东芝推出3300V/800A SiC模块
东芝推出IX800FXF2YMS4 3300V/800A SiC MOSFET模块，采用第三代技术及银烧结工艺。该产品主要面向轨道交通、UPS等高功率应用场景。
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新产品发布，暂无供需或价格变动信号。
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东芝推出IX800FXF2YMS4 3300V/800A SiC MOSFET模块，采用第三代技术及银烧结工艺。该产品主要面向轨道交通、UPS等高功率应用场景。
新产品发布，暂无供需或价格变动信号。
微芯与Navitas推出800V DC至6V DC参考设计，采用GaNFast FETs与dsPIC33AK DSC。该设计旨在提升AI数据中心功率密度与效率，符合OCP 800V标准。
Renesas推出8x8mm双面散热650V氮化镓器件，瞄准800V AI数据中心。该封装设计旨在提升高压数据中心转换器的功率密度。
此举有助于解决AI服务器高功率转换器的散热瓶颈。
TDK推出B3272*A/G/T系列DC-link薄膜电容，最高工作温度达+135°C且无需降额。该产品专为高功率密度、高环境温度的电动汽车牵引逆变器及工业驱动器设计。
新产品发布，短期对现货价格影响中性。
Vishay推出XFD11KxxCA系列双向TVS器件，峰值脉冲电流达207.1A。该器件采用DO-218AC封装，具备低箝位电压特性，覆盖33V至85V的汽车电气架构。
目前样品及量产供货，交期12周，将增强汽车及工业领域的过压保护能力。
FSP发布Mega GM 1200W电源，定价229美元，美国缺货。该产品采用自研平台与日系电容，性能超越Gold认证。
日系电容需求增加；关注：美国市场供应紧张。
Knowles Cornell Dubilier推出105C扁平铝电解电容，面向电动汽车低剖面高密度电源设计。该电容应用于BMS及隔离DC/DC转换器。
EPC宣布EPC2370 GaN FET量产，单价2.52美元。该器件专为AI服务器800V/6V架构设计，替代25V MOSFET。
满足AI算力高密度电源需求，现货供应增加。
NoMIS Power演示了首款6.5kV大尺寸SiC MOSFET，阻断电压超8kV，导通电阻90mΩ，目前处于样品阶段。该产品计划于2026年第四季度量产，并扩展至10kV及以上的高压SiC器件路线图。
高压SiC器件路线图延伸，但量产时间较晚，对当前供需无直接影响。
Power Integrations演示了2200V GaN技术，电压能力超越现有商用产品。该技术定位用于高压数据中心、电动汽车及可再生能源系统，旨在提升功率密度。
目前仅为技术演示，尚未对现货价格或供应产生直接影响。
Power Integrations宣布其PowiGaN技术电压等级提升至2200V，预计2028年底量产。该技术打破了此前1700V的电压上限，将应用于数据中心和电动汽车等高功率场景。
高压GaN市场前景明确，将推动相关产品未来价格上涨。
Power Integrations宣布推出业界首款2.2kV横向GaN开关，采用Cascode配置。该技术演示瞄准数据中心和电动汽车辅助电源等高电压应用。
这一里程碑表明GaN技术正向更高电压演进，将影响未来的功率密度和供应链规划。
Bourns发布了SRP2010PA、SRP2510PA和SRP2512PA系列屏蔽功率电感。该产品采用金属合金粉末芯和屏蔽结构，专为高电流、低高度及汽车级应用设计。
新系列现已上市，主要针对汽车和DC-DC转换器市场，对现有库存价格无直接影响。
Bourns推出集成共模扼流圈的汽车BMS信号变压器及屏蔽功率电感。产品专为紧凑型DC-DC转换器设计。
新产品发布，但无即时供需或价格影响。
Stackpole扩展CSSU系列高功率金属合金电流检测电阻，新增0.5 mΩ和20 mΩ规格。该系列具备低电阻、低TCR及AEC-Q200认证，适用于电池管理、汽车电子及工业电源等高电流场景。
（中性）：无短缺或价格变动，仅产品线扩充。
英伟达自研800V电源柜定于3Q26就绪，以支持Rubin Ultra的660kW功率密度需求。该产品旨在解决下一代AI服务器的电力基础设施瓶颈。
未来功率半导体需求，但当前现货价格无直接影响。
Vishay推出四款3000W TVS二极管系列，采用DFN6546A封装并具备湿焊边设计。新品针对汽车ADAS及工业自动化领域，提供高达+185°C的高温工作能力。
新品量产供货，满足新兴市场需求。
TDK发布面向SiC功率转换器的DC-link薄膜电容器。该产品专为紧凑型1250V DC转换器设计。此新品发布属于背景信息，对当前现货价格无直接影响。
英飞凌推出业界首款基于CoolSiC Gen2技术的750V碳化硅双向开关，目前已开始提供样品。该器件采用双裸片共漏极架构，主要面向车载充电器及AI数据中心高压电源等应用。
该产品尚处样品阶段，对当前SiC功率器件现货市场的供需与价格暂无直接影响。
英飞凌加入Nvidia MGX生态系统，提供800 VDC至<10 V的电源管理解决方案。该合作利用GaN和SiC技术提升AI服务器功率密度与能效。
预计将提振GaN和SiC功率器件在AI基础设施中的需求。
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All teardowns| Analog | $0.68 | −5.9% |
|---|---|---|
| Connector | $0.75 | +0.2% |
| CPU | $386.74 | −21.3% |
| DDR4 | $88.40 | −0.2% |
| DDR52026-W13 | $14.89 | −11.2% |
| GPU | $478.20 | +8.2% |
| MCU | $0.68 | −61.7%Unusual |
| MLCC | $0.01 | +54.0%Unusual |
| MOSFET | $0.12 | −82.8%Unusual |
| PMIC2026-W13 | $0.44 | −12.5% |
| SSD/HDD | $288.43 | n/a |