据报道三星与台积电合作,为NVIDIA新发布的NVHBM标准供应基底裸片,要求采用台积电3nm工艺;存储仍用三星第六代10nm工艺
据称,三星正与台积电合作,为NVIDIA新发布的NVHBM存储标准获取基底裸片(base die)供应;该报道性质为传闻(reportedly),合作尚未被证实落地。NVIDIA声称,与标准HBM4E相比,NVHBM将控制器集成到3D HBM堆栈中,可提供最高30%的额外内存带宽、降低15%的HBM功耗,并带来最高25%的额外可用计算裸片面积。报道称NVHBM量产前须满足若干严格条件,其中之一是NVIDIA的NVHBM基底裸片必须采用台积电3nm节点制造;尽管三星拥有自己的3nm产线,但据称NVIDIA的IP针对台积电节点优化,迫使三星与台积电合作并成为其客户。该安排仅针对基底裸片;在存储部分,三星将继续使用其第六代10nm工艺(HBM制造的典型工艺),即仅部分生产由台积电负责。
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