45Wolfspeed起诉Navitas，拟禁售GaN/SiC产品
Wolfspeed起诉Navitas侵犯GaN和SiC专利，寻求美国法院下达永久禁令。Wolfspeed拥有深厚专利壁垒，而Navitas采用轻资产模式在快充和汽车SiC市场扩张，双方在功率半导体领域竞争加剧。关注：若禁令生效，Navitas在美国市场的产品供应将面临重大风险。
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Wolfspeed起诉Navitas侵犯GaN和SiC专利，寻求美国法院下达永久禁令。Wolfspeed拥有深厚专利壁垒，而Navitas采用轻资产模式在快充和汽车SiC市场扩张，双方在功率半导体领域竞争加剧。关注：若禁令生效，Navitas在美国市场的产品供应将面临重大风险。
美国ITC确认英诺赛科侵犯英飞凌专利，正式禁止GaN产品进口及销售。此前德国法院已多次判决英诺赛科败诉，此次禁令进一步收紧其全球供应。利多英飞凌GaN业务，利空英诺赛科美国市场出货。
慕尼黑地方法院7月3日裁定英诺赛科侵犯英飞凌GaN专利，禁止其在德国销售。这是英飞凌赢得的第四起相关裁决，加剧了上海GaN市场的竞争。利多：禁令限制了供应，预计将推高GaN价格。
慕尼黑地方法院裁定英飞凌胜诉，禁止英诺赛科在德国制造及销售侵权GaN产品。这是英诺赛科在德美系列专利诉讼中的第三、四次败诉。利多英飞凌GaN业务，利空英诺赛科德国市场准入。
慕尼黑地方法院裁定Innoscience当前GaN功率器件不侵犯Infineon德国专利。该裁决与上月美国ITC判决一致，仅针对已停产的旧款产品。利多，确认Innoscience核心产品全球市场准入无虞，供应风险解除。
TrendForce指出，中国“大基金”及地方政府的第三代半导体补贴规模远超韩国的49.4亿美元R&D计划。在AI数据中心对功率半导体需求激增的背景下，中国供应商在SiC和GaN技术上取得进展，挑战了现有IDM。利空：大规模政府补贴可能引发产能扩张和价格竞争，迫使新进入者寻求下一代技术。
中国最高法院裁定英飞凌侵犯专利，禁止其在华销售GaN芯片。双方均为英伟达800V AI电源供应商，此前在美欧中多地展开专利诉讼。利多：中国GaN市场供应格局重塑，英飞凌面临断供风险，价格看涨。
韩国政府投入5000亿韩元（3.29亿美元）用于SiC和GaN功率半导体的研发与量产。此举旨在解决对海外供应商的依赖，并利用AI数据中心和能源需求增长。关注：政策支持将加速本土产能建设，改变未来供应链格局。
福建省发布“十五五”光电产业集群行动方案，明确支持Micro LED及高世代显示设备国产化。该政策旨在提升核心装备自主保障能力。利多国内Micro LED设备与化合物半导体材料厂商。
美国国际贸易委员会裁定Innoscience侵犯英飞凌GaN专利，并下令禁止其产品在美国进口和销售。该裁决面临60天总统审查期，且Infineon在慕尼黑法院的诉讼中亦占据优势。利多英飞凌GaN市场份额，利空Innoscience美国业务，GaN供应趋紧。
英飞凌胜诉美国ITC，裁定Innoscience侵犯GaN专利。美国国际贸易委员会维持初步裁决，可能限制Innoscience产品出口。利空Innoscience，利多英飞凌GaN市场份额。
Innoscience获美国ITC终裁，确认其当前GaN器件不侵犯Infineon专利，美国出货不受限。裁决仅认定旧款产品侵权且已停产，不影响现有商业供应。利多，消除了进口禁令风险，保障了Innoscience GaN产品在美国及全球市场的供应连续性。
德国英飞凌确认美国ITC对中企英诺赛科GaN芯片下达进口及销售禁令。裁定英诺赛科侵犯英飞凌GaN专利，涉及8英寸硅基GaN功率芯片。利空英诺赛科美国市场出货，禁令生效前尚有60天总统审查期。
Innoscience胜诉GaN专利诉讼，英飞凌无效请求被驳回。北京知识产权法院确认其8英寸硅衬底GaN核心技术专利有效。关注：知识产权纠纷将重塑GaN市场竞争格局。
GlobalFoundries起诉Tower半导体侵犯11项专利，并寻求利润赔偿及进口禁令。此次法律战针对Tower在射频芯片和硅光子学等成熟节点的技术。关注：潜在进口禁令可能引发Tower供应链中断，需警惕其客户面临的产品供应风险。
深圳发布2026-2028年AI服务器计划，重点发展SiC、GaN及储能系统。该计划旨在打造零碳数据中心，利用光伏与储能实现源网荷储一体化。利多：政策驱动高压功率器件与储能需求长期增长。
美国ITC初步裁定英诺赛克侵犯英飞凌一项GaN技术专利（US 9,899,481）。该裁决是两家GaN功率芯片制造商之间法律纠纷的一部分。关注：该初步裁决为英诺赛克GaN产品在美国市场的供应链带来潜在中断风险，最终裁决及可能的进口限制将决定实际影响。
慕尼黑地方法院一审判决英飞凌在针对英诺赛科的GaN-on-Si专利侵权案中胜诉。该判决涉及英诺赛科在8英寸硅衬底上制造的氮化镓功率芯片技术。关注：若禁令执行，可能扰乱英诺赛科在欧洲的GaN芯片供应，利好英飞凌等竞争对手，但对依赖英诺赛科低成本方案的采购方构成供应链风险。
美国专利局在强化EPC一项GaN基础专利的同时，取消了此前ITC裁定英诺赛科侵权所依据的两项关键权利要求。EPC将对取消的裁决提出上诉，案件走向未定。关注：该专利纠纷的持续为英诺赛科GaN器件供应带来不确定性，若ITC禁令风险重现，可能影响市场价格与可获得性。
美国商务部已与Coherent、SkyWater和X-FAB签署CHIPS法案初步资助条款，为其特定半导体制造项目提供直接拨款。此举是美国加强化合物半导体和特色工艺代工等关键领域本土产能战略的一部分。关注：补贴将加速SiC、GaN及特色工艺节点的长期产能建设，可能缓解远期供应紧张，但对现货价格无直接影响。