Marvell推Structera X 3406，支持9TB DDR5
Marvell发布第二代Structera X 3406/3506控制器，支持CXL 3.2及PCIe Gen6，单卡最高支持9TB DDR4或6TB DDR5。针对AI KV缓存及大模型推理需求，通过5倍LZ4压缩提升有效内存容量，缓解GPU HBM容量瓶颈。
利多
CXL控制器及AI服务器内存扩容市场，推动DDR4/DDR5在AI算力中的复用与降本。
Marvell发布第二代Structera X 3406/3506控制器，支持CXL 3.2及PCIe Gen6，单卡最高支持9TB DDR4或6TB DDR5。针对AI KV缓存及大模型推理需求，通过5倍LZ4压缩提升有效内存容量，缓解GPU HBM容量瓶颈。
CXL控制器及AI服务器内存扩容市场，推动DDR4/DDR5在AI算力中的复用与降本。
Kioxia推出搭载Gen 3 XL-FLASH技术的GP系列SSD，随机读取性能提升至2000万IOPS以上。新款LD4 SSD采用PCIe 5接口和BiCS 8 218层闪存，面向AI数据中心市场。
AI算力需求推动高性能存储升级，但新品发布暂无现货价影响。
Vishay推出XFD11KxxCA系列双向TVS器件，峰值脉冲电流达207.1A。该器件采用DO-218AC封装，具备低箝位电压特性，覆盖33V至85V的汽车电气架构。
目前样品及量产供货，交期12周，将增强汽车及工业领域的过压保护能力。
NVIDIA据称将RTX 5070的芯片从GB205切换至更大的GB203。GB203面积达378mm²，需禁用43%核心以匹配12GB GDDR7规格。
此举旨在良率管理，预计性能与价格均无变化。
AMD发布Threadripper Halo工作站，搭载4颗MI350P加速卡及576GB HBM3e显存。该系统专为本地AI研究设计，预计售价10万至15万美元。
高端AI加速卡及HBM3e需求预期提升。
EPC宣布EPC2370 GaN FET量产，单价2.52美元。该器件专为AI服务器800V/6V架构设计，替代25V MOSFET。
满足AI算力高密度电源需求，现货供应增加。
Power Integrations演示了2200V GaN技术，电压能力超越现有商用产品。该技术定位用于高压数据中心、电动汽车及可再生能源系统，旨在提升功率密度。
目前仅为技术演示，尚未对现货价格或供应产生直接影响。
Power Integrations宣布其PowiGaN技术电压等级提升至2200V，预计2028年底量产。该技术打破了此前1700V的电压上限，将应用于数据中心和电动汽车等高功率场景。
高压GaN市场前景明确，将推动相关产品未来价格上涨。
Power Integrations宣布推出业界首款2.2kV横向GaN开关，采用Cascode配置。该技术演示瞄准数据中心和电动汽车辅助电源等高电压应用。
这一里程碑表明GaN技术正向更高电压演进，将影响未来的功率密度和供应链规划。
特斯拉AI5芯片在三星代工厂完成流片，将采用2nm工艺量产，集成12颗SK海力士内存。该芯片由三星和台积电双线代工，马斯克预计将成为史上产量最大的芯片之一。
三星代工与SK海力士，高产能预期将推高相关供应链需求。
英飞凌推出首款针对AI数据中心HV DC总线的24kW SiC BBU参考设计。该设计采用650V和1200V SiC技术，功率密度达450W/in3，效率超99%。
此设计有望加速数据中心向高压直流架构转型，利好英飞凌SiC产品需求。
Panmnesia提供PCIe 6.4-CXL 3.2融合芯片样品，支持端口路由。该芯片通过共享缓冲层和端口路由技术，解决早期CXL延迟问题，支持64节点扩展。
CXL交换机技术发展，但短期对现货价格无直接影响。
Vishay推出四款3000W TVS二极管系列，采用DFN6546A封装并具备湿焊边设计。新品针对汽车ADAS及工业自动化领域，提供高达+185°C的高温工作能力。
新品量产供货，满足新兴市场需求。
GeIL在2026年Computex展示了CAMM2、LPCAMM2及四秩DDR5模块，最高速度达DDR5-8000。产品涵盖工作站、AI推理及超便携笔记本，主打高容量与紧凑设计。
新产品发布增加特定规格供应，对整体市场价格影响中性。
英飞凌推出业界首款基于CoolSiC Gen2技术的750V碳化硅双向开关，目前已开始提供样品。该器件采用双裸片共漏极架构，主要面向车载充电器及AI数据中心高压电源等应用。
该产品尚处样品阶段，对当前SiC功率器件现货市场的供需与价格暂无直接影响。
英飞凌加入Nvidia MGX生态系统，提供800 VDC至<10 V的电源管理解决方案。该合作利用GaN和SiC技术提升AI服务器功率密度与能效。
预计将提振GaN和SiC功率器件在AI基础设施中的需求。
CAST推出支持HyperBus和Xccela的可配置xSPI-MC IP核，旨在解决SPI协议碎片化问题。该产品虽具备功能安全特性，但对现货市场无直接供需冲击。
Vishay推出的VETH100A1DD1 ESD保护二极管通过了IEEE 10BASE-T1S合规测试，电容低于1 pF。
该器件兼容10BASE-T1S、100BASE-T1和1000BASE-T1，为汽车以太网总线提供信号完整性保护。
英伟达推出12GB版RTX 5070移动GPU，采用24Gb GDDR7模块，保持与8GB版本相同的128位位宽和带宽。此举旨在应对内存短缺（RAMpocalypse），为创作者提供更多显存容量。对现货价格影响中性，因该型号不改变现有8GB版本的带宽需求。
HKEPC测试确认HUDIMM带宽降低约50%，由Intel、TeamGroup和ASRock联合推出。该新规格采用单32位子通道，虽大幅削减成本但性能减半。
DDR5高端市场，但利好成本敏感型需求。
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All teardowns| Analog | $0.68 | −5.9% |
|---|---|---|
| Connector | $0.75 | +0.2% |
| CPU | $386.74 | −21.3% |
| DDR4 | $88.40 | −0.2% |
| DDR52026-W13 | $14.89 | −11.2% |
| GPU | $478.20 | +8.2% |
| MCU | $0.68 | −61.7%Unusual |
| MLCC | $0.01 | +54.0%Unusual |
| MOSFET | $0.12 | −82.8%Unusual |
| PMIC2026-W13 | $0.44 | −12.5% |
| SSD/HDD | $288.43 | n/a |