慕尼黑法院裁定InnoscienceGaN不侵权,供应无虞
慕尼黑地方法院裁定Innoscience当前GaN功率器件不侵犯Infineon德国专利。该裁决与上月美国ITC判决一致,仅针对已停产的旧款产品。
利多
确认Innoscience核心产品全球市场准入无虞,供应风险解除。
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- Innoscience, Infineon
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慕尼黑地方法院裁定Innoscience当前GaN功率器件不侵犯Infineon德国专利。该裁决与上月美国ITC判决一致,仅针对已停产的旧款产品。
确认Innoscience核心产品全球市场准入无虞,供应风险解除。
美国专利局在强化EPC一项GaN基础专利的同时,取消了此前ITC裁定英诺赛科侵权所依据的两项关键权利要求。EPC将对取消的裁决提出上诉,案件走向未定。
该专利纠纷的持续为英诺赛科GaN器件供应带来不确定性,若ITC禁令风险重现,可能影响市场价格与可获得性。
美国ITC确认英诺赛科侵犯宜普电源转换公司的核心GaN专利。该专利涉及用于快充、AI及汽车应用的GaN-on-Si技术。
裁决可能导致英诺赛科相关GaN产品供应受限,影响市场供需格局。
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