寒武纪市值突破9000亿元,华虹半导体20%涨停,中芯国际涨16.6%。受华为“韬定律”及TrendForce预测2026年移动DRAM价格将上涨70-75%推动,半导体板块领涨A股。利多。市场情绪高涨,成交额放量至2.08万亿,煤炭板块因印尼出口限制及地缘政治因素同步走强。
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寒武纪市值突破9000亿元,华虹半导体20%涨停,中芯国际涨16.6%。受华为“韬定律”及TrendForce预测2026年移动DRAM价格将上涨70-75%推动,半导体板块领涨A股。利多。市场情绪高涨,成交额放量至2.08万亿,煤炭板块因印尼出口限制及地缘政治因素同步走强。
TrendForce数据显示2026年Q1全球电视出货4712万台,同比增长3.3%,三星稳居第一,TCL出货768万台同比增长11.3%。受DRAM与NAND Flash供应趋紧及价格明显上涨影响,品牌提前备货以对冲成本压力。利多存储器价格,预计2026年全年出货量将同比下降1%。
长鑫科技一季度营收508亿元,同比增长719.13%,净利润330.12亿元。受全球算力需求增长及主要厂商产能调配影响,DRAM产品供不应求,价格自2025年下半年以来持续大幅上涨。利多:供需紧张驱动价格持续上行。
TrendForce报告显示2026年Q2移动DRAM合约价大幅上涨,LPDDR5X均价季增78%-83%。韩系厂商策略分化,三星一次性调价,SK海力士渐进式涨价。利多。
B&H Photo将海盗船Pro DDR5 32GB套装价格降至329.99美元,较原价399.99美元下调70美元,是目前市场上最便宜的DDR5内存。尽管受AI需求推动,内存价格整体处于高位,但该特定型号目前处于促销清仓状态。利空: 该款DDR5内存出现短期价格回调,但行业普遍预计未来价格仍将上涨。
索尼CEO十时裕树表示,受2027财年内存价格维持高位影响,PS6定价与上市时间尚未确定。此前PS5已因内存成本上涨而涨价,且行业面临供应不足问题。利多:内存价格维持高位,供需紧张格局支撑价格走势。
A股存储芯片板块活跃,朗科科技涨超10%,德明利涨近8%,MRDIMM标准开发进入最后阶段。地缘政治缓和及AI需求推动市场情绪。利多存储芯片及光连接板块。
建滔积层板宣布上调FR-4覆铜板及PP半固化片价格10%。存储芯片因AI内存需求激增进入超级周期,价格持续大涨。利多。建滔涨价及存储价格大涨将直接推高相关供应链成本。
苹果砍掉256GB版Mac Mini,起售价涨至799美元;内存价格自年初涨三倍。受AI需求激增及供应链调整影响,利多DRAM与NAND Flash价格,预计维持高位。
存储板块连续爆发,闪迪涨8.25%,希捷涨7.91%,美光涨4.84%。纳指创历史新高,存储板块领涨,反映需求回暖及库存去化。利多。存储芯片价格及需求预期显著增强,建议关注相关标的。
苹果CEO库克确认第三季度内存成本将显著高于第二季度。此前第二季度成本已高于第一季度,表明存储芯片价格持续承压。利多。苹果作为主要买家确认涨价,将加剧DRAM及NAND Flash现货市场供需紧张。
三星DS部门Q1利润率高达65.7%,DRAM和NAND价格季度涨幅近90%。SK海力士利润率更高达72%,但三星凭借存储业务主导地位贡献了93.8%的总利润。利多:存储芯片价格暴涨推动三星创纪录盈利,挤压非存储业务利润空间。
SK海力士Q1利润率创纪录达72%,券商预计三星电子存储利润率在71.9%至77%之间。利多:受AI需求推动,DRAM和NAND价格飙升,三星凭借更大产能优势,通用存储利润率有望超HBM。
力积电总裁证实DRAM代工价格已于3月显著调涨,因流片周期影响,营收贡献预计自6月开始显现。公司同时指出英特尔IPD技术将成为2027年下半年的需求驱动力。利多:DRAM代工价格明确上涨,预示短期供应趋紧或需求强劲。
自3月以来,服务器CPU价格已上涨10%-20%,英特尔与AMD预计下半年将分别再涨8%-10%及累计16%-17%。本轮涨价由AI服务器需求激增及先进制程产能紧张驱动,交期已从1-2周延长至8-12周。利多:明确的价格上涨幅度与交期延长,显示供应持续紧张,价格上行趋势明确。
力积电3月大幅调涨DRAM代工价格,4月显著提高NAND闪存晶圆起始价。微软、谷歌等AI巨头已与主要DRAM供应商签订三年长约,预计2026下半年内存市场将持续结构性短缺。利多:内存及逻辑代工价格普涨,供应紧张,直接推高采购成本。
联想Legion Go S因DRAM短缺价格暴涨近80%,32GB版售价升至1579.99美元。此次涨价被归因于“内存大萧条”时期的供应压力。利多DRAM及APU供应链,表明上游元件供应紧张或需求强劲,OEM渠道价格承压。
长江证券分析师预计HBM市场规模2025年达350亿美元,2027-28年突破1000亿美元。二季度DRAM合约价预计环比上涨30%-50%,下半年涨幅将收敛。利多:分析师明确给出了二季度合约价上涨的具体幅度,对交易决策有直接指导意义。
2026年Q1入门级DDR4 DRAM内存价格暴涨110%,NVMe SSD价格涨147%。AI浪潮导致HBM产能挤压,消费级库存去化完成。利多:预计Q2价格继续上涨,PC厂商面临成本压力。
ASRock联合Intel与TeamGroup推出HUDIMM新规格,采用单32位子通道设计。该规格带宽与容量减半,旨在降低DDR5内存成本并缓解短缺。利空DDR5价格,因新标准将分流中低端市场需求。