消息称英伟达要求三星、SK海力士、美光以台积电3nm基底裸片生产定制NVHBM,核心裸片采用第六代DRAM;10月19日三星回应不对客户事项置评
据市场消息,英伟达已要求三星电子、SK海力士和美光科技为其生产NVHBM(英伟达的定制HBM技术,HBM即高带宽内存),其中基底裸片(BaseDie)采用台积电3nm制程,核心裸片(CoreDie)则采用第六代DRAM(动态随机存取存储器)技术,消息称三星电子已决定接受英伟达的技术要求。该消息的真实性尚属传闻层面:10月19日,三星电子回应称,公司不对涉及客户的事项发表评论。原文未说明原因。
- Related manufacturers
- 英伟达, 三星电子, SK海力士, 美光科技, 台积电
- Part numbers
- NVHBM
- Impact score
- 45 / 100, medium impact