业界拟放宽HBM高度限制至800µm,混合键合延后
业界拟将HBM高度限制放宽至800µm以容纳20层堆叠。此举旨在降低晶圆减薄风险,但混合键合导入恐延后。
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混合键合延后或影响下一代HBM密度量产节奏。
- Related manufacturers
- JEDEC, TSMC, Samsung Electronics, Micron
- Impact score
- 15 / 100, low impact
业界拟将HBM高度限制放宽至800µm以容纳20层堆叠。此举旨在降低晶圆减薄风险,但混合键合导入恐延后。
混合键合延后或影响下一代HBM密度量产节奏。
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