应用材料发布两款2纳米GAA晶体管沉积新设备
应用材料发布两款用于2纳米以下GAA晶体管生产的沉积系统,已被主要逻辑芯片制造商产线采用。新系统旨在提升金属栅极堆栈和隔离沟槽的沉积精度以改善良率。
利空
/利空/关注: 此为设备技术发布,对当前电子元件现货供应、价格及采购决策无直接影响。
- Related manufacturers
- Applied Materials
- Impact score
- 15 / 100, low impact
应用材料发布两款用于2纳米以下GAA晶体管生产的沉积系统,已被主要逻辑芯片制造商产线采用。新系统旨在提升金属栅极堆栈和隔离沟槽的沉积精度以改善良率。
/利空/关注: 此为设备技术发布,对当前电子元件现货供应、价格及采购决策无直接影响。
芬兰Beneq公司推出第二代Transform XP原子层沉积平台,用于宽禁带功率及射频器件制造。该平台在原有基础上提升了工艺控制、循环速度及生产能力。
此为设备技术更新,对现有电子元件供需及价格无直接影响。
芬兰设备商Beneq发布用于量产功率、射频及Micro-LED芯片的Transmute高产能ALD设备。新平台旨在提升宽禁带半导体等特种器件制造的效率与成本效益。
此为上游制造设备更新,虽可能提升未来产能潜力,但对当前电子元件供需及现货价格无直接影响。
美国Forge Nano推出TEPHRA 200mm单片ALD集群设备,旨在提供具有高吞吐量和前驱体效率的商业规模生产能力。
新设备上市对ALD工艺效率及未来产能的潜在影响。
牛津仪器推出Atomfab系列中的PlasmaPro ASP高速率ALD研究系统。该设备专为研究应用设计,非量产工具。
此次发布对商业半导体供应链或价格无直接影响。
You've reached the end