Marvell推Structera X 3406，支持9TB DDR5
Marvell发布第二代Structera X 3406/3506控制器，支持CXL 3.2及PCIe Gen6，单卡最高支持9TB DDR4或6TB DDR5。针对AI KV缓存及大模型推理需求，通过5倍LZ4压缩提升有效内存容量，缓解GPU HBM容量瓶颈。
利多
CXL控制器及AI服务器内存扩容市场，推动DDR4/DDR5在AI算力中的复用与降本。
Marvell发布第二代Structera X 3406/3506控制器，支持CXL 3.2及PCIe Gen6，单卡最高支持9TB DDR4或6TB DDR5。针对AI KV缓存及大模型推理需求，通过5倍LZ4压缩提升有效内存容量，缓解GPU HBM容量瓶颈。
CXL控制器及AI服务器内存扩容市场，推动DDR4/DDR5在AI算力中的复用与降本。
AMD发布Helion开放机架架构，专为AI代理工作负载设计。该系统旨在改变数据中心对算力、电力和冷却资源的分配方式，面向超大规模及企业客户。
新产品发布，短期对现有组件供需无直接影响，主要影响未来数据中心建设规划。
Kioxia推出搭载Gen 3 XL-FLASH技术的GP系列SSD，随机读取性能提升至2000万IOPS以上。新款LD4 SSD采用PCIe 5接口和BiCS 8 218层闪存，面向AI数据中心市场。
AI算力需求推动高性能存储升级，但新品发布暂无现货价影响。
Z.ai与亚马逊合作，通过Bedrock平台发布GLM-5.3模型。此次合作旨在拓展海外商业化，采用收入分成模式。
AI模型云服务合作，暂无供应链影响。
TDK推出B3272*A/G/T系列DC-link薄膜电容，最高工作温度达+135°C且无需降额。该产品专为高功率密度、高环境温度的电动汽车牵引逆变器及工业驱动器设计。
新产品发布，短期对现货价格影响中性。
ASRock Industrial发布NUC Core 300 BOX系列，搭载Intel Core 3/5处理器并支持DDR5 6400内存。该系列面向工业控制与数字标牌等边缘计算场景。
DDR5及Intel处理器需求，但现货市场影响有限。
Raysolve、Starksemi及LEKIN在CIOE 2026展示雷射微显示光互连方案，Starksemi出货样品且带宽达2.5GHz。随着AI算力需求激增，该技术正从概念验证转向商用部署。
该技术商业化进程对GaN-on-Si及光模块产业链的潜在需求拉动。
DapuStor发布J5060企业级SSD，通过牺牲6%至20%的QLC容量换取更快的随机写入性能。该产品旨在解决QLC写入慢的问题，但目前缺乏定价及上市时间。
新品发布暂无现货影响。
SK海力士在AI Infra Summit 2026展示了HBF、PIM/AiMX及SALT-KV等下一代AI内存技术。该技术旨在填补HBM与SSD之间的空白，以适应推理时代的算力需求。
关注：此次展示主要聚焦技术愿景，尚未披露具体产能规划或价格影响。
富士康子公司扩大AI互联角色，1.6T技术进入部署阶段。随着800G在AI集群中成为主流，数据中心正转向1.6T连接。
高速互联及铜缆组件产能预期。
三星V10 BV-NAND获FMS 2026创新奖，比特密度较上一代提升58%。该产品采用超过400字线架构，旨在满足AI时代对高容量、高性能及低功耗存储的需求。
新产品发布，缺乏具体价格或供应数据。
英特尔推出Crescent Island离散GPU，配备32个Xe核心及最高480GB LPDDR5X内存。该设计专为代理AI推理优化，通过稀疏路由和推测解码提升每瓦Token数。
新架构将提振对高带宽大容量内存（LPDDR5X）及AI加速器的需求。
文章介绍了五款面向2026年高性能PC、工作站及AI应用的下一代M.2 SSD。这些产品旨在通过更快的速度和性能提升存储标准，预计将采用PCIe Gen5等新技术。
（中性）。该产品发布属于未来技术趋势，目前对现货价格及供应链无直接影响。
闪迪发布NAS Gen5 SSD新品，最高容量7.68TB。该M.2 2280固态硬盘专为高性能NAS环境设计，顺序读写速度达14.9GB/s。
Gen5高端SSD的推出预示NAS存储需求增长，但短期内现货价格影响中性。
Lexar推出Thor Ultra系列PCIe 5.0 NVMe SSD，最高读取速度达11GB/s，容量覆盖512GB至4TB。该产品采用6nm控制器及HBM技术，定价与供货情况尚未公布。
新品发布对现有库存无直接影响，市场观望。
AMD推出支持200B参数模型本地推理的Ryzen AI PC，集成Hugging Face与Cisco安全功能。
新产品发布，短期内对供应链价格无直接影响。
铠侠发布GP1系列企业级SSD，采用PCIe 6.0接口与XL-FLASH技术，旨在降低AI算力集群对HBM的依赖。该产品提供1000万IOPS性能与50 DWPD耐久度，且每GB成本低于HBM。
企业级SSD市场迎来新技术替代方案，但短期对现货价格影响中性。
三星在FMS 2026展示面向AI基础设施的新一代3D内存产品，涵盖DRAM、NAND和企业存储。该技术旨在提升性能与能效。
铠侠宣布推出基于XL-FLASH的CXL内存扩展模块XL1，计划本月向合作伙伴出样。该模块利用SCM技术降低延迟并提升可靠性，旨在弥合DRAM与SSD在性能成本间的差距。
NAND Flash技术路线，中性影响短期现货价格。
Kioxia发布NX1系列E1.S固态硬盘，采用218层BiCS 8 NAND闪存并支持PCIe Gen 5.0液冷散热。该产品专为GPU服务器和超大规模数据中心设计，目前处于样品阶段。
关注：新品发布标志着企业级存储向高性能液冷方案演进，但短期内对现货价格无直接影响。
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All teardowns| Analog | $0.68 | −5.9% |
|---|---|---|
| Connector | $0.75 | +0.2% |
| CPU | $386.74 | −21.3% |
| DDR4 | $88.40 | −0.2% |
| DDR52026-W13 | $14.89 | −11.2% |
| GPU | $478.20 | +8.2% |
| MCU | $0.68 | −61.7%Unusual |
| MLCC | $0.01 | +54.0%Unusual |
| MOSFET | $0.12 | −82.8%Unusual |
| PMIC2026-W13 | $0.44 | −12.5% |
| SSD/HDD | $288.43 | n/a |