位为“系统级代工厂”战略的一部分。中性：此为长期研发进展，对当前元器件供应、价格及交易决策无直接影响。

英特尔晶圆代工在30nm工艺下制造了全球最薄GaN-on-silicon芯片，厚度仅19微米。该技术首次将GaN功率器件与硅计算逻辑结合，旨在提升高温环境下的能效。利多关注：该技术有望优化电动汽车及数据中心电源管理，但短期对现货价格无直接影响。

HRL实验室宣布其T3L 40nm GaN-on-SiC技术达到MRL 6。该技术由波音和通用汽车共同拥有，主要面向国防和高性能商业应用。关注（无直接价格影响）。

英特尔代工在IEDM 2025展示全球最薄GaN芯片，硅基底厚度仅19μm，并在300mm硅晶圆上实现GaN与数字电路的单片集成。该技术旨在提升电源芯片和射频前端的功率密度与集成度。中性：此为远期工艺研发里程碑，对当前GaN元件供应、价格及交易决策无直接影响。

法国CEA-Leti及CEA-List与力积电（PSMC）达成合作，旨在结合RISC-V、硅光子和3D堆叠技术开发数据中心芯片。该合作聚焦于为下一代AI应用提供定制化计算平台。利空/利多/关注：中性，此为长期研发合作，对当前供应链、价格及产能无直接影响。

LG Display参与韩国政府主导的Micro LED检测修复技术研发项目。该项目旨在解决量产中不可避免的像素缺陷问题。利多：该技术将显著提升Micro LED良率并降低生产成本，加速商业化进程。

SiC MOSFET的SiO2/SiC界面存在碳残留、氧空位及界面态密度缺陷，导致阈值电压不稳定。这是材料物理层面的技术探讨，不涉及供需或价格变动。