SK海力士据报道寻求美方批准扩建大连NAND产能以筹资潜在美国NAND工厂,公司称Mod B设备安装在美国政府授权下进行且不寻求扩产
据路透社援引消息人士报道,SK海力士正寻求美国政府批准,通过其美国子公司Solidigm在大连NAND闪存工厂的未使用空间(2023年完工但因存储市场低迷而设备安装未完成的Mod B区域)加装额外设备以扩大在中国生产,作为在美国投资建厂的筹资条件,扩建业务将用于资助一座新的美国NAND制造工厂;Solidigm还考虑最早明年进行首次公开募股以筹集额外资金。但SK海力士对路透社表示,大连Mod B的设备安装是在与美国政府协商并获其授权下进行的,公司并非寻求扩大Mod B产能,Solidigm拒绝置评。背景方面:2025年9月,美国商务部撤销了允许SK海力士和三星在中国设施无需个别出口许可证即可获得美国芯片制造设备的特别授权,称将继续允许维持现有运营所需的设备出货,但不打算批准用于产能扩张或技术升级的出口;2025年12月,据韩联社报道,华盛顿为三星和SK海力士中国设施2026年的美国芯片制造设备出货授予年度批准,但据路透社报道,针对大连工厂的授权限制了设备数量,且2027年额外美国设备与技术的批准尚未签发。据The Bell报道,随着NAND厂商增加堆叠层数,先进蚀刻设备的获取尤为重要,使用较旧的工具可能需要额外加工步骤,降低生产率并提高制造成本;据路透社报道,大连NAND工厂使用来自Lam Research、应用材料和KLA等美国主要供应商的设备。
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