SemiQ发布1200V碳化硅模块 功率密度240W/in³
SemiQ推出1200V QSiC™ Dual3碳化硅半桥模块系列,声称功率密度达240 W/in³,旨在替代IGBT。新品针对数据中心液冷与储能变流器市场,迎合AI算力带来的高功率需求。
中性
此为常规新品发布,未提及产能、价格或供应变动,对现有元件交易无直接影响。
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SemiQ推出1200V QSiC™ Dual3碳化硅半桥模块系列,声称功率密度达240 W/in³,旨在替代IGBT。新品针对数据中心液冷与储能变流器市场,迎合AI算力带来的高功率需求。
此为常规新品发布,未提及产能、价格或供应变动,对现有元件交易无直接影响。
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