华泰调研:DDR5 16Gb合约价由2025年1月的3.75美元涨至2026年4月的35美元(9.3倍),512Gb TLC NAND晶圆报价涨9.9倍,美国投资人对存储价格"恐高"
华泰证券赴美调研报告(OCP、SEMICON West)显示,美国投资人对涨速过快的存储价格普遍抱有"恐高"情绪:据TrendForce,DDR5 16Gb固定规格合约价由2025年1月的3.75美元涨至2026年4月的35美元,为期初的9.3倍;512Gb TLC NAND晶圆报价由2.52美元涨至24.87美元,为9.9倍。TrendForce于9月30日预计,4Q26传统DRAM合约价环比仍有10%—15%的涨幅。周期层面,WSTS春季预测2026年全球半导体销售额约1.51万亿美元、同比+89.9%(2025年约7,960亿美元),存储贡献约80%的增量;每平方英寸硅片对应芯片收入由2025年约61美元升至2026年预计约121美元;华泰7月模型预计前道WFE由2025年的1,160亿美元增至2028年的2,414亿美元,累计+108%、CAGR约28%,投资人担忧高基数下产能释放引发价格回落。竞争格局方面,长鑫科技于10月10日宣布正推进4F²垂直沟道晶体管及混合键合架构研发,并计划于年底前推出新一代服务器DDR5 RDIMM产品,目前全球尚无4F²商业化量产先例;据长鑫招股书,其DRAM营收份额由2Q25的3.97%升至4Q25的7.67%,引发海外投资人对存储竞争格局变化的担忧。报告另提示:2030年数据中心建设存在逾1.3万亿美元资金缺口,全美已有16个州相继提出限制类立法议案,纽约州对50MW以上数据中心项目暂缓发放相关环保许可;美国商业电价2020—2025年累计上涨26.6%。原文未说明DDR5涨价的具体供需原因,仅称存储涨价是2026年行业收入增量的核心推手。
- Related manufacturers
- 长鑫科技, 长鑫存储, 三星, SK海力士, 美光
- Part numbers
- DDR5 16Gb512Gb TLC NANDDDR5 RDIMM
- Impact score
- 97 / 100, high impact