SK海力士展示HBF等AI内存技术
SK海力士在AI Infra Summit 2026展示了HBF、PIM/AiMX及SALT-KV等下一代AI内存技术。该技术旨在填补HBM与SSD之间的空白,以适应推理时代的算力需求。
关注:此次展示主要聚焦技术愿景,尚未披露具体产能规划或价格影响。
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SK海力士在AI Infra Summit 2026展示了HBF、PIM/AiMX及SALT-KV等下一代AI内存技术。该技术旨在填补HBM与SSD之间的空白,以适应推理时代的算力需求。
关注:此次展示主要聚焦技术愿景,尚未披露具体产能规划或价格影响。
Synopsys在DAC 2026展示TetraMem与ANAFLASH的内存计算技术,TetraMem计划2026年量产多级ReRAM芯片。两家公司通过在非易失性内存内直接计算,旨在解决数据中心HBM功耗与带宽瓶颈。
边缘AI领域技术路线变革,短期对现有存储芯片供需无实质影响。
SK海力士在DTF 2026展示针对AI基础设施的内存解决方案组合,涵盖HBM、DRAM、cSSD及eSSD。此举旨在强化其在AI算力领域的供应链地位。
缺乏具体供需数据,暂无价格指引。
三星发布全球首款LPDDR5X-PIM内存,AI推理速度提升3.01倍。作为HBM的廉价替代方案,该技术旨在解决AI芯片成本高昂问题。
LPDDR5X市场需求,潜在利空HBM份额。
Lexar推出Thor Ultra系列PCIe 5.0 NVMe SSD,最高读取速度达11GB/s,容量覆盖512GB至4TB。该产品采用6nm控制器及HBM技术,定价与供货情况尚未公布。
新品发布对现有库存无直接影响,市场观望。
阿里云开源2.4T MoE模型Qwen3.8,激活95B参数。该模型延续混合架构,重点提升编程与长周期 Agent 任务能力。
AI 芯片需求,预计将推高 HBM 与 GPU 算力消耗。
铠侠发布GP1系列企业级SSD,采用PCIe 6.0接口与XL-FLASH技术,旨在降低AI算力集群对HBM的依赖。该产品提供1000万IOPS性能与50 DWPD耐久度,且每GB成本低于HBM。
企业级SSD市场迎来新技术替代方案,但短期对现货价格影响中性。
NEO半导体推出NEO.AI平台,包含X-SRAM和3D X-DRAM技术。该平台旨在解决AI系统内存瓶颈,突破传统SRAM和2D DRAM的扩展限制。
该技术对HBM及片上内存市场的潜在影响。
三星在FMS 2026展示zHBM,承诺达到HBM5性能的8倍。该技术旨在将内存更靠近GPU,解决AI计算瓶颈。
下一代3D内存架构的潜在供应能力变化。
三星宣布zHBM性能约为下一代HBM5的8倍,密度为10倍以上,预计2029年量产。该技术旨在通过直接堆叠在AI加速器上来解决带宽瓶颈,与SK海力士的HBF形成竞争。
英伟达发布Rubin GPU架构,配备224个SM和288GB HBM4内存。该设计旨在实现数据中心的大规模计算扩展。
技术路线图,暂无供应链冲击。
芯展速在WAIC 2026推出AI90方案,将SSD纳入GPU显存体系,首Token延迟降至亚秒级。该方案通过HBM+DRAM+SSD三级存储架构及PT200Z AI SSD(PCIe Gen5/pSLC)实现。
高端SSD及PCIe Gen5存储市场,验证AI推理对高带宽存储的迫切需求。
Certus半导体在DAC 2026上宣布为GlobalFoundries 12LP和12LP+工艺推出两款新I/O库,涵盖商业SoC及辐射加固应用。该库针对SoC、ASIC及FPGA设计,预计今年可流片。
Certus半导体IP业务,但对整体硅晶圆及元器件现货市场影响中性。
东方算芯推出14nm AI芯片,带宽达6.4TB/s。该产品声称无需先进节点或HBM即可超越H200。
新竞争产品可能影响高端AI芯片需求格局。
Introspect Technology推出M7030协议分析仪,采样率达80 GS/s。该设备专为LPDDR6、DDR6等下一代高速内存接口的验证与调试设计。
测试设备需求,对存储芯片现货价格无直接影响。
SK海力士在HPED 2026展示12层36GB及16层48GB HBM4,以及12层36GB HBM3e,重申与HPE的合作伙伴关系。
新规格确认AI服务器内存需求强劲,强化全栈AI内存供应商地位。
SK海力士向主要客户交付12层HBM4E样品,单引脚速率达16Gbps,能效提升超20%。该产品采用先进MR-MUF工艺,热阻降低17%,确保了高带宽环境下的结构稳定性。
样品交付确认了HBM4E量产进度,强化了SK海力士在AI存储领域的供应链主导地位。
三星在Computex 2026展示首款采用HPB散热技术的HBM5样机,并确认12层HBM4E样品已出货。两家韩国存储巨头正竞相解决下一代AI内存的裸片间接口散热瓶颈,三星计划在HBM5基础裸片采用内部2nm工艺。
属于长期技术路线图确认,对当前HBM现货定价与即期供应无直接影响。
摩托罗拉Edge 70 Pro+手机首发搭载联发科天玑8500Extreme芯片,配备12GB LPDDR5X内存及256GB UFS 4.1存储。该机支持6.8英寸144Hz AMOLED屏幕与6500mAh硅碳电池。
影响,仅为常规新品发布,未涉及供应链短缺或产能变动。
SK海力士为HBM5开发iHBM方案,将热阻降低30%。此举旨在解决高带宽存储芯片的散热瓶颈,提升封装性能。
HBM供需格局,维持高景气度。
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All teardowns| Analog | $0.68 | −5.9% |
|---|---|---|
| Connector | $0.75 | +0.2% |
| CPU | $386.74 | −21.3% |
| DDR4 | $88.40 | −0.2% |
| DDR52026-W13 | $14.89 | −11.2% |
| GPU | $478.20 | +8.2% |
| MCU | $0.68 | −61.7%Unusual |
| MLCC | $0.01 | +54.0%Unusual |
| MOSFET | $0.12 | −82.8%Unusual |
| PMIC2026-W13 | $0.44 | −12.5% |
| SSD/HDD | $288.43 | n/a |