GMS发布MOSA兼容Thunderbolt™启用的Expansion™模块
General Micro Systems (GMS) 今日发布其 MOSA 兼容的智能外围 Expansion™ 模块，这是一系列雷电™ 使能的子系统。
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General Micro Systems (GMS) 今日发布其 MOSA 兼容的智能外围 Expansion™ 模块，这是一系列雷电™ 使能的子系统。
瑞萨电子近日发布了基于Gen 4+技术的650-V、20-mΩ d-mode GaN FET，采用8×8 mm双面散热（DSC）PQFN封装，型号为TP65H020G4PLSGBD，目前已向AI数据中心OEM和ODM送样，量产计划于2027年中。据瑞萨称，Gen 4+相较Gen 4通过单元设计和比导通电阻的渐进式改进，实现更低的RDS(on)、更小的尺寸、更低的栅极电容（CGS、CGD）和输出电容（Coss）；Gen 6预计要到2027年才提供样品。该器件为d-mode，与LV硅MOSFET配对使用。封装支持顶面、底面或双面散热，当前支持20-mΩ器件，未来10–15-mΩ器件或可单冷板散热。相比TOLT封装，DSC PQFN在x-y轴封装面积减少约57%至60%，高度约1 mm（对比TOLT的2.35 mm，表格中为2.3 mm），热阻抗低9%至10%（0.36 °C/W对比0.4 °C/W），四开关功率级PCB面积可减少约15%至25%。在6-kW、800 V转48 V、运行于650 kHz至1 MHz的IBC演示板风冷测试中，DSC全负载效率提升0.14%，相当于6-kW转换器中约10+ W的额外功率；测试未使用液冷，下一步将进行液冷测试。DSC 8×8（含650-V GaN）应用于初级侧，每个模块仅承受约400 V，两个模块串联以适应800 V总线。DSC封装技术的主要应用是初级侧800 V DC转换为48 V、12 V和6 V的中间总线转换器（IBC）。针对800 V转6 V输出电流超过3,000 A的情况，瑞萨正与EPC合作推进LV GaN的DSC封装选项。瑞萨在10月12日至15日于加州圣何塞举行的OCP全球峰会上展示了该器件，作为其800-V电源解决方案的一部分。
联想于10月19日在韩国推出搭载Nvidia RTX Spark的Yoga Pro 9n笔记本电脑。该款笔记本采用Arm架构CPU与Blackwell架构RTX GPU的SoC平台，支持最高128GB统一内存。起售价为674.9万韩元（64GB LPDDR5X版），预售价624万韩元。具备Lenovo X Power散热系统，TDP最高80W，噪音低至22分贝。配备15英寸OLED屏幕，峰值亮度1100尼特，刷新率165Hz，覆盖100%sRGB及DCI-P3色域。触控板为ForcePad提供触感反馈，支持第二代Yoga Pen（Wacom AES 3.0）。机身厚度16.7mm，重约1.65公斤，电池容量92.5Wh，支持USB4、杜比全景声四扬声器、三麦克风3D降噪、键盘特殊涂层、凹陷键帽及1.5mm键程。
显示贴合设备制造商Shindo Eng Lab于当地时间10月15日在旧金山SEMICON West 2026上公布了一种芯片封装架构，将图形处理器（GPU）与高带宽存储器（HBM）垂直堆叠，中间夹一层约200微米厚的玻璃陶瓷中介层。该架构中GPU位于中介层上方、HBM位于下方，两者通过中介层中的垂直导电通孔连接；液冷模块分别置于GPU上方和HBM下方以相反方向散热；电力由底部印刷电路板（PCB）经金属柱输送至中介层并分配给两颗芯片。原文指出，当前AI半导体封装采用将GPU与HBM并排放置在硅中介层上的2.5D架构，垂直堆叠会缩短芯片间距离，但带来热量集中和热胀冷缩导致翘曲等挑战；Shindo声称其可调整热膨胀特性的玻璃陶瓷中介层结合两侧冷却可缓解这些问题。形成垂直导电通孔的技术为透过玻璃陶瓷通孔（TGCV），公司于9月发布，该工艺在玻璃陶瓷基板上用光刻同时形成孔洞图案并以铜填充；Shindo最初将TGCV作为倒装芯片球栅阵列（FC-BGA）基板中有机核心的潜在替代品提出。Shindo主要为显示面板与盖板玻璃贴合提供层压和真空贴合设备，此前无半导体基板业务经验。该公司已为该架构提交专利申请，并正与约10家公司进行技术讨论，已向其中部分公司提供样品；尚未披露其打算直接制造并销售中介层还是供应设备。Shindo一位官员表示，最终目标是实现以TGCV为基础技术、垂直集成GPU与HBM的3D架构，并计划将该结构提交给委外封测（OSAT）公司讨论潜在应用。该架构尚属提案阶段，未见量产或商业化实现。
据IT之家10月19日消息，任天堂近期在欧洲推出了支持便捷更换电池的新版 Switch 2，技术人员 modyfikatorcasper 拆解后发现，该机并未换用传闻中的夏普 LCD 面板，仍使用群创光电（Innolux）面板。除主板和电池仓设计外，新版变化较为有限：新机更换了风扇，可能对散热表现产生一定影响，但目前尚无证据表明其性能有明显改善；机身 RAM 内存容量仍为 12GB，只是内存供应商有所变化，玩家不太可能获得明显性能提升，此次改版的主要意义在于提升维修便利性。此外，有迹象显示任天堂可能将相应版本推向其他市场：型号为 BEE-001 (-01) 的机型已出现在美国联邦通信委员会（FCC）的相关记录中，暗示后续可能在美国市场贩售，但目前仅为迹象和暗示，并非已确认的销售计划。
快科技10月19日消息，Intel下代Nova Lake-HX与Nova Lake-H移动处理器的封装布局近日首次曝光，信息来自Moore's Law Is Dead公布的裸片图片。据披露，Nova Lake-HX采用6芯片堆叠封装，核心配置为8个P核+16个E核+4个LPE核共28核，封装尺寸12×30mm，面积约360mm²；其中计算模块面积约104mm²，采用台积电N2P工艺，承载全部8P+16E共24个核心；图形模块采用Intel 3-E工艺，集成4个Xe核心，面积约26mm²；SoC枢纽模块和外围控制模块均采用Intel 18A-P工艺，面积分别为72mm²和58mm²，SoC枢纽模块承载4个LPE核；另有两颗被动填充模块，面积分别为21mm²和85mm²，用于物理支撑和散热均衡。Nova Lake-H的图形、SoC枢纽和外围控制模块与HX版完全相同，差异在计算模块和被动模块：H版计算模块面积缩至55mm²，承载4P+8E共12核，被动模块缩减至45mm²，封装尺寸12×23mm，面积约276mm²，比HX版短7mm。MLID还提到测量值与真实值误差在5%以内，且修改了数值以保护消息源；此外12 Xe配置将使用一个占据图形模块和相邻填充模块空间的单一芯片。该信息为第三方爆料，原文未说明产品发布时间。
快科技10月19日消息，iQOO预告将于10月28日发布全新小平板iQOO Pad Pro，号称“口袋电竞巨兽”。该机采用8.8英寸165Hz OLED屏幕，搭载高通第五代骁龙8至尊版旗舰平台（简称骁龙8E5）和自研电竞芯片Q3，内置9020mAh大电池。其中骁龙8E5采用台积电第三代3nm（N3P）制程工艺，延续高通自研Oryon架构，采用2+6全大核设计并放弃传统小核，配备2颗主频4.6GHz的Prime超级内核与6颗主频3.62GHz的性能内核；对比上代，单核性能提升20%，多核性能提升17%。该平板还搭载自研冰穹四重风冷散热系统（含被动散热的冰穹VC均热板、双层超高导热石墨，以及主动散热的LCP扇叶风扇与高导热铝合金风道）、高导热凝胶与冰穹隔热气凝胶，机身厚5.74mm、重298g，并搭载自研Q-flex操控技术、超感触控和超感陀螺仪。此为发布预告，产品尚未实际发布。
Cadence Design Systems与University of Notre Dame的研究人员发表了题为“A Composable AI-Accelerated Iterative Solver for 3D-IC Thermal Modeling”的研究论文。摘要指出，对异构2.5D/3D-IC封装进行精确热分析虽然必不可少，但计算上极为昂贵；一次全封装FEM仿真可能耗时数小时，而基于AI的代理模型则将整个堆叠视为单一的整体预测目标。原文未说明原因之外的其他背景，此为研究论文发布，属背景信息，不涉及价格、产能或供应事件。
密苏里科学技术大学研究人员发表了题为《Can Autonomous Vehicles Keep Their Cool? A Survey of Thermal Side-Channel and Perception Attacks》的综述论文，指出热侧信道为自动驾驶汽车带来新的安全风险。据摘要节选，该综述将十三项代表性工作系统化为热感知完整性、遥测泄露和模型信息提取三类，并按权限、时间尺度、共租、可部署性和自动驾驶相关性进行比较。原文未说明该研究对供应链或价格的直接影响。
Kulicke & Soffa 财政第三季度 2026 年净收入为 3.304 亿美元，同比增长 123%，毛利率 47.8%，非GAAP每股收益 1.20 美元，超出预期。公司预计财政 2026 年第四季度收入约为 3.75 亿美元，截至 2026 年 10 月 3 日，因半导体、存储、汽车和工业市场需求增强。
英伟达在韩国推出RTX Spark AI笔记本电脑，销售自10月16日开始；最便宜的型号是微星Prestige N16，售价为579.9万韩元，英伟达将高价归因于内存成本上升。
高通正加强进入人形机器人半导体市场，依托其在移动设备和汽车领域的经验，并提供集成AI软件包等开发工具。高通副总裁朴宰贤10月16日在首尔COEX举行的"Semiconductors Powering Humanoids"会议上表示，公司视人形机器人为高度复杂的汽车，并称"我们已拥有其开发所需的全部技术"。高通认为人形机器人的运行原理与自动驾驶车辆相似，利用摄像头等传感器感知环境、AI做决策、电机执行动作；自动驾驶车辆通常具有3至4个自由度(DoF)且限于平面移动，而人形机器人约有60个自由度，动作复杂得多。高通已开发面向机器人的SoC、低功耗无线通信、机器人操作系统技术、电源与热管理及AI开发工具；其Dragonwing SoC产品线集成CPU、GPU和NPU，包括面向扫地机器人等消费设备的Dragonwing Q2和Q4、面向餐厅送餐机器人等服务机器人的Q5和Q6、面向自主移动机器人(AMR)和四足机器人的IQ8，以及面向早期阶段人形机器人的IQ9。旗舰产品Dragonwing IQ10采用基于PC所用Oryon微架构的18核CPU，计算性能超过IQ9的5倍；高通称其低功耗SoC设计专长可应对封闭电池供电环境中的功耗与发热挑战。公司还提供用于大规模控制数百台机器人的Wi-Fi 7和5G通信方案、基于Linux的实时控制技术，以及Qualcomm AI Stack、Qualcomm AI Hub、SDK、MLOps和AI Data Flywheel等软件产品。
Terafab 项目已获得 16.8 亿美元的一期资金（四期总额最高可达 119 亿美元）；其位于奥斯汀的研究晶圆厂正在每月处理几千片晶圆，迭代工艺配方、晶体管设计和封装变体，而格里姆斯县正在建设的产能晶圆厂目标是每月 10 万片晶圆起始量，首片硅预计在 2029 年交付，采用埃隆·马斯克所命名的英特尔 14A 工艺。站点和一期资金已获批准，研究晶圆厂正在施工，但尚未公开首片晶圆日期或所有权条款，且特斯拉和英特尔均未签订合约约束。文章认为，先进封装而非光刻将决定单屋顶概念是否盈利。
2026年10月16日报道：高通旗舰移动平台骁龙8 Elite Extreme Gen 6虽率先采用台积电2纳米工艺，但新制程并未完全解决芯片在高负载场景下的发热问题。消息称三星在内部验证测试中发现该处理器在长时间高负载任务下会出现温度升高后的降频、频率下降并影响持续性能输出，并已将结果反馈高通要求尽快改进；高通曾引入新型Offset PoP封装以改善散热。原文未披露三星内部测试具体数据、降频幅度、温度变化或性能损失比例，这些说法暂时无法通过独立数据验证，问题严重程度尚无法准确评估。此前几周的一项测试显示，采用Offset PoP封装的该芯片达到105摄氏度温度阈值所需时间超过15分钟，而采用传统PoP封装的上一代产品约在6分30秒后达到相同温度，说明新封装提升了热量管理但未彻底解决持续负载散热问题。该芯片峰值频率首次突破5GHz。骁龙8 Elite Extreme Gen 6是三星下一代旗舰Galaxy S27系列潜在搭载平台之一；若高通未来数周内通过固件或设计优化解决相关问题仍可维持竞争力，若发热降频持续，三星也可启用基于改进版2纳米SF2P工艺的Exynos 2700作为替代。业界对爆料普遍持谨慎态度。
ASM技术副总裁Glen Wilk在SEMICON West 2026期间于旧金山Moscone Center举行的CEO Summit面板会议上(当地时间10月14日)表示，传统微缩实际上已走到其使用寿命的尽头，材料将不再仅仅支持微缩，而是将驱动半导体创新。他解释，仅靠工艺微型化已无法满足人工智能对计算性能和能效的要求，并以晶体管栅极为例：作为栅介质使用超过50年的二氧化硅被氧化铪等高k材料取代，以降低栅极漏电流并改善晶体管性能；他还强调热管理领域需要材料创新。ASM的主要收入来源是ALD和外延设备；钼等新型互连金属也可用ALD沉积，GAA晶体管所需的硅和硅锗薄膜则用外延设备生长，因此新材料的引入对ASM构成收入增长机会。会议发言未涉及具体价格、产量或订单数据，原文未说明原因之外的额外背景。
据数码博主 @i冰宇宙 10 月 16 日援引《首尔经济日报》的报道，三星在为 Galaxy S27 Ultra 旗舰手机做最终性能验证时，发现高通第六代骁龙 8 超级至尊版存在过热问题：内部测试显示该芯片在高负载运行时温度反复超过阈值，并出现处理速度下降的情况。三星已于 2026 年 9 月将测试结果反馈给高通，并要求其在 10 月中旬前完成改进；双方目前仍在持续优化并重新测试。三星计划在本月中旬评估高通的散热改进进展并最终确定处理器方案，若问题无法解决，三星可能改用自研的 Exynos 2700。若 Exynos 2700 最终入选，将是 Ultra 系列时隔五年再次搭载 Exynos 芯片——此前三星在 2022 年的欧洲版 Galaxy S22 Ultra 上使用 Exynos 2200，自 2023 年 Galaxy S23 Ultra 起，Ultra 机型全球统一采用高通处理器。
Microchip Technology推出辐照耐受型氮化镓(GaN)点-of-load(POL)转换器POL-05-20S-T,面向航天处理系统。该器件可提供最高20A连续输出电流，采用紧凑表贴封装，尺寸为1.51 × 1.51 × 0.45英寸，重量25 g,输入电压范围4.75 V至13.2 V,输出可在0.7 V至5 V之间调节，工作温度范围为满载时−55°C至+100°C。辐照耐受规格方面，Microchip规定了总电离剂量(TID)高达50 krad暴露前后的电气参数，并在线性能量转移(LET)高达43 MeV·cm²/mg水平下对单粒子效应(SEE)进行了表征。该产品面向FPGA、微控制器、ASIC等处理密集型器件的核芯电压轨等大电流、快速瞬变负载，现已有量产数量的供货。
第二届中国银河证券大宗商品论坛（以"商品·科技·宏观"为主题）上，与会机构普遍认为大宗商品市场正进入宏观、产业、科技多因素交织共振的新阶段。银河证券章俊认为全球利率中枢上行将成常态，"高利率常态"将系统性影响包括大宗商品在内的大类资产定价体系。马凯认为未来中国大宗商品将出现K型分化：地产基建等旧动能商品处于空头配置逻辑，AI算力基础设施与新能源汽车渗透率提升催生铜、铝等有色金属高增速需求的多头逻辑。吴康概括2020年以来全球石油市场经历三次"黑天鹅"冲击，并给出油价情景：基准情景下（海峡逐步恢复）2027年布伦特年均价约85美元，高风险情景下（封锁持续）年均价可能维持在120美元以上，并认为当前市场定价对中东问题反映不够充分。陈虹称页岩气增长是全球化工原料格局重构的最核心变量，乙烷裂解只产乙烯不产丙烯的结构性矛盾直接推动了2026年二季度PP价格的逆势拉涨；她判断乙烷是少数有机会的化工原料，全球乙烷船数量将从2024年底的40艘扩张至2028年底的105艘，70%运力指向中国。冯源认为2026年煤炭市场反弹是供给侧多重扰动叠加的结果而非单纯需求驱动：中国煤炭产量连续三个月出现10%的同比降幅，印尼全年出口减少约3000-4000万吨，印度库存去化至四年同期最低值；他对2027年的判断是市场对煤炭价格回落的预期过多，2027年动力煤价格大概率在1000元人民币附近震荡。圆桌嘉宾认为AI算力中心建设带来铜、锡等金属的确定性增量需求，AI提升传统产业效率从需求侧对价格形成微妙下行压力，高波动将成为大宗商品常态。以上均为论坛专家观点与预测，非已实现的市场结果。
第28届半导体展（SEDEX 2026）于10月14日至16日在首尔江南区COEX会展中心举办，为期三天，三星电子与SK海力士在展会上共同展出第七代高带宽内存HBM4E及新一代存储技术。三星HBM4E采用10纳米级第六代（1c）DRAM搭配4纳米制程基础裸片，单引脚传输速率14Gbps至最高16Gbps，较HBM4提升超20%；最高带宽达3.6TB/s，12层堆叠版本容量48GB，较上代增加30%以上；三星还计划推出8层32GB与16层64GB版本，并已于今年5月向全球客户送样12层版本。SK海力士展出的HBM4E最高传输速率同样达16Gbps，能效较HBM4提升逾20%，热阻降低约17%，采用先进MR-MUF工艺，6月已向主要客户送样12层48GB版本并开展性能验证。三星还展出zHBM概念产品，结合下一代晶圆键合技术，内存密度可达HBM5的10倍以上、能效提升3倍，同时展出面向边缘AI的LPDDR-PIM与zNAND-O方案。SK海力士提出HBF（高带宽闪存），目标容量约为HBM的10倍，采用UCIe开放接口标准。SK海力士开发总裁安铉在主题演讲中表示，预计2030年AI基础设施性能将较今年增长约20倍。
Lite-On Technology在2026年开放计算项目（OCP）全球峰会上展示800 VDC电源架构、兼容NVIDIA Vera Rubin的电源机架以及集成液冷系统。该产品组合旨在帮助数据中心运营商提升电源效率、应对日益增长的AI机架密度，并将备用电源与热管理整合。原文未说明原因以外的具体事件动因，此为展会展示性质的产品发布信息。
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All teardowns| Analog | $0.68 | −5.9% |
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| Connector | $0.75 | +0.2% |
| CPU | $386.74 | −21.3% |
| DDR4 | $88.40 | −0.2% |
| DDR52026-W13 | $14.89 | −11.2% |
| GPU | $478.20 | +8.2% |
| MCU | $0.68 | −61.7%Unusual |
| MLCC | $0.01 | +54.0%Unusual |
| MOSFET | $0.12 | −82.8%Unusual |
| PMIC2026-W13 | $0.44 | −12.5% |
| SSD/HDD | $288.43 | n/a |