imec台积电ASML实现50nm二维晶体管
imec、ASML 与台积电在 300mm 晶圆上实现 50nm 接触栅极间距的二维互补晶体管集成。该成果采用单次 EUV 光刻与反向薄膜晶体管结构,验证了二维材料在先进逻辑工艺中的可行性。
利多
关注:该技术路线图将二维半导体推向后硅时代,但预计 2041 年前难以量产。
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- imec, ASML, TSMC
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imec、ASML 与台积电在 300mm 晶圆上实现 50nm 接触栅极间距的二维互补晶体管集成。该成果采用单次 EUV 光刻与反向薄膜晶体管结构,验证了二维材料在先进逻辑工艺中的可行性。
关注:该技术路线图将二维半导体推向后硅时代,但预计 2041 年前难以量产。
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