GF发布7nm级FDX Fusion节点,密度翻倍
GlobalFoundries宣布推出7nm级FDX Fusion节点,密度较22FDX翻倍。该工艺定位于汽车、边缘AI及工业领域,计划于2028年在德累斯顿量产。
FD-SOI相关芯片供应预期,长期产能扩张可能引发价格承压。
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GlobalFoundries宣布推出7nm级FDX Fusion节点,密度较22FDX翻倍。该工艺定位于汽车、边缘AI及工业领域,计划于2028年在德累斯顿量产。
FD-SOI相关芯片供应预期,长期产能扩张可能引发价格承压。
微芯与Navitas推出800V DC至6V DC参考设计,采用GaNFast FETs与dsPIC33AK DSC。该设计旨在提升AI数据中心功率密度与效率,符合OCP 800V标准。
Synopsys在DAC 2026展示TetraMem与ANAFLASH的内存计算技术,TetraMem计划2026年量产多级ReRAM芯片。两家公司通过在非易失性内存内直接计算,旨在解决数据中心HBM功耗与带宽瓶颈。
边缘AI领域技术路线变革,短期对现有存储芯片供需无实质影响。
三星发布全球首款LPDDR5X-PIM内存,AI推理速度提升3.01倍。作为HBM的廉价替代方案,该技术旨在解决AI芯片成本高昂问题。
LPDDR5X市场需求,潜在利空HBM份额。
Aratas America LLC推出G3VH高压SiC MOSFET继电器,支持1800V和3300V负载电压。该继电器利用SiC技术实现高电压耐受能力和低导通电阻,适用于半导体测试设备等场景。
信号。
PDF Solutions发布Exensio Aurora工业级AI架构,旨在处理PB级半导体制造数据。针对通用AI在工业场景的局限性,该架构强调规模、上下文与专业知识。
该技术趋势虽具前瞻性,但短期内对芯片现货价格无直接影响。
Agentrys在DAC 2026发布Agentic Design Automation (ADA)平台,利用AI自动化芯片设计流程。该技术属于EDA工具创新,对现货市场供需无直接影响。
Power Integrations宣布推出业界首款2.2kV横向GaN开关,采用Cascode配置。该技术演示瞄准数据中心和电动汽车辅助电源等高电压应用。
这一里程碑表明GaN技术正向更高电压演进,将影响未来的功率密度和供应链规划。
英伟达发布Vera CPU,搭载88个Armv9.2核心及1.5TB LPDDR5X内存,Meta、字节跳动等云厂商已预订。该芯片采用台积电3nm工艺,旨在作为AI节点及AI代理主机。
台积电3nm产能及LPDDR5X需求,预计将推动相关供应链订单增长。
Certus半导体在DAC 2026上宣布为GlobalFoundries 12LP和12LP+工艺推出两款新I/O库,涵盖商业SoC及辐射加固应用。该库针对SoC、ASIC及FPGA设计,预计今年可流片。
Certus半导体IP业务,但对整体硅晶圆及元器件现货市场影响中性。
ST开发出无需模拟乘法器的PFC控制器IC,适用于最大250W功率范围。该技术简化了电源设计并降低了成本。
属于技术趋势,不直接影响现货价格或供应。
Introspect Technology推出M7030协议分析仪,采样率达80 GS/s。该设备专为LPDDR6、DDR6等下一代高速内存接口的验证与调试设计。
测试设备需求,对存储芯片现货价格无直接影响。
SiMa Technologies宣布转型为自研硅片的AI软件公司,推出“一键式”物理AI开发环境。Modalix MLSoC旨在提供比传统GPU方案高10倍的能效。
技嘉宣布推出 AORUS GeForce RTX 5080 INFINITY 16G 与 WOOD 版两款显卡,均搭载 16GB GDDR7 显存。该系列为庆祝技嘉成立 40 周年而设计,预计将于 2026 年 7 月上市,目前尚未在电商平台显示。
(中性)。
Humsienk在Intersolar Europe 2026展出7680Wh AC耦合储能系统,专为欧洲阳台光伏市场设计。该产品兼容微逆变器输出,无需MPPT控制器。
新产品发布对储能产业链相关元器件的潜在需求拉动,但缺乏具体采购量数据。
Vishay推出四款3000W TVS二极管系列,采用DFN6546A封装并具备湿焊边设计。新品针对汽车ADAS及工业自动化领域,提供高达+185°C的高温工作能力。
新品量产供货,满足新兴市场需求。
Microchip推出dsPIC33CK Value Line系列DSC,提供100MHz处理与12位ADC。该系列针对成本敏感型实时控制应用,兼容AEC-Q100 Grade 1。
新产品发布,主要影响设计选型而非现货价格。
TDK推出HAL 3025抗杂散磁场霍尔传感器,支持ASIL D功能安全等级。该器件专为电动汽车电机控制及安全关键系统设计,目前提供样品。
影响。
英飞凌推出IGK048B041S和IGK120B041S两款CoolGaN BDS开关,PCB面积减82%。新器件针对便携式电源系统,具备更低导通电阻和漏电流。
推动英飞凌GaN产品线扩展及300mm晶圆制造产能落地。
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All teardowns| Analog | $0.68 | −5.9% |
|---|---|---|
| Connector | $0.75 | +0.2% |
| CPU | $386.74 | −21.3% |
| DDR4 | $88.40 | −0.2% |
| DDR52026-W13 | $14.89 | −11.2% |
| GPU | $478.20 | +8.2% |
| MCU | $0.68 | −61.7%Unusual |
| MLCC | $0.01 | +54.0%Unusual |
| MOSFET | $0.12 | −82.8%Unusual |
| PMIC2026-W13 | $0.44 | −12.5% |
| SSD/HDD | $288.43 | n/a |