西门子与英伟达推进合作:cuLitho集成Calibre,据称全芯片OPC工作负载最高提速12倍
据西门子于2026年10月14日宣布,其与英伟达推进合作,将英伟达cuLitho库与西门子Calibre制造软件集成,旨在使复杂的光掩模优化在全芯片规模上切实可行。据西门子称,该集成可使全芯片光学校近校正(OPC)工作负载速度提升至多12倍;西门子另引用针对选定工作负载至少10倍至17倍的仿真加速。这些测量针对特定计算任务,并不等同于整个芯片制造流程的等效加速,也不保证对每个客户配置都有相同改进。开发动因是工程师设计的图形不会自动精确印到硅片上:在极小尺寸下,衍射等物理效应会扭曲投影图像,而计算光刻可预测这些效应并调整光掩模几何形状。西门子将转向高数值孔径极紫外光刻(High-NA EUV)视为一大挑战。西门子还表示,加速可将漫长的周转时间从数周缩短至数天,并可能降低能耗和计算基础设施占用;其意义取决于在扩大有用优化规模的同时保持精度。
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